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对比文件名称：2009-01-15_US2009014832A_发明申请_US20090014832A1 Semiconductor Device with Reduced Capacitance Tolerance Value
目标专利名称：336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构，《隐含公开》 | [0025]段：“The BEOL metallization structure comprises a basically conventional VPP capacitor structure C2 comprising alternating columns 4 or 5, respectively, of horizontally arranged and vertically stacked strip-shaped metal layers being electrically connected by comprising vias.” | 对比文件公开了垂直平行板（VPP）电容器结构C2，该结构由水平排列和垂直堆叠的条带状金属层通过通孔电连接组成（见[0025]段）。根据目标专利说明书[0002]段和背景技术，MOM电容器是利用互连层中横向导电叉指之间的电容性耦合形成的。VPP电容器也是一种利用互连层金属形成电容的结构，属于广义的MOM电容器（利用金属-氧化物-金属，其中氧化物为层间介电质）的一种实现方式。对比文件中的VPP电容器C2是BEOL互连结构的一部分，必然耦合到互连堆叠的某个上互连层（例如顶部金属层6或11）以获得电连接。虽然对比文件没有明确写出“耦合到第一上互连层”的文字，但本领域技术人员可以毫无疑义地理解，任何形成于互连堆叠中的电容器结构都必须与互连层电连接才能发挥作用，VPP结构C2通过顶部金属层6和11（可视为上互连层）实现电连接（见图2A及[0025]-[0026]段）。因此，对比文件隐含公开了耦合到互连堆叠（上）互连层的MOM（VPP）电容器结构。 |
| 技术特征B：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层，《直接公开》 | [0025]段：“The BEOL metallization structure comprises a basically conventional VPP capacitor structure C2 comprising alternating columns 4 or 5, respectively, of horizontally arranged and vertically stacked strip-shaped metal layers being electrically connected by comprising vias.” | 对比文件直接公开了VPP电容器结构C2由交替的、水平排列和垂直堆叠的条带状金属层组成（见[0025]段）。这些条带状金属层是构成互连堆叠的导电层，在垂直堆叠的层次中，位于下方的金属层相对于顶部金属层（如层6、11）而言就是“下互连层”。因此，VPP电容器结构（即MOM电容器结构）明确包括了互连堆叠的至少一个下互连层。该特征被直接公开。 |
| 技术特征C：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层，《直接公开》 | [0025]段：“A metal top layer 6, which is connected to the respective columns 4, in this example. On the other hand, columns 5 are connected to each other and to a superimposed second metal top layer 11 by means of an external wire connection 12 (FIG. 2A).” | 对比文件明确公开了互连堆叠中存在第二上互连层。具体地，顶部金属层11（second metal top layer 11）通过外部导线连接12（external wire connection 12）连接到VPP电容器结构C2的列5（columns 5）（见[0025]段及图2A）。顶部金属层11是叠加在另一金属层6之上的层，可对应于“第二上互连层”。该层明确被耦合到VPP电容器（即MOM电容器）结构。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征D：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层，《直接公开》 | [0026]段：“On the surface of the lower top metal layer 6, a first conductive layer is arranged, which serves as a bottom electrode 7 of the MIM capacitor C1. ... On this lower MIM capacitor plate 7 an insulating layer 8 is provided, and thereon a second conductive layer 9 serving as a second (top) electrode of the MIM capacitor C1, is arranged. This top capacitor electrode 9 is connected to the top metal layer 11 by vias 10.” | 对比文件直接公开了MIM电容器C1，其包括底部电极7、介电层（绝缘层）8和顶部电极9（见[0026]段）。该MIM电容器结构形成在较低的顶部金属层6（可视为第一上互连层）的表面上，并且其顶部电极9通过通孔10连接到顶部金属层11（可视为第二上互连层）。因此，MIM电容器层（包括电极7、介电层8和电极9）明确位于第一上互连层（金属层6）与第二上互连层（金属层11）之间。该特征被直接公开。 |
| 技术特征E：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构，《直接公开》 | [0025]段：“The BEOL structure of the semiconductor element is shown ... The several metal layers are connected to form a parallel connection of a first capacitor C1 (MIM capacitor) and a second capacitor C2 (VPP capacitor), see especially FIGS. 2A and 2F.” | 对比文件明确公开了MIM电容器C1和VPP电容器C2并联连接（见[0025]段及图2A，2F）。VPP电容器C2即对应于目标专利的MOM电容器结构。因此，MIM电容器结构（C1）被明确公开为耦合到（具体为并联）MOM电容器结构（C2）。该特征被直接公开。 |
| 技术特征F：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，《未公开》 | [0026]段：“On the surface of the lower top metal layer 6, a first conductive layer is arranged, which serves as a bottom electrode 7 of the MIM capacitor C1. ... This top capacitor electrode 9 is connected to the top metal layer 11 by vias 10.” | 目标专利中，MIM电容器结构的第一电容器极板“仅包括所述第一上互连层的一部分”，意指第一上互连层（如M9）自身的一部分直接充当MIM电容器的一个极板（参见说明书[0028]-[0029]段，图2中M9作为MIM电容器结构250的底部极板）。而在对比文件中，MIM电容器C1的底部电极7是沉积在较低的顶部金属层6表面上的一个独立的“第一导电层”（first conductive layer），例如TiN层（见[0026]段），它并非金属层6本身的一部分。金属层6和底部电极7是两个独立的层。因此，对比文件没有公开使用第一上互连层（金属层6）自身的一部分作为MIM电容器的极板。该特征未被公开。 |
| 技术特征G：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分，《未公开》 | [0026]段：“On this lower MIM capacitor plate 7 an insulating layer 8 is provided, and thereon a second conductive layer 9 serving as a second (top) electrode of the MIM capacitor C1, is arranged.” | 目标专利中，第二电容器极板“包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”（参见权利要求）。结合说明书[0029]段及图2，MIM电容器结构250的第二极板（顶部极板252）是MIM电容器层（即沉积的MIM层）的一部分。然而，在对比文件中，MIM电容器C1的第二（顶部）电极9是一个独立的“第二导电层”（second conductive layer），例如另一TiN层，它形成在介电层8之上（见[0026]段）。该电极9本身是一个独立的层，而不是“MIM电容器层”（通常指包含介电层和可能电极的叠层）的“一部分”。对比文件未公开第二极板是MIM电容器层的一部分。该特征未被公开。 |
| 技术特征H：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板，《未公开》 | 对比文件全文 | 对比文件仅描述了一个MIM电容器结构C1，该结构位于金属层6和11之间（见[0026]段）。没有公开任何位于相同两个互连层（第一上互连层和第二上互连层）之间的“附加MIM电容器结构”。更未公开该附加MIM电容器结构与已存在的MIM电容器结构共享极板（即一个MIM结构的极板作为另一个MIM结构的极板）的配置。该特征未被公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板，《未公开》 | 对比文件全文 | 由于对比文件未公开特征H中的“附加MIM电容器结构”，因此特征I中描述的关于该附加结构的连接关系自然也未被公开。虽然对比文件图2A显示顶部金属层11通过通孔10连接到MIM电容器C1的顶部电极9，但这仅涉及单个MIM结构，而非附加MIM结构，且连接关系不同。该特征未被公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中，《隐含公开》 | [0033]段：“In a further embodiment of the invention, the semiconductor device comprising a voltage controlled oscillator wherein, the numerical value of the capacitance determines the oscillator frequency. In a further embodiment, the device comprises an analog/digital converter wherein, the numerical value of the capacitance determines the convertal characteristics. Furthermore, another semiconductor device of an embodiment of the invention comprises a filter portion wherein, the numerical value of the capacitance determines a filter characteristic. In all these devices and further semiconductor devices for analog or mixed-signal processing or radio frequency devices may, in accordance with the respective manufacturing process steps, the above embodiments be applied...” | 对比文件公开了包含所述电容器结构（如并联的MIM和VPP电容器）的半导体器件可以用于多种电路或功能模块，例如电压控制振荡器、模数转换器、滤波器等，这些是模拟、混合信号或射频处理设备中的常见部件（见[0033]段）。本领域技术人员公知，此类功能模块是构成蜂窝电话、手持通信设备、娱乐单元、导航设备、便携式或固定式数据单元等电子设备的核心组成部分。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地推断，包含此类电容器的半导体器件可以被集成到上述各类终端设备中。该特征被隐含公开。 |
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