对比文件名称：2010-04-21_CN101697305A_发明公开_CN101697305A 电子设备
目标专利名称：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用模型名称：GPT-4
作为资深专利代理师，我对目标专利的权利要求进行了技术特征划分，并结合目标专利说明书对各特征进行解释。随后，我对对比文件进行了深入分析，判断其是否公开了这些特征。以下是我的评估过程和结论：
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板**<br>《直接公开》 | 说明书第[0042]段：“该电子设备1包括封装(PK)2和安装了该封装的母板(MB)4...封装2由适当的印刷电路板构成...包括芯基板13...”。图1、4A-C、7A-C、8A-G均示出了基板结构。 | 对比文件明确公开了电子设备包含基板（如芯基板13、母板4等），这是构成电子器件的基础结构。该特征在对比文件中作为电感器、电容器等元件的承载基础，其作用与目标专利中作为器件载体的基板作用相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征，属于直接公开。 |
| **技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔**<br>《直接公开》 | 说明书第[0042]段：“在芯基板13中形成有...通孔导体28...”。第[0043]段：“埋入基板的电感器(L)10...配置于在芯基板13上所开设的贯通孔27中...”。图4A-C示出了通孔导体32、导通导体39等结构。 | 对比文件明确公开了“通孔导体28”、“贯通孔27”以及作为电感器核心的“导体32”（其形成于贯通孔内表面），这些通孔结构至少部分地穿过基板（芯基板13）延伸，并且构成了电感器（即埋入基板的电感器10）的一部分。该通孔在对比文件中用于形成电感器的导电路径，与目标专利中形成多通孔电感器一部分的通孔作用相同。因此，属于直接公开。 |
| **技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构**<br>《直接公开》 | 说明书第[0042]段：“在芯基板13中形成有导体电路52u、52d和通孔导体28，该通孔导体28连接这两个导体电路52u、52d。” 图1、4A-C示出了导体电路52u、52d以及它们通过通孔导体的连接关系。 | 对比文件公开了在基板（芯基板13）上形成的导体电路（如52u、52d），这些导体电路通过通孔导体（如28）相互耦合。虽然对比文件未明确使用“第二通孔”一词，但其公开的“通孔导体28”实质上连接了两个导体电路，起到了连接作用。置于两个连接点（可视为通孔连接点）之间的导体电路（52u、52d）即相当于“置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构”。该结构在对比文件中用于构成电路连接和电感器的一部分，与目标专利中构成多通孔电感器导电回路的作用相同。因此，属于直接公开。 |
| **技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间**<br>《未公开》 | 说明书第[0042]段：“封装2还具有...形成于导体电路52u-1、54u-1之间的薄膜型电容器(C)8。” 图1示出了电容器8位于不同层的导体电路之间。 | 对比文件公开了薄膜型电容器8，但其电介质位于两个平面导体电路（52u-1与54u-1）之间，而非位于一个“通孔”与一个“极板”之间。目标专利的核心在于电容器与通孔的集成结构，电介质直接位于通孔（作为一极或连接至一极）与电容器的另一极板之间。对比文件的电容器8是独立于通孔结构的平面型电容器，并未与通孔（如导体32）直接集成。因此，对比文件没有公开该特征。 |
| **技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外**<br>《未公开》 | 同上，电容器8形成于导体电路52u-1与54u-1之间，这些导体电路是基板上的布线层。根据图示和上下文，这些导体电路及电容器位于基板（封装2）的内部或表面，属于基板结构的一部分，而非明确在“基板以外”。 | 目标专利说明书强调“电容器的极板在基板以外”（如[0010], [0033]），意指极板不嵌入在基板材料内部，而是形成于基板之上的器件层中（如位于ILD层内）。对比文件中的电容器8集成在多层基板的导体层之间，是本领域常规的嵌入式或层叠式电容器，其“在基板以外”的特征不明确。更重要的是，由于特征D未被公开，此特征的前提不成立。因此，对比文件未公开该特征。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构**<br>《未公开》 | 对比文件中，电容器8与电感器10（包含通孔导体32）是通过电源电路3中的导体电路连接的（见图1、2），但电容器并未“通过所述通孔”直接耦合。通孔导体32是电感器的一部分，电容器8是另一个独立的元件。 | 目标专利的发明点之一是电容器直接通过其下方的通孔进行电连接，减少了中间走线电阻。对比文件中，电容器8和包含通孔的电感器10是两个分立元件，通过基板上的平面导体电路连接，并未公开电容器直接耦合到某个通孔（即，通孔作为电容器的直接电极或电极引线）的结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分**<br>《隐含公开》 | 说明书第[0042]段：“在芯基板13中形成有导体电路52u、52d和通孔导体28，该通孔导体28连接这两个导体电路52u、52d。” 图4A-C示出了电感器两端通过导通导体39连接至上下表面的导体电路。一个完整的螺旋或回路电感器通常需要多个通孔和平面导电结构共同构成。 | 对比文件明确公开了用于连接不同层导体电路的通孔导体（如28），以及连接电感器（导体32）与外部电路的导通导体（39）。本领域技术人员在阅读对比文件后，为了构成一个完整的、具有更高电感值的“多通孔电感器”（而非单匝线圈），完全有能力且通常会推理出使用多个通孔（例如，通过通孔导体28连接不同层的平面螺旋导体）来形成电感器的更多匝数或部分。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构**<br>《隐含公开》 | 同上，以及说明书第[0042]段描述了多层导体电路（52u, 52d, 54u, 54d, 56u, 56d）通过导通孔导体（53, 55）和通孔导体（28）相互连接。图1展示了一个多层互连结构。 | 对比文件公开了基板上具有多个导电结构（各层导体电路）和用于垂直互连的通孔/导通孔。本领域技术人员基于构建电感器的普遍知识，可以从对比文件公开的“通孔导体”、“导体电路”和“导通孔导体”等要素中，合理推断出可以通过这些要素的组合（例如，利用两个通孔和它们之间的两段平面导体结构）来构建一个多通孔电感器。这种组合是构建三维电感器的常规技术手段。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器**<br>《未公开》 | 对比文件未明确描述“层间电介质(ILD)层”这一术语，但其绝缘层（15u, 15d, 25u, 25d）起到类似作用。电容器8位于导体电路之间。对比文件公开了由电感器10和电容器8构成电源平滑电路（滤波电路），见图2。 | 1. **极板在ILD层中**：对比文件未明确公开电容器的极板位于特定的“ILD层”中。其电容器是薄膜型，位于导体层之间，但未使用目标专利的特定术语“ILD层”来描述其位置。虽然功能上类似，但缺乏直接对应性。<br>2. **谐振电路**：对比文件的电源电路3（图2）是一个DC-DC转换器中的滤波/平滑电路（L-C电路），其主要功能是滤波而非以谐振为核心功能的“谐振电路”。目标专利的谐振电路（如说明书[0036]段）强调在特定频率振荡，具有高Q值，两者功能侧重点不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔**<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及“玻璃型基板”或“透玻通孔(TGV)”。其基板为常规的印刷电路板（如环氧树脂基板，FR-4）。 | 目标专利特别强调基板可以是玻璃型基板，通孔是透玻通孔（TGV），这是其用于高频、低损耗应用的关键特征之一（参见[0031]段）。对比文件使用的是传统的有机树脂基板（如FR-4）及相应的通孔技术，两者在材料、工艺和适用的性能领域上存在显著差异。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板**<br>《未公开》 | 对比文件未具体公开这些基板材料。其背景技术和实施例均围绕常规印刷电路板（如FR-4）展开。 | 这是对特征J中“玻璃型基板”的进一步列举和扩展。对比文件未公开任何这些特定的低损耗或半导体基板材料。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者**<br>《直接公开》 | 说明书第[0043]段：“埋入电感器(L)10由导体(con.)32和磁心(core)30形成；上述导体32由通孔铜构成...”。第[0052]段：“利用化学镀铜法(无电解镀铜)...并利用吡咯啉酸镀铜法(电解镀铜法)...形成导体32”。 | 对比文件明确公开了电感器的通孔导体32由铜(Cu)构成，并通过电镀工艺形成，属于金属填充型通孔。铜是目标专利所列金属之一。该特征在对比文件中用于形成低电阻的导电通路，作用相同。因此，属于直接公开。 |
| **技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者**<br>《未公开》 | 对比文件未披露其薄膜型电容器8所用电介质的具体材料成分。 | 目标专利限定了电容器电介质的具体材料列表，这些是半导体和MEMS工艺中常用的高性能电介质。对比文件未提供任何关于电容器电介质材料的信息。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核**<br>《隐含公开》 | 说明书第[0043]段：“通孔铜的内部为中空34。” 第[0044]段：“在图4(B)中的通孔导体32内填充填孔剂36...在此，优选低弹性的材料作为填孔剂36。” 第[0056]段：“填孔剂36可以是树脂”。图4B-C。 | 对比文件公开了通孔导体32内部可以是中空（34）或填充有“填孔剂36”，而填孔剂优选低弹性材料如树脂。树脂属于聚合物。本领域技术人员可以理解，填充聚合物（树脂）的金属通孔结构（即金属管内部有聚合物核）是减轻热应力的一种常见技术手段。因此，对比文件隐含公开了“通孔内的金属结构包括聚合物核”这一特征。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上**<br>《未公开》 | 对比文件中，电容器8与电感器10（其通孔导体32）在空间上是分离的，电容器是水平布置在导体层间，并未垂直堆叠在通孔的上方或下方。 | 这是目标专利的核心结构特征，即电容器与通孔在垂直方向上集成，电容器堆叠在通孔顶部（见图1-6）。对比文件完全没有公开这种垂直堆叠的集成关系。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P至W**（涉及电容器与通孔及导电结构的特定相对位置、尺寸关系、多层电介质、通孔结合方式等）<br>《均未公开》 | 对比文件未公开电容器与通孔的垂直集成结构（特征O），因此，所有基于此集成结构而进一步限定的具体位置关系（P, Q）、尺寸关系（R, S, T）、附加电介质（U）、通孔结合方式（V）以及垂直位于通孔上的重申（W）均失去了存在的基础。 | 这些特征都是对特征D、E、O所定义的“电容器在通孔与极板之间具有电介质且极板在基板外”这一核心集成结构的具体化和优化。由于对比文件未公开该核心集成结构，这些从属的、具体化的特征自然也未被公开。对比文件中电容器和通孔电感器是分立的，不存在这些特定的几何和位置关系。 |
### 直接公开与隐含公开判断总结
- **直接公开**的技术特征有：A、B、C、L。
- **隐含公开**的技术特征有：G、H、N。
- **未公开**的技术特征有：D、E、F、I、J、K、M、O、P、Q、R、S、T、U、V、W。
### 输出代码
根据上述判断，在回答的结尾插入对应代码。
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<<<g>>><<<h>>><<<n>>>