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对比文件列表
1996-05-31_None_发明专利_JPH08138381A Semiconductor integrated circuit device, fabrication thereof and internal voltage generation circuit_+++D_E_I_L_a_f_j_m+++.docx
2026-03-24 23:46
1996-12-10_US5583457A_发明授权_US5583457A Semiconductor integrated circuit device having power reduction mechanism_+++A_f+++.docx
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1997-02-19_CN1143314A_发明公开_CN1143314A 含药物的粘着复合的透皮给药药贴_+++A_a+++.docx
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1998-05-12_US5751651A_发明授权_US5751651A Semiconductor integrated circuit device having a hierarchical power source configuration_+++A_D_F_G_L_b_c_i_j_m+++.docx
2026-03-24 23:46
1998-09-01_US5801576A_发明授权_US5801576A Semiconductor integrated circuit device having a hierarchical power source configuration_+++A_B_C_D_E_F_G_J_h_i+++.docx
2026-03-24 23:46
1998-10-27_US5828235A_发明授权_US5828235A Semiconductor integrated circuit device having power reduction mechanism_+++A_F_d_e_g+++.docx
2026-03-24 23:46
2000-04-04_US6046604A_发明授权_US6046604A Semiconductor integrated circuit device having power reduction mechanism_+++A_F_I_L_b+++.docx
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2000-04-21_JP2000114952A_发明专利_JP2000114952A Semiconductor integrated circuit_+++A_f+++.docx
2026-03-24 23:46
2000-07-18_US6091656A_发明授权_US6091656A Semiconductor integrated circuit device having a hierarchical power source configuration_+++A_b_f+++.docx
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2001-01-16_US6175251B_发明授权_US06175251B1 Semiconductor integrated circuit device having power reduction_+++A_b_i_j_l_m+++.docx
2026-03-24 23:46
2001-06-21_US2001004218A_发明申请_US20010004218A1 Semiconductor integrated circuit device having power reduction mechanism_+++A_B_I_J_L_M_c+++.docx
2026-03-24 23:46
2001-08-28_US6281711B_发明授权_US06281711B1 Semiconductor integrated circuit device having power reduction mechanism_+++a+++.docx
2026-03-24 23:46
2002-07-04_US2002084804A_发明申请_US20020084804A1 Semiconductor integrated circuit device having power reduction mechanism_+++A_D_F_b_c_e_i_l+++.docx
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2003-03-06_US2003042965A_发明申请_US20030042965A1 Semiconductor device_+++A_D_F_J_b_c_e_k+++.docx
2026-03-24 23:46
2003-03-27_US2003058002A_发明申请_US20030058002A1 Semiconductor integrated circuit device having power reduction mechanism_+++A_b_j_k+++.docx
2026-03-24 23:46
2003-05-23_JP2003152096A_发明专利_JP2003152096A Semiconductor device_+++A_b_c_i_j_k+++.docx
2026-03-24 23:46
2004-04-15_US2004070425A_发明申请_US20040070425A1 Semiconductor integrated circuit device having power reduction mechanism_+++A_D_L_b_c_f_j_k_m_n+++.docx
2026-03-24 23:46
2004-09-14_US6791369B_发明授权_US06791369B1 Clock presence detector comparing differential clock to common-mode voltage_+++A_B_J+++.docx
2026-03-24 23:46
2005-09-29_US2005213414A_发明申请_US20050213414A1 Semiconductor integrated circuit device having power reduction mechanism_+++A_F_b_c_i_j_l_m+++.docx
2026-03-24 23:46
2007-01-11_US2007007997A_发明申请_US20070007997A1 Charge recycling power gate_+++a+++.docx
2026-03-24 23:46
2007-05-22_US7221190B_发明授权_US07221190B2 Differential comparator with extended common mode voltage range_+++B_H_I_a+++.docx
2026-03-24 23:46
2008-03-20_US2008072085A_发明申请_US20080072085A1 Semiconductor integrated circuit device having power reduction mechanism_+++A_D_F+++.docx
2026-03-24 23:46
2009-01-08_US2009009236A_发明申请_US20090009236A1 Step-down circuit with stabilized output voltage_+++a_d_f+++.docx
2026-03-24 23:46
2011-10-04_US8030999B_发明授权_US08030999B2 Low voltage operational transconductance amplifier circuits_+++A_f+++.docx
2026-03-24 23:46
2011-12-20_US8081097B_发明授权_US08081097B2 Analog-to-digital converter and related calibrating comparator_+++A_b_j_k+++.docx
2026-03-24 23:46
JP2012227588A_Description_20260320_0247_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_k+++.docx
2026-03-24 23:46
1997-02-19_CN1143314A_发明公开_CN1143314A 含药物的粘着复合的透皮给药药贴_+++A_a+++.docx

**对比文件名称**:1997-02-19_CN1143314A_发明公开_CN1143314A 含药物的粘着复合的透皮给药药贴

**目标专利名称**:用于扩展信号比较电压范围的电路和方法 CN105009451B

**本次调用模型名称**:DeepSeek-R1

作为资深专利代理师,在仔细研读目标专利说明书和权利要求书,并深入分析对比文件CN1143314A的全部内容后,现进行特征比对和公开性判断如下:

目标专利涉及一种用于扩展比较器电压范围的电子电路,其核心在于通过受时钟控制的升压电路动态地偏置比较器的接地参考节点或电源参考节点,从而在不提高电源电压的前提下扩展比较器的有效输入电压范围。对比文件CN1143314A则完全涉及透皮给药药贴的制造领域,具体公开了一种通过将凝胶状药物挤压到粘着层上并压合来制备药贴的方法。两个文件属于截然不同的技术领域,对比文件的内容完全不涉及任何电子电路、比较器、锁存器、晶体管、时钟控制、电压偏置等技术概念。

以下将严格按照目标专利权利要求的技术特征划分进行比对。

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A:所述电路包括:锁存电路** <br>**判断结果:未公开**对比文件全文未提及“锁存电路”或任何具有锁存功能的电子部件或结构。锁存电路是数字电路或特定模拟电路中的基本单元,用于存储二进制状态。对比文件涉及的是透皮给药药贴的物理叠层结构(如衬垫物、粘着层、药物凝胶层),其描述的“压合”、“结合”等是机械加工过程,与电子电路中的“锁存”功能在技术领域、工作原理和作用上完全不同。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或推理出任何形式的锁存电路。
**技术特征B:响应于差分输入信号对的比较器,所述比较器耦合至所述锁存电路并耦合至具有动态电压的节点** <br>**判断结果:未公开**对比文件全文未提及“比较器”、“差分输入信号”、“耦合”或具有动态电压特性的“节点”。比较器是用于比较两个电压或电流信号的模拟或混合信号电路。对比文件中描述的是药物通过皮肤扩散的物理过程,以及药贴各层之间的物理接触关系(如“压合至”)。其中“节点”在电子电路中特指电路连接点,而在对比文件的语境下,“接合处”是指物理层面的结合部位。二者在技术领域、物理本质和所起作用上毫无共通之处。本领域技术人员无法从药贴结构中推理出电子比较器及其连接关系。
**技术特征C:受时钟控制升压电路,其耦合至所述节点并被配置成经由偏置所述节点来扩展所述比较器的供电电压范围** <br>**判断结果:未公开**对比文件全文未提及“时钟控制”、“升压电路”、“偏置节点”或“扩展供电电压范围”。受时钟控制升压电路是典型的主动电子电路,用于在特定时序下产生高于电源或低于地的电压。对比文件涉及的“压合”是制造步骤,“促进剂”是化学物质,均与电子时序控制和电压变换无关。其“挤压”动作是机械的、一次性的生产过程,而非受控于周期性时钟信号的电路行为。两者技术领域和实现手段相隔甚远,不存在任何公开或暗示。
**技术特征D:其中所述受时钟控制升压电路包括:耦合在电源电压与接地之间的第一反相器** <br>**判断结果:未公开**对比文件全文未提及“反相器”、“电源电压”、“接地”或电子元件之间的“耦合”。反相器是数字集成电路的基本逻辑门,由晶体管构成。对比文件中的物质材料(如聚酯、粘着剂、尼古丁、HPC)和工艺步骤完全不涉及任何形式的电子逻辑电路或电压反转功能。本领域技术人员阅读对比文件后,不可能联想到其中会包含或隐含一个由晶体管构成、连接在电源和地之间的反相器。
**技术特征E:其中所述第一反相器响应于时钟信号并且其中所述第一反相器的输出耦合至电容器的第一端子** <br>**判断结果:未公开**对比文件全文未提及“时钟信号”,也未描述任何电子“电容器”或其“端子”与逻辑电路的输出相连接。时钟信号是周期性变化的电信号,用于同步电路操作。电容器在电子电路中用于储存电荷、滤波、耦合等。对比文件中提到的“容器”是储存药物或混合物的物理容器,并非电子元件。文件内容与电子时序信号和电容器的电路连接功能无关。
**技术特征F:第二反相器,用于接收所述时钟信号并响应于所述时钟信号而生成反相时钟信号** <br>**判断结果:未公开**对比文件全文未提及“第二反相器”或“反相时钟信号”。理由同特征D和E。对比文件描述的是化学制剂的制备和药贴的机械组装,不存在对电信号进行逻辑反相处理的电路或需求。
**技术特征G:开关,其响应于所述反相时钟信号并被配置成选择性地将所述电容器的第二端子耦合至接地。** <br>**判断结果:未公开**对比文件全文未提及由电信号控制的“开关”,也不存在将电子元件“选择性地耦合至接地”的概念。“开关”在对比文件中可能指代可揭掉的“衬里”,但这是物理隔绝层,其“揭掉”是手动机械操作,并非响应于电信号(反相时钟信号)而自动、选择性地导通电路。功能和作用机制完全不同。
**技术特征H:其特征在于,所述节点被偏置为低于接地的电压。** <br>**判断结果:未公开**对比文件全文未提及任何电路“节点”、“偏置”或“低于接地的电压”(即负电压)。将电路节点偏置到负电压是电子工程中用于扩展信号摆幅的特定技术手段。对比文件讨论的是药贴中药物含量的浓度和扩散速率,其“含量”或“浓度”是化学概念,与电路节点的电压偏置无关。
**技术特征I:其特征在于,所述节点提供所述比较器的接地参考。** <br>**判断结果:未公开**对比文件全文未提及“比较器”,因此也不可能公开为比较器提供“接地参考”的节点。在电子电路中,“接地参考”是电压测量的基准点。对比文件中药贴的“近侧”或“皮肤侧”是给药方向,并非电路的电压参考点。概念上无法对应。
**技术特征J:其特征在于,所述比较器包括:耦合至所述节点并响应于所述差分输入信号对的第一输入信号的第一晶体管** <br>**判断结果:未公开**对比文件全文未提及“晶体管”,也未提及任何器件“响应于差分输入信号”。晶体管是半导体有源器件,是构成比较器核心的电子元件。对比文件中的“粘着剂”、“凝胶”、“促进剂”等均为化学材料或制剂,不具备放大或开关电信号的功能。两者属于完全不同的物质体系和功能体系。
**技术特征K:耦合至所述节点并响应于所述差分输入信号对的第二输入信号的第二晶体管,其中所述比较器的输出指示通过所述第一晶体管至所述接地参考的第一放电速率是否超过通过所述第二晶体管至所述接地参考的第二放电速率。** <br>**判断结果:未公开**对比文件全文未提及“第二晶体管”,也未描述通过晶体管的“放电速率”比较来决定输出。该特征描述了动态锁存比较器具体的工作原理:通过两个晶体管对预充电节点的放电速率差来判定输入信号大小。对比文件中虽然提到了药物通过皮肤的“扩散速率”或“流量”,但这是分子在膜中的被动扩散现象,与受控于栅极电压的晶体管主动放电的电子过程在原理上毫无相似性。
**技术特征L:其特征在于,所述节点提供所述比较器的供电参考。** <br>**判断结果:未公开**对比文件全文未提及“比较器”,因此也不可能公开为比较器提供“供电参考”的节点。同特征I,电路中的“供电参考”(如Vdd)与药贴结构中的任何层(如“远侧衬垫物”)在功能和概念上均无关联。
**技术特征M:其特征在于,所述比较器包括:耦合至所述节点并响应于第一输入信号的第一晶体管** <br>**判断结果:未公开**对比文件全文未提及“比较器”或“晶体管”。同特征J。即使考虑特征M和N是PMOS比较器配置(图4),其核心仍然是晶体管电路。对比文件完全没有公开任何晶体管结构。
**技术特征N:耦合至所述节点并响应于第二输入信号的第二晶体管,其中所述比较器的输出指示通过所述第一晶体管至所述供电参考的第一充电速率是否超过通过所述第二晶体管至所述供电参考的第二充电速率。** <br>**判断结果:未公开**对比文件全文未提及“晶体管”,也未描述通过晶体管的“充电速率”比较来决定输出。同特征K。这是另一种比较器架构(基于PMOS上拉充电)的工作原理。对比文件中物质的“吸收”、“溶解”或“混合”过程,与晶体管在饱和区或三极管区对电容节点的充电这一受控电子过程,在技术原理上截然不同。

### 总结与结论

经过逐项严谨比对,对比文件CN1143314A(含药物的粘着复合的透皮给药药贴)所公开的全部内容均属于透皮给药制剂领域,涉及药物配方、粘着材料、多层压合制造工艺等。目标专利CN105009451B的权利要求所限定的全部技术特征(A至N)均涉及电子电路领域,具体为包含锁存器、比较器、晶体管、反相器、电容器、时钟控制等元件的特定电路结构及其工作原理。

**判断结果**:对比文件CN1143314A既未直接公开,也未隐含公开目标专利权利要求中的任何一个技术特征。本领域技术人员阅读对比文件后,不可能毫无疑义地得出,也不可能通过任何合理的推理联想到目标专利所要求保护的电路方案。两个文件之间不存在任何技术启示或结合的可能性。

因此,根据指令,不在回答结尾插入任何表示技术特征被公开的代码(即不插入<<<A>>>、<<<a>>>等任何代码)。

权利要求与技术特征
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