对比文件名称：2002-01-11_JP2002008942A_发明专利_JP2002008942A Capacitor device, method of manufacturing the same, and module mounted with the device
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本模型
作为资深专利代理师，我已根据目标专利说明书对权利要求技术特征进行解释，并对对比文件JP2002008942A进行了深度分析和比对。目标专利的核心在于提供一种集成的电路结构，其中电容器直接形成在作为多通孔电感器一部分的通孔之上，电介质位于该通孔与电容器极板之间，旨在减少寄生电阻和电感，特别适用于谐振电路（如LC谐振电路），以提高品质因数（Q因数）和电路性能。对比文件涉及一种去耦电容器装置，其通过在基板中形成通孔并连接至电容器电极来实现小型化和低电感连接。
以下为特征比对表格：
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基板《直接公开》 | 【0020】“シリコン単体からなる基板１０”【0035】“ガラス基板１０” | 对比文件明确公开了电容器装置包括基板（10），例如硅基板【0020】、玻璃基板【0035】等，这与目标专利中的“基板”特征相同，均作为器件的支撑结构。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，《未被公开》 | 【0020】“シリコン単体からなる基板１０に第１のスルーホール１２ａ及び第２のスルーホール１２ｂが形成され”【0026】“直径Ｂが６０μｍ、ピッチＡが１５０μｍのスルーホール１２ａ、１２ｂ、１２ｃを形成する。” | 对比文件公开了至少部分穿过基板延伸的通孔（12a, 12b）。然而，这些通孔在对比文件中的作用是作为垂直互连结构，用于将电容器的电极（如下部电极14）电连接至基板另一侧的连接电极（如21a, 28c），以实现与外部电源/接地线路的低电感连接【0021】。在目标专利中，该通孔被明确限定为“形成多通孔电感器的一部分”，其作用是构成电感器元件，与电容器一起形成谐振电路【0036】。对比文件通篇未提及将通孔用作电感器元件，也未描述由通孔构成电感器。两者作用完全不同。因此，本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该通孔用于形成电感器的一部分。 |
| 技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构《未被公开》 | 无相应内容。 | 由于对比文件未公开技术特征B（即通孔作为多通孔电感器的一部分），因此自然不存在由通孔、第二通孔以及连接它们的导电结构所构成的多通孔电感器。对比文件中的通孔之间并无导电结构连接以形成电感路径。 |
| 技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，《未被公开》 | 【0020】“コンデンサの支持体１１の表面に、第１の電極である下部電極１４と、容量絶縁膜である高誘電体膜１６と、第２の電極１８とがこの順に積層されて、一個のコンデンサを構成している。”【0021】“下部電極１４は第１のスルーホール１２ａ内の導電体と接続し” | 对比文件公开了电容器（由14,16,18构成）以及该电容器的下部电极（14）与通孔（12a）内的导电体连接。然而，对比文件中的电介质（高誘電体膜16）位于下部电极（14）与上部电极（18）之间，而非位于“通孔与电容器的极板之间”。在目标专利中，强调的是电介质（106）直接位于通孔（104）与电容器的一个极板（108）之间，通孔本身可能直接充当或紧密耦合于电容器的另一极板（如第一极板120或直接作为底极板）【0030】【0046】。对比文件的结构层级不同，作用在于形成平行板电容器，而非利用通孔-极板间直接介电耦合来集成电感和电容。因此，该特征未被直接或隐含公开。 |
| 技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。《直接公开》 | 【0020】“コンデンサの支持体１１の表面に、第１の電極である下部電極１４と、容量絶縁膜である高誘電体膜１６と、第２の電極１８とがこの順に積層されて” | 对比文件明确示出并描述了电容器的电极（14,18）形成在支持体/基板（11/10）的表面上，即在基板之外。这与目标专利中“极板在基板以外”的特征完全相同。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。《未被公开》 | 无相应内容。 | 该特征依赖于多通孔电感器的存在（特征C），而对比文件未公开多通孔电感器及构成其的导电结构（第一导电结构）。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分《未被公开》 | 【0020】“第２のスルーホール１２ｂ”【0022】“上部電極１８は第２のスルーホール１２ｂ内の導電体と接続し” | 对比文件确实公开了第二通孔（12b），但其作用是将电容器的另一电极（上部电极18）连接到基板另一侧的接地线路【0022】，而非作为多通孔电感器的组成部分。目标专利中的第二通孔是电感器的一部分，用于形成电感回路。两者作用不同。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未公开由通孔、导电结构连接形成的多匝或多通孔电感器结构。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未提及“层间电介质(ILD)层”，其保护膜（20，22）用于钝化和开口，作用与目标专利中用于电隔离的ILD层（110,112）【0035】可能不同但类似。最关键的是，对比文件中的电容器被描述为去耦电容器，用于连接电源线和地线以稳定电压和滤除噪声【0002】【0023】，从未提及与电感器结合形成“谐振电路”。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。《直接公开》 | 【0035】“基板１０の材料としてガラス基板を用いている点”【0036】“厚さが３００μｍのガラス基板１０にスルーホール１２ａ、１２ｂ、１２ｃを形成し” | 对比文件在第2实施例中明确公开了基板为玻璃基板（ガラス基板），并在其中形成了通孔（スルーホール）【0035】【0036】。虽然未使用“透玻通孔(TGV)”这一术语，但“在玻璃基板中形成的通孔”的本质就是透玻通孔。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板《直接公开》 | 【0020】【0023】“シリコン単体からなる基板１０”、“酸化シリコン（シリコン含有絶縁膜）やサファイアをコンデンサ装置の支持体１１の基板材料にしてもよい。”【0035】“ガラス基板１０” | 对比文件公开了基板材料包括：硅（シリコン単体）、氧化硅（酸化シリコン）、蓝宝石（サファイア）和玻璃（ガラス）。这些材料均落入目标专利所列举的基板材料范围之内（例如，硅对应高电阻率硅HRS的可能性，蓝宝石对应蓝宝石上硅SOS的基板材料）。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者《未被公开》 | 【0025】“スルーホール１２ａ、１２ｂ、１２ｃ内にＣＶＤ法で導電体を充填して” | 对比文件提到通孔内填充了“導電体”，但未具体公开该导电体的材料成分。制造方法中提到CVD法填充，但未指明是目标专利权利要求中限定的Cu、W、Ag、Au中的至少一种。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出填充金属的具体类型。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。《未被公开》 | 【0027】“高誘電体材料であるＢａＳｒＴｉＯ3...ＢＳＴという）膜”【0035】“高誘電体膜層１６の材料としてＰｂＭｇＮｂＯ3（以下、ＰＭＮと称する。）を使用している”【0035】“ＰｂＺｒXＴｉ1-XＯ3(ＰＺＴ）及びＢｉＳｒ2Ｔａ2Ｏ9(Ｙ１と呼ぶ）などを用いてもよい。” | 对比文件公开的电介质（容量絶縁膜）材料为高介电常数材料，如BST、PMN、PZT、Y1等，这些均不在目标专利权利要求所限定的电介质材料列表（SiO2, Si3N4, SiOxNy, Ta2O5, Al2O3, AlN）之中。两者材料体系不同。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件描述的通孔填充物为“導電体”，未提及其中包含聚合物核的结构。目标专利中具有聚合物核的金属通孔结构（图3）用于提供结构支撑和成本优化【0044】。对比文件未公开或暗示此类结构。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。《隐含公开》 | 【0020】“シリコン単体からなる基板１０に第１のスルーホール１２ａ...が形成され”【0020】“コンデンサの支持体１１の表面に、第１の電極である下部電極１４と、容量絶縁膜である高誘電体膜１６と...がこの順に積層されて”【0021】“下部電極１４は第１のスルーホール１２ａ内の導電体と接続し” | 对比文件的结构显示，通孔（12a）形成于基板（10）中，电容器（14,16,18）堆叠形成在基板表面。由于下部电极（14）与通孔（12a）内的导电体连接，可以合理推断，该下部电极（电容器的极板）以及其上的电介质（16）在垂直方向上至少部分地位于下方通孔（12a）的顶表面（即面向电介质的表面）之上。这是一种本领域技术人员根据堆叠和连接关系能够直接、毫无疑义地得出的空间位置关系。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。《未被公开》 | 【0020】“コンデンサの支持体１１の表面に...積層されて”【0021】“第１のスルーホール１２ａ内の導電体は、支持体１１の裏面で電極パッド２１ｄを介して第２の接続電極であるバンプ電極２８ｃと接続している。” | 对比文件公开了电容器形成在基板（支持体）的第一表面（表面），以及连接电极（如28c）位于基板的第二表面（裏面）并与通孔连接。可以推断存在一条穿过通孔的垂线，该线与电容器的极板（如下部电极14）和电介质（16）相交。然而，该特征明确限定了“第一导电结构”，该结构在目标专利中是构成多通孔电感器的一部分（如第一传导结构140）【0034】。对比文件在基板第二表面的“バンプ電極２８ｃ”是用于外部电路连接的电极，其作用与目标专利中作为电感器内部导电结构的作用不同。因此，该特征中关于“第一导电结构”的部分未被公开。 |
| 技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。《隐含公开》 | 【0020】【0025】“シリコン単体からなる基板１０に第１のスルーホール１２ａ...が形成され”【0020】“コンデンサの支持体１１の表面に、第１の電極である下部電極１４と...がこの順に積層されて” | 对比文件中的通孔（12a）是垂直穿过（或至少部分穿过）基板（10）形成的。电容器形成在基板表面，其极板（如下部电极14）大致平行于基板表面。根据图示和连接关系（下部电极14与通孔12a连接），本领域技术人员能够合理推断，垂直于基板表面并穿过通孔的轴线，会与位于通孔正上方的下部电极（极板）的区域相交。这是一种常见的、隐含的空间位置关系。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未描述通孔的顶表面（面向电介质的表面）与电容器极板（如下部电极14）的表面积之间的相对大小关系。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未描述通孔的顶表面与电容器极板的表面积之间的相对大小关系。 |
| 技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未描述通孔的顶表面与电容器极板的表面积之间的相对大小关系。 |
| 技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件中的电容器仅包含一层高誘電体膜（16）作为电介质，未公开在通孔与该电介质之间还存在第二电介质层的结构。 |
| 技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未描述通孔在基板内部相互结合的结构，也未公开由三个或更多通孔构成的多通孔电感器。 |
| 技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。《隐含公开》 | 【0020】【0025】“シリコン単体からなる基板１０に第１のスルーホール１２ａ...が形成され”（根据上下文及图示，这些通孔延伸穿过基板）【0020】“コンデンサの支持体１１の表面に、第１の電極である下部電極１４と、容量絶縁膜である高誘電体膜１６と...がこの順に積層されて” | 对比文件公开了通孔（12a）延伸穿过基板（10），并且电容器堆叠（14，16...）形成在基板表面上。结合电容器下部电极（14）与通孔（12a）导体的连接关系【0021】，本领域技术人员能够合理推断，电容器的极板（14）和电介质（16）在垂直方向上位于其下方所连接的通孔（12a）的至少一部分之上。这是一种隐含的空间位置关系。因此，该特征被隐含公开。 |
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