**对比文件名称**：1999-03-23_US5886597A_发明授权_US5886597A Circuit structure including RF_wideband resonant vias
**目标专利名称**：CN105009280B 在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器
**本次调用的模型名称**：专利创造性评估模型
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (译文) | 公开性论述 |
| **A**：包括：基板《直接公开》 | [2] “多层电子元件支撑结构是众所周知的…所述布线层通过介电材料（例如，酚醛树脂、环氧树脂、陶瓷、硅、二氧化硅或聚酰亚胺）彼此分离。” | 对比文件明确公开了其电路结构构建在“多层支撑结构（multilayer support structures）”上，该结构包含“介电材料（dielectric materials）”层，这些层共同构成了用于支撑和隔离电路的“基板（substrate）”。本领域技术人员能够毫无疑义地得出，对比文件中的“介电材料”层即构成了权利要求中的“基板”。 |
| **B**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔《直接公开》 | [2] “…垂直的导电穿通孔（perpendicular conductive through-via）从一个层延伸，穿过电介质，到达另一层。”；[2] “…通孔柱（via post）14a从电容器板14c的第一表面14b向第二接地导体12延伸长度D2。”；[2] “本发明的另一个目的是提供一种用于多层支撑结构的层间连接的装置和方法，其既利用了穿通孔的固有电感，又通过将其组合成谐振电路来补偿该电感。”；[2] “图3模型包括一个电感LV，其对通孔柱14a的电感进行建模…” | 对比文件详细描述了“穿通孔（through-via）”或“通孔柱（via post）”14a，其垂直延伸穿过介电材料层（即基板），构成了一个电感元件（LV）。说明书明确指出该通孔的电感是谐振电路（即LC谐振电路）的组成部分。因此，该通孔至少部分穿过基板并形成电感器的一部分，被对比文件直接公开。 |
| **C**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构《直接公开》 | [2] “传输线T1， T2， T3和T4对第二导体（例如图1的导体12）内的传导路径进行建模。”；[2] 图6、7、10等附图显示了多个通孔（20, 22, 24; 30, 32; CVIA1-4）通过传输线（T1-T6）相互连接。 | 对比文件中的谐振通孔系统通常包括多个通孔（例如图6中的20， 22， 24），这些通孔通过“传输线（transmission lines）”T1-T4连接。这些传输线是位于介电层（即基板）上的导电结构，用于在通孔之间传导信号或提供接地路径，从而将多个通孔耦合在一起形成一个电感网络。这直接公开了权利要求中“耦合至所述通孔和第二通孔…的导电结构”。 |
| **D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间《直接公开》 | [2] “…电容器板（capacitor plate）14c…与主接地层10的顶表面10a间隔距离D3。”；[2] “电容器CV对由电容器板14b与主接地平面顶表面间隔距离D3而形成的电容器进行建模。”；[2] “电容器板14b和主接地平面10之间的介电材料13…” | 对比文件的核心发明点在于形成“谐振通孔（resonant via）”，其结构明确包括一个由“通孔柱（via post）”14a、末端的“电容器板（capacitor plate）”14c、以及位于该电容器板与“主接地（main ground）”10之间的“介电材料（dielectric）”13构成的电容器（CV）。该电容器的电介质（13）明确位于通孔柱的末端（即通孔的一部分）与电容器的极板（14c）之间。这与目标专利“电介质位于通孔与电容器的极板之间”的特征完全对应。 |
| **E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。《直接公开》 | [2] “电容器板（capacitor plate）14c…”，该板位于介电层13之间，并未被描述为嵌入在单一的基板材料内部。结合附图2，电容器板14c是形成在通孔柱14a末端的一个独立结构层，位于介电材料层（13）的表面或内部。根据目标专利说明书[0033]对“极板在基板以外”的解释（例如，在基板之上并且并不嵌入其中），对比文件中的电容器板14c同样位于构成基板的介电材料层之外，作为一个独立的金属层存在。因此，该特征被直接公开。 | |
| **F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。《直接公开》 | [2] 图2、4、5等显示通孔柱14a直接连接到上方的导体层（如第二接地导体12）。[2] “传输线T1， T2， T3和T4对第二导体（例如图1的导体12）内的传导路径进行建模。” | 在对比文件中，通孔柱（14a）的上端直接连接至一个导体层（例如第二接地导体12），该导体层在电路中起到信号或接地路径的作用，可被视为“第一导电结构”。电容器板（14c）是通孔柱（14a）末端的组成部分，因此电容器通过其所在的通孔柱直接耦合至该第一导电结构（第二接地导体12）。这被对比文件直接公开。 |
| **G**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分《隐含公开》 | [2] 图6展示了包含三个谐振通孔（20， 22， 24）的电路模型，每个都是一个独立的LC谐振单元。[2] 图10展示了包含四个谐振通孔（CVIA1-4）的滤波器电路，它们通过传输线连接。 | 对比文件虽然未明确使用“多通孔电感器”这一术语，但其多个实施例（如图6、7、10）均公开了由多个通孔（每个都具有电感特性）通过导电结构（传输线）连接形成的网络。本领域技术人员可以毫无困难地从这些连接在一起的多个通孔结构中，推理出它们共同构成了一个具有多个电感分支的“多通孔电感器”。其中任何一个通孔（如20）都可视为“所述通孔”，而另一个通孔（如22）则可视为“第二通孔”，它们都至少部分穿过基板并共同构成该电感网络的一部分。因此，该特征被隐含公开。 |
| **H**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。《隐含公开》 | [2] 图6模型中，传输线T1连接通孔20和22， T2连接22和24， T3和T4提供外部连接。[2] “传输线T1， T2， T3和T4对第二导体（例如图1的导体12）内的传导路径进行建模。” | 基于特征G的推理，对比文件中由多个通孔和传输线构成的网络可以理解为“多通孔电感器”。在该网络中，存在多个导电结构（传输线，如T1， T2）。例如，将连接通孔20和22的传输线T1视为“第一导电结构”，将连接通孔22和24的传输线T2视为“第二导电结构”。那么，“第一导电结构”（T1）通过“第二通孔”（22）耦合至“第二导电结构”（T2）。整个电感网络确实包含了通孔（20， 22， 24）、第一导电结构（T1）和第二导电结构（T2）。因此，本领域技术人员可以从对比文件的电路布局中合理推断出该特征。 |
| **I**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。《直接公开》 | [2] “…布线层通过介电材料…彼此分离。”；[2] “电容器板14c…与主接地层10的顶表面10a间隔距离D3。…电容器板14b和主接地平面10之间的介电材料13…”；[2] “本发明的另一个目的是提供一种用于多层支撑结构的层间连接的装置和方法，其既利用了穿通孔的固有电感，又通过将其组合成谐振电路来补偿该电感。”；[2] “图3模型包括一个电感LV…和一个电容器CV…” | 1. **ILD层**：对比文件明确其多层结构中的“介电材料（dielectric materials）”层用于分离布线层，这完全符合“层间电介质（ILD）”层的定义和作用。电容器板（14c）位于这些介电层之间，即处于ILD层中。<br>2. **谐振电路**：对比文件的发明核心就是利用通孔的电感（LV）和末端与地形成的电容（CV）构成一个LC谐振电路（见图3及对应描述），以实现特定频率下的低阻抗连接。因此，“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”这一特征被直接且明确地公开。 |
| **J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。《未公开》 | 未提及。 | 对比文件列举的基板介电材料包括“酚醛树脂、环氧树脂、陶瓷、硅、二氧化硅或聚酰亚胺”，并未提及“玻璃”或“玻璃型基板”，也未提及“透玻通孔（TGV）”。该特征未被公开。 |
| **K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板《部分直接公开》 | [2] “…介电材料（dielectric materials）例如，酚醛树脂、环氧树脂、陶瓷、硅、二氧化硅或聚酰亚胺。” | 对比文件公开的基板材料列表中，“陶瓷”、“硅”、“二氧化硅”属于目标专利列举的“玻璃基板、石英基板…”等具体材料类型中的一部分（例如，二氧化硅是石英的主要成分，硅基板是常见类型）。因此，对比文件**直接公开**了目标专利基板材料选项中的一个子集（“硅”、“二氧化硅/石英”），但未公开全部具体类型（如SOI， GaAs等）。从公开性判断角度，该特征被部分直接公开。 |
| **L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者《隐含公开》 | [2] “…垂直的导电穿通孔（perpendicular conductive through-via）…”；[2] “…镀孔通孔（plated-hole via）42和46…” | 对比文件明确通孔是“导电的（conductive）”和“镀覆的（plated）”，这是本领域制造通孔的常规技术手段。虽然未明确列举Cu， W， Ag， Au，但本领域技术人员知晓，为了实现导电功能，通孔通常由金属填充，而Cu， Ag， Au等都是电子制造中常用的镀覆或填充金属。因此，可以合理推断对比文件中的导电通孔是金属填充的，且所用金属可能包括上述常见金属中的至少一种。该特征被隐含公开。 |
| **M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。《未公开》 | [2] “…介电材料（dielectric materials）例如，酚醛树脂、环氧树脂、陶瓷、硅、二氧化硅或聚酰亚胺。” | 对比文件列举了多种介电材料，其中包括“二氧化硅（SiO2）”。因此，目标专利电介质材料列表中的“二氧化硅(SiO2)”这一具体选项被对比文件**直接公开**。但其他材料（Si3N4， SiOxNy等）未被提及。从特征整体看，对比文件公开了其中一种具体物质。 |
| **N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。《未公开》 | 未提及。 | 对比文件描述的通孔是“导电穿通孔”或“镀孔通孔”，意味着其被导电材料（金属）填充以实现电连接。未提及通孔内部具有“聚合物核”。该特征未被公开。 |
| **O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。《未公开》 | [2] 附图2显示电容器板14c位于通孔柱14a的末端（底面）。 | 对比文件图2显示，电容器板（14c）附着在通孔柱（14a）的末端。从垂直投影角度看，电容器板（极板）和其下的电介质（13）是位于通孔柱末端表面（即“面向电介质的表面”）的下方。这可以理解为极板和电介质“垂直位于”通孔末端表面的“一部分”上。然而，目标专利该特征可能强调更精确的垂直对齐关系，对比文件图示虽支持此理解，但文字描述未明确提及“垂直位于…上”这种位置关系。从严格“毫无疑义”的直接公开标准判断，此特征未被文字明确公开。但从附图中可以毫无疑义地得出该位置关系。基于附图，应判断为直接公开。 |
| **P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。《未公开》 | [2] 图2显示电容器板14c（电容器）位于结构的上层区域，主接地10（可视为第一导电结构）位于最下层。通孔柱14a垂直穿过中间层。 | 对比文件图2的结构中，电容器板（14c）位于顶部（可视为第一表面附近），主接地层（10）位于底部（可视为第二表面）。通孔柱（14a）垂直贯穿。一条垂直于主接地层（第二表面）并穿过通孔柱的轴，将与电容器板（极板）、其下的电介质（13）以及主接地层（第一导电结构）相交。这符合该特征描述的空间关系。因此，该特征被对比文件附图2直接公开。 |
| **Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。《直接公开》 | [2] “…垂直的导电穿通孔（perpendicular conductive through-via）…”；[2] 附图2显示通孔柱14a垂直于各层平面延伸，其末端连接电容器板14c。 | 对比文件明确通孔是“垂直的（perpendicular）”，结合附图2，通孔柱14a垂直于基板（介电层）平面延伸。电容器板14c附着在其末端，因此通孔的垂直轴线必然会穿过电容器板14c所在的区域。该特征被直接公开。 |
| **R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》 | 未提及。 | 对比文件未描述通孔末端表面与电容器板（极板）表面的相对大小关系。该特征未被公开。 |
| **S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。《未公开》 | 未提及。 | 对比文件未描述通孔末端表面与电容器板（极板）表面的相对大小关系。该特征未被公开。 |
| **T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》 | 未提及。 | 对比文件未描述通孔末端表面与电容器板（极板）表面的相对大小关系。该特征未被公开。 |
| **U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。《未公开》 | 未提及。 | 对比文件描述的电容器仅由电容器板、单一介电层（13）和主接地层构成，未提及在通孔与所述电介质之间还存在额外的“第二电介质”。该特征未被公开。 |
| **V**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。《未公开》 | 未提及。 | 对比文件中的通孔通常是贯穿整个介电层厚度的“穿通孔（through-via）”（见图2描述），未描述“部分地延伸穿过基板”并在基板内结合的通孔。其多通孔结构是通过顶部导体层（传输线）连接，而非在基板内部结合。该特征未被公开。 |
| **W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。《直接公开》 | [2] “…垂直的导电穿通孔（perpendicular conductive through-via）从一个层延伸，穿过电介质，到达另一层。”；[2] 附图2显示电容器板14c位于通孔柱14a的末端（下方）。 | 1. **通孔延伸穿过基板**：对比文件明确通孔是“穿通孔（through-via）”，从一个层延伸穿过电介质（基板）到达另一层，即延伸穿过基板。<br>2. **垂直位于...上**：如特征O和P的论述，附图2清楚地显示电容器板（极板）及其下方的电介质层，在垂直方向上位于通孔柱（14a）末端部分的下方。即，极板和电介质“垂直位于”通孔（的末端部分）“上”。该特征被直接公开。 |
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