对比文件名称：发明专利_JPH09213071A Semiconductor memory
目标专利名称：用于存储器的自刷新的方法及相关设备（说明书）
本次调用模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：《直接公开》**<br>包括：在所述存储器控制器处，接收对动态随机存取存储器DRAM的最新近的DRAM触发的自刷新循环的自刷新区间的剩余部分的指示，其中在所述睡眠操作模式期间所述DRAM的自刷新循环是至少部分地基于所述DRAM的自刷新区间来周期性地触发的，并且其中所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分小于所述自刷新区间。 | 段落[0040]：“外部のアクセス装置は、ＳＲＦイグジットコマンドを入力したとき、セルフリフレッシュ解除時点におけるタイマカウンタＴＣＴＲの計数値を１００ｎｓの２の８乗倍つまり２５．６μｓの分解度で識別し、セルフリフレッシュコントローラＳＲＦＣがリフレッシュ動作が現在実行中でありあるいは残りどの程度の時間で開始するかを識別することができる…”<br>（译文：外部访问装置在输入SRF退出命令时，能够以100ns的2的8次方倍即25.6μs的分辨率识别自刷新解除时点定时器计数器TCTR的计数值，从而能够识别自刷新控制器SRFC的刷新动作是当前正在执行，还是将在剩余多长时间后开始…） | 对比文件公开了在自刷新模式解除时（对应于存储器控制器从睡眠模式唤醒），外部访问装置（其作用等同于目标专利的存储器控制器）能够从DRAM（具体为自刷新控制器SRFC）获取一个计数值（TCTR的输出信号TC9~TC16），该计数值用于指示“刷新动作…将在剩余多长时间后开始”。这直接对应于目标专利中“自刷新区间的剩余部分”的指示。该剩余时间必然小于完整的自刷新周期（否则刷新应立即开始），因此“剩余部分小于自刷新区间”也必然成立。该指示的目的是让外部控制器了解DRAM内部刷新状态，以便高效调度后续访问，这与目标专利中避免不必要刷新的作用实质相同。 |
| **技术特征B：《隐含公开》**<br>在所述存储器控制器中，对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分计时。 | 段落[0040]（同上）及段落[0040]：“…セルフリフレッシュ解除後のアクセスを高速化し、その後のリフレッシュ動作を効率良く行うことができる。”<br>（译文：…可以加速自刷新解除后的访问，并能高效地进行之后的刷新动作。） | 对比文件明确外部访问装置接收了指示“剩余多长时间后开始”刷新动作的计数值。为了“高效地进行之后的刷新动作”（如段落[0040]所述），本领域技术人员必然理解，外部访问装置需要基于接收到的这个剩余时间信息进行某种形式的计时或等待，以确定何时可以安全发起访问或何时需要自己触发刷新。虽然对比文件未明确描述外部装置内部进行倒计时的具体电路，但根据其接收时间信息并用以控制后续操作的技术教导，进行计时是隐含的、必然的技术手段。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征C：《隐含公开》**<br>响应于对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分计时而从所述存储器控制器触发所述DRAM中的初始刷新循环。 | 段落[0040]：“…その後のリフレッシュ動作を効率良く行うことができる。また、リフレッシュをセルフリフレッシュモードからいわゆるオートリフレッシュモードへの切り換え時も、読み出されたタイマカウンタＴＣＴＲの出力信号ＴＣ９〜ＴＣ１６をもとに外部のリフレッシュカウンタを初期セットし、効率的なリフレッシュを実現することができる。”<br>（译文：…并能高效地进行之后的刷新动作。此外，在从自刷新模式切换到所谓的自动刷新模式时，也可以基于读取出的定时器计数器TCTR的输出信号TC9~TC16来对外部的刷新计数器进行初始设定，从而实现高效的刷新。） | 对比文件指出，在从自刷新模式切换到自动刷新模式时，可以基于从DRAM读取的定时器计数值（即剩余时间信息）来“对外部的刷新计数器进行初始设定”，目的是实现“高效的刷新”。本领域技术人员可以合理推断，这种“初始设定”意味着外部控制器（存储器控制器）将其内部的刷新定时器设置为与DRAM内部刷新状态同步的值，从而避免立即触发一个不必要的刷新。当该设定的时间计满（即对剩余部分计时完成）时，外部控制器将触发退出自刷新模式后的首次（即“初始”）刷新循环。这个过程在逻辑上隐含了“响应于对剩余部分计时而触发初始刷新循环”。 |
| **技术特征D：《未公开》**<br>对所述存储器控制器的空闲时段计时。 | 未找到相关内容。 | 对比文件全文未提及对存储器控制器或外部访问装置的空闲时段进行计时。DRAM进入自刷新模式是由外部输入特定的“SRF进入命令”触发的，而非基于控制器检测到的空闲时间阈值。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征E：《未公开》**<br>以及<br>响应于对所述空闲时段的计时超过阈值，而将所述存储器控制器从所述活跃操作模式转换回到所述睡眠操作模式。 | 未找到相关内容。 | 如技术特征D所述，对比文件未公开基于空闲计时的模式转换。DRAM退出自刷新模式（对应于控制器进入活跃模式）和再次进入自刷新模式（对应于控制器进入睡眠模式）均由外部命令控制，而非基于空闲定时器超时。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征F：《直接公开》**<br>进一步包括：<br>其中在所述存储器控制器处接收对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分的所述指示包括从所述DRAM中的寄存器读取所述指示。 | 段落[0040]：“…データ入出力回路ＩＯは、セルフリフレッシュコントローラＳＲＦＣのタイマカウンタＴＣＴＲの出力信号ＴＣ９〜ＴＣ１６を選択して、データ入出力端子Ｄ０〜Ｄ７から外部のアクセス装置に出力する。”<br>（译文：…数据输入输出电路IO选择自刷新控制器SRFC的定时器计数器TCTR的输出信号TC9~TC16，从数据输入输出端子D0~D7输出到外部的访问装置。） | 对比文件明确记载，在接收到特定命令（SRF退出命令）后，DRAM内部的自刷新控制器SRFC将其定时器计数器TCTR的特定比特位（TC9~TC16）的输出信号，通过数据输入输出端子（D0~D7）输出给外部访问装置。虽然未明确使用“寄存器”一词，但定时器计数器TCTR是存储并输出当前计数值的电路单元，其功能等同于一个存储当前时间状态（包括剩余时间信息）的寄存器。外部访问装置通过读取这些端子上输出的信号来获取指示，这直接对应于目标专利的“从DRAM中的寄存器读取所述指示”。 |
| **技术特征G：《隐含公开》**<br>进一步包括：<br>在所述初始刷新循环的触发之后，根据刷新区间来周期性地触发所述DRAM的附加的存储器控制器触发的刷新循环。 | 段落[0040]：“…その後のリフレッシュ動作を効率良く行うことができる。”及背景技术中描述的常规自动刷新模式。 | 对比文件描述了在从自刷新模式切换到自动刷新模式时，基于读取的计数值实现高效刷新。本领域技术人员公知，在自动刷新模式下，存储器控制器（即外部访问装置）需要周期性地向DRAM发送刷新命令以维持数据。因此，在完成基于剩余时间触发的“初始”刷新循环（如特征C所隐含）之后，控制器必然会按照标准的刷新区间周期性地触发后续的刷新循环，这是DRAM正常工作的基本要求。对比文件虽未明文写出“周期性”，但其描述的“高效地进行之后的刷新动作”以及本领域的公知常识，足以隐含公开此特征。 |
| **技术特征H：《隐含公开》**<br>其中，所述刷新区间等于所述自刷新区间。 | 段落[0035]：“一連のリフレッシュ動作が繰り返される周期ｔ２は、前述のように、セルフリフレッシュコントローラＳＲＦＣのタイマカウンタＴＣＴＲの計数値をもとに設定され、メモリセルの情報保持特性に対応した例えば６４ｍｓとされる。”<br>（译文：一系列刷新动作重复的周期t2，如前所述，基于自刷新控制器SRFC的定时器计数器TCTR的计数值设定，是与存储器单元的信息保持特性对应的例如64ms。） | 对比文件明确指出，DRAM在自刷新模式下的刷新周期t2（即自刷新区间）是基于其内部定时器计数器TCTR设定的（例如64ms）。而在切换到自动刷新模式时，外部控制器需要基于读取的同一个TCTR的计数值来初始化其外部刷新计数器（段落[0040]），以实现高效刷新。本领域技术人员可以合理推断，为了使内部自刷新和外部控制的自动刷新无缝衔接、避免冲突，外部控制器在自动刷新模式下所使用的刷新区间应当与DRAM在自刷新模式下使用的自刷新区间保持一致（例如都是64ms）。虽然未明文写出“相等”，但这是实现“高效刷新”和状态同步的必然且合理的隐含技术方案。 |
| **技术特征I：《未公开》**<br>进一步包括：<br>响应于对所述DRAM的温度的指示而减小所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分。 | 未找到相关内容。 | 对比文件全文未提及任何与温度相关的刷新控制。其刷新周期是基于固定的信息保持时间（如64ms）设定的，未讨论根据温度调整刷新间隔或剩余时间。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
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