**对比文件名称**：2013-06-17_JP2013524515A_发明专利_JP2013524515A Manufacturing a magnetic tunnel junction memory element
**目标专利名称**：CN106104830B 用于多步骤磁性隧道结(MTJ)蚀刻的替代导电硬掩模
**本次调用的模型名称**：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：第二电极层上的第一导电硬掩模，所述第二电极层在MTJ层堆叠上并电耦合至所述MTJ层堆叠** <br>**未被公开** | 对比文件描述了“上部電極またはハードマスク層３１６（たとえば、タンタル）が、フリー層３１４の上に形成される”（例如，上部电极或硬掩模层316（例如，钽）形成在自由层314上）（段落[2]）。以及“ハードマスク層５１６”（图5A-D及相关描述）。 | 在对比文件中，硬掩模层（516）直接形成在调整层（515）或自由层（514）上，其本身充当顶部电极，用于后续蚀刻的掩蔽。目标专利中的“第一导电硬掩模”对应于其顶部电极/硬掩模，但目标专利明确区分了“第二电极层”（即顶部电极508）和其上的“第一导电硬掩模”（512）。对比文件未公开在MTJ堆叠的顶部电极（第二电极层）之上还有一个独立的“第一导电硬掩模”这一分层结构。因此，技术特征A未被对比文件公开。 |
| **B：所述第一导电硬掩模的侧壁、所述第二电极层的侧壁以及所述MTJ层堆叠的表面上的第一间隔体** <br>**《直接公开》** | “１つまたは複数のスペーサ層６０２、６０４、およびパッシベーション層６０６が、ＭＴＪ積層体５００の上に形成される”（一个或多个间隔体层602、604和钝化层606形成在MTJ堆叠500上）（段落[2]）。以及“スペーサ層６０２、６０４が、ハードマスク層５１６、調整層５１５、およびフリー層５１４の側壁を保護する”（间隔体层602、604保护硬掩模层516、调整层515和自由层514的侧壁）（段落[2]，对应图6A-D）。 | 对比文件明确公开了在蚀刻硬掩模层（对应于目标专利的第一导电硬掩模/顶部电极）和其下方的层（自由层等，对应于MTJ层堆叠的一部分）之后，形成间隔体层（602、604）以覆盖和保护这些层的侧壁。这与目标专利中“第一间隔体”（510）覆盖第一导电硬掩模（512）、第二电极层（508）以及MTJ层堆叠（506）表面的作用完全相同，都是用于在后续蚀刻步骤中提供侧壁保护。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **C：与所述第一间隔体的侧壁对准的第二导电硬掩模，所述第二导电硬掩模在所述第一导电硬掩模和所述第一间隔体上，** <br>**未被公开** | 对比文件未描述在已有的硬掩模层（516）和间隔体层（602/604）之上，再形成一个与之侧壁对准的第二导电硬掩模。其硬掩模层（516）是单层结构。 | 目标专利的核心改进之一是通过选择性去除第一间隔体的顶部并在形成的凹槽中填充导电材料，从而形成与第一间隔体侧壁对准的“第二导电硬掩模”（518）。对比文件的制造工艺中不存在这一步骤和结构。对比文件的蚀刻掩蔽始终依赖于初始的硬掩模层（516）以及覆盖其侧壁的间隔体（602/604），没有在间隔体侧壁上形成额外的导电硬掩模。因此，技术特征C未被对比文件公开。 |
| **D：其中所述第二导电硬掩模被安排成与所述第一导电硬掩模和所述第二电极层交叠并且其中所述MTJ层堆叠的横向尺寸与所述第二导电硬掩模的横向尺寸对准。** <br>**未被公开** | 对比文件中，硬掩模层（516）的图案直接定义了下方各层（调整层、自由层等）的蚀刻边界（参见图5C-D，图6D）。 | 由于对比文件根本不存在“第二导电硬掩模”，因此也就不存在该特征所描述的交叠关系和对准关系。在对比文件中，MTJ堆叠的横向尺寸是由初始的硬掩模层（516）定义的，而非由另一个后续形成的硬掩模定义。因此，技术特征D未被对比文件公开。 |
| **E：其特征在于，所述第二导电硬掩模电耦合至所述第一导电硬掩模。** <br>**未被公开** | 对比文件未描述第二导电硬掩模。 | 同技术特征C、D，由于对比文件未公开“第二导电硬掩模”，因此其与第一导电硬掩模的电耦合关系自然也未被公开。因此，技术特征E未被对比文件公开。 |
| **F：其特征在于，所述第二导电硬掩模是由钽、铪和铂构成的组中的材料。** <br>**未被公开** | 对比文件提到硬掩模层可以是“タンタル”（钽）（段落[2]），但这是针对其唯一的硬掩模层（516）而言。 | 尽管对比文件的硬掩模层材料可能包含钽，但这指的是其“第一”硬掩模层。目标专利中由钽、铪、铂构成的是“第二导电硬掩模”。由于对比文件未公开第二导电硬掩模，因此该材料特征也未被公开。因此，技术特征F未被对比文件公开。 |
| **G：其特征在于，所述第一间隔体的厚度在10纳米与50纳米之间。** <br>**未被公开** | 对比文件未提及间隔体层（602/604）的具体厚度范围。 | 对比文件虽然公开了间隔体层，但并未给出其厚度的具体数值范围。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该间隔体厚度在10-50纳米之间。因此，技术特征G未被对比文件公开。 |
| **H：其特征在于，所述第一间隔体上的第一介电层是SiNx材料。** <br>**未被公开** | 对比文件中，在间隔体（602/604）上形成有“パッシベーション層６０６”（钝化层606），其材料可以是“ＳｉＮ”（段落[2]）。 | 目标专利的“第一介电层”（514）是用于后续平坦化和形成凹槽的牺牲层，材料为SiOx（参见说明书[0048]）。而对比文件的“钝化层606”虽然位于间隔体上且材料可为SiN，但其作用是在后续蚀刻中增强保护，类似于目标专利中“第二介电层”前的保护层，并非用于形成凹槽的牺牲层。两者在结构和工艺作用上不同。因此，技术特征H未被对比文件公开。 |
| **I：其特征在于，进一步包括电耦合至所述MTJ层堆叠的第一电极层。** <br>**《直接公开》** | “従来のＭＴＪ記憶素子は一般に、Ｓｉ基板のような下部電極３０２の上に形成される”（常规的MTJ存储元件通常形成在诸如Si衬底的下部电极302上）（段落[2]）。图5A-D中也显示了基板/下部电极（502）。 | 对比文件明确公开了MTJ堆叠形成在下部电极（302或502）上，该下部电极与MTJ堆叠电耦合，这对应于目标专利中的“第一电极层”（504）。因此，技术特征I被对比文件直接公开。 |
| **J：其特征在于，进一步包括所述第一电极层和所述第二导电硬掩模上的第二间隔体。** <br>**《直接公开》** | 如图6D所示，在蚀刻下部层（バリア層５１２、ピンド層、ＡＦＭ層５０４）后，スペーサ層（602，604）仍然覆盖在硬掩模层（516）和下部结构（包括第一电极层）的侧壁上。 | 对比文件公开了在完成对MTJ堆叠中更下层的蚀刻后，间隔体层（602，604）仍然存在并覆盖在硬掩模层（相当于第一导电硬掩模）和下部电极层（相当于第一电极层）的侧壁及部分表面上。这对应于目标专利中在第二蚀刻步骤后形成的“第二间隔体”（526）所覆盖的部分区域。因此，技术特征J被对比文件直接公开。 |
| **K：其特征在于，进一步包括所述MTJ层堆叠的侧壁上、所述第一间隔体的侧壁上以及所述第二导电硬掩模的侧壁上的所述第二间隔体。** <br>**《直接公开》** | 如段落[2]及图6D所述，スペーサ層（602，604）覆盖了硬掩模层（516）、调整层（515）、自由层（514）以及下方蚀刻后形成的结构的侧壁。 | 对比文件中的间隔体层在工艺完成后，确实覆盖了由硬掩模层定义的堆叠（包括自由层、势垒层、钉扎层等，即MTJ层堆叠）的侧壁，同时也覆盖了其自身的侧壁（即第一间隔体的侧壁）以及硬掩模层的侧壁。这与目标专利中“第二间隔体”（526）的覆盖范围和作用一致。因此，技术特征K被对比文件直接公开。 |
| **L：其特征在于，进一步包括所述第二间隔体上的第二介电层。** <br>**《直接公开》** | “ＩＬＤ層７１８が被覆層７０２の上に堆積される”（ILD层718堆積在被覆层702上）（段落[2]，图7B）。在此之前，“被覆層”（702）已堆積在间隔体/MTJ堆叠上（图7A）。 | 对比文件在间隔体（602/604）和MTJ堆叠上依次形成了被覆层（702）和ILD层（718）。被覆层（702）和ILD层（718）共同起到了目标专利中“第二介电层”（528）的介电填充和隔离作用。因此，技术特征L被对比文件直接公开。 |
| **M：其特征在于，进一步包括延伸通过所述第二间隔体和所述第二介电层并电耦合至所述第二导电硬掩模的导电互连。** <br>**《直接公开》** | “金属層７０４が上部電極またはハードマスク層５１６と接触するように、金属層７０４がＭＴＪ積層体の上に堆積される”（金属层704堆積在MTJ堆叠上，以便与上部电极或硬掩模层516接触）（段落[2]，图7C-D）。这需要通过蚀刻打开ILD层（718）和被覆层（702）来实现。 | 对比文件公开了在完成介电层（ILD 718/被覆层702）沉积和平坦化后，形成金属互连（704）与硬掩模层（516）电连接。这必然意味着该金属互连延伸穿过了覆盖在其上的介电层。这对应于目标专利中延伸通过第二介电层（528）和第二间隔体（526）并电耦合至第二导电硬掩模（518）的导电互连（530）。因此，技术特征M被对比文件直接公开。 |
| **N：其特征在于，所述MTJ装置被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。** <br>**《直接公开》** | “記憶デバイスは、携帯電話、ポータブルコンピュータ、携帯型パーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末（ＰＤＡ）のようなポータブルデータユニット、ＧＰＳ対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、計測機器のような固定位置データユニット...の中に、含まれ得る”（存储设备可以包含在移动电话、便携式计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、诸如PDA的便携式数据单元、GPS设备、导航设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、诸如测量仪器的固定位置数据单元...中）（段落[2]）。 | 对比文件明确列举了其MTJ存储元件可被集成到的设备种类，该列表涵盖了目标专利权利要求N中列举的全部或绝大部分设备类型。两者的用途描述实质相同。因此，技术特征N被对比文件直接公开。 |
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