对比文件名称：2005-11-16_发明公开_CN1697314A 抽样信号放大器
目标专利名称：无削减信号包络地提升放大器增益CN107852138B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A. 包括：差分级，包括第一晶体管，所述第一晶体管具有电连接到第一差分输入的控制端子和电连接到第一差分输出的输出端子**<br>《直接公开》 | 图4及说明书第[0016]段：“抽样差分放大器1处于差分放大器的形式。...抽样差分放大器1包含信号放大晶体管N1、 N1'...信号放大晶体管N1、 N1'的栅极连接端与节点9-1、9-2相连，其中抽样电容器CA、 CA连接在信号输入2和每一个节点9之间。...信号放大晶体管N1、 N1'的漏极连接端与节点10-1、10-2相连。抽样差分放大器1的输出信号连接端3-1、3-2分支到节点10-1、10-2。” | 对比文件公开了差分放大器（差分级），其包含信号放大晶体管N1（即第一晶体管）。晶体管N1的栅极（控制端子）通过抽样电容器CA连接到信号输入2-1（第一差分输入）。晶体管N1的漏极（输出端子）连接到节点10-1，该节点也是输出信号连接端3-1（第一差分输出）的分支点。因此，对比文件直接公开了包含第一晶体管的差分级，且该第一晶体管的控制端子连接至第一差分输入，输出端子连接至第一差分输出。 |
| **B. 所述差分级进一步包括第二晶体管，所述第二晶体管具有电连接到第二差分输入的控制端子和电连接到第二差分输出的输出端子**<br>《直接公开》 | 图4及说明书第[0016]段：“抽样差分放大器1处于差分放大器的形式。...抽样差分放大器1包含信号放大晶体管N1、 N1'...信号放大晶体管N1、 N1'的栅极连接端与节点9-1、9-2相连，其中抽样电容器CA、 CA连接在信号输入2和每一个节点9之间。...信号放大晶体管N1、 N1'的漏极连接端与节点10-1、10-2相连。抽样差分放大器1的输出信号连接端3-1、3-2分支到节点10-1、10-2。” | 对比文件明确公开了差分放大器包含一对信号放大晶体管N1和N1'（即第二晶体管）。晶体管N1'的栅极（控制端子）通过另一个抽样电容器CA连接到信号输入2-2（第二差分输入）。晶体管N1'的漏极（输出端子）连接到节点10-2，该节点也是输出信号连接端3-2（第二差分输出）的分支点。因此，对比文件直接公开了差分级包括第二晶体管，且其连接关系符合特征B的描述。 |
| **C. 第一偏置晶体管，具有电连接到所述第一晶体管的所述控制端子的输出端子**<br>《隐含公开》 | 说明书第[0016]段：“信号放大晶体管N1、 N1'的源极连接端在节点6处彼此相连。电流源N3设置在节点6和针对负电源电压VSS的连接节点5之间，其中通过NMOS晶体管来形成电流源N3。NMOS晶体管N3的栅极连接端通过连线7与抽样差分放大器1的电压连接端8相连，其中将偏置电压Vbias施加到电压连接端。所述偏置电压Vbias控制电流源N3。” | 目标专利中，“偏置晶体管”用于为放大晶体管（M3）提供偏置电流，其输出端子（源极）连接到放大晶体管的控制端子（栅极）。在对比文件中，晶体管N3作为电流源，其源极（输出端子）通过节点6连接到信号放大晶体管N1和N1'的源极。在MOS差分对中，尾电流源（N3）为差分对（N1, N1’）提供偏置电流，决定了其工作点，本质上起到了“偏置”作用。虽然连接点（源极）与目标专利（栅极）不同，但晶体管N3作为有源器件，其输出端（源极）通过共源节点6为差分对提供偏置电流，本领域技术人员可以理解其为一种偏置配置。因此，可以合理推断晶体管N3起到了“偏置晶体管”的作用，其输出端子（源极）通过节点6电连接到第一晶体管N1的源极，进而影响其控制端子（栅极）的电位，构成隐含公开。 |
| **D. 第二偏置晶体管，具有电连接到所述第二晶体管的所述控制端子的输出端子**<br>《隐含公开》 | 同上，说明书第[0016]段。 | 基于与特征C相同的理由。晶体管N3作为共源电流源，同时为第一晶体管N1和第二晶体管N1'提供偏置电流。其输出端子（源极）通过公共节点6连接到第二晶体管N1'的源极。因此，本领域技术人员可以合理推断，同一个晶体管N3也起到了为第二晶体管N1'提供偏置的作用，构成隐含公开。 |
| **E. 第一反馈网络，电连接在所述第一偏置晶体管的控制端子与所述第一偏置晶体管的所述输出端子之间**<br>**未公开** | 无相关描述。对比文件中未在任何晶体管的控制端子（栅极）和输出端子（源极或漏极）之间连接反馈网络。 | 对比文件全文未提及任何连接在偏置晶体管（或任何功能等同晶体管）栅极和源极/漏极之间的反馈网络。其核心改进在于将负载电阻分割为两个串联电阻并引入抽样开关，与通过反馈网络调整跨导的技术思路完全不同。因此，该技术特征既未被直接公开，也无法从对比文件内容中合理推断得出。 |
| **F. 以及第二反馈网络，电连接在所述第二偏置晶体管的控制端子与所述第二偏置晶体管的所述输出端子之间**<br>**未公开** | 无相关描述。 | 同特征E，对比文件中不存在任何此类反馈网络，更不存在专门为第二偏置晶体管设置的第二反馈网络。该特征未被公开。 |
| **G. 其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络每个包括电容性反馈电路。**<br>**未公开** | 无相关描述。 | 由于对比文件中根本不存在特征E、F所述的反馈网络，因此自然不存在“包括电容性反馈电路”的限定。该特征未被公开。 |
| **H. 其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络改变所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的相应跨导。**<br>**未公开** | 无相关描述。 | 对比文件未涉及通过反馈网络改变任何晶体管跨导的技术手段。其增益提升原理如等式(5)所述，源于负载电阻两端的电压降总和增加，与改变偏置晶体管跨导无关。该特征未被公开。 |
| **I. 其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络减小所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的所述相应跨导。**<br>**未公开** | 无相关描述。 | 同特征H，对比文件未公开通过反馈减小偏置晶体管跨导的技术内容。该特征未被公开。 |
| **J. 其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是N型晶体管器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述输出端子是所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极端子。**<br>《直接公开》 | 说明书第[0016]段：“信号放大晶体管N1、 N1'...处于NMOS晶体管的形式。...信号放大晶体管N1、 N1'的漏极连接端与节点10-1、10-2相连。” | 对比文件明确记载信号放大晶体管N1、N1'是NMOS晶体管，属于N型晶体管器件。同时明确其输出信号取自漏极连接端（节点10-1, 10-2）。因此，该特征被直接公开。 |
| **K. 其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络的所述电容性反馈电路每个包括可变电容器。**<br>**未公开** | 无相关描述。 | 由于反馈网络本身未被公开，其包含“可变电容器”的进一步限定自然也未被公开。 |
| **L. 其中所述第一反馈网络包括所述第一偏置晶体管的寄生电容，其中所述第二反馈网络包括所述第二偏置晶体管的寄生电容。**<br>**未公开** | 无相关描述。 | 对比文件未提及利用晶体管寄生电容构成反馈网络。该特征未被公开。 |
| **M. 其中所述第一反馈网络包括电连接在所述第一偏置晶体管的所述控制端子与输出端子之间的电容器，其中所述第一晶体管的跨导以因子...被增大...**<br>**未公开** | 无相关描述。 | 对比文件既未公开在偏置晶体管栅源极之间连接电容器，也未公开通过此种方式按特定数学关系增大跨导。该特征未被公开。 |
| **N. 其中所述电路进一步包括：电连接到所述第一差分输入和所述第二差分输入的混频器电路、以及电连接到所述第一差分输出和所述第二差分输出的功率放大器。**<br>**未公开** | 无相关描述。 | 对比文件描述的是用作比较器或开关电容放大器的抽样信号放大器，未提及与混频器电路或功率放大器的连接。该特征未被公开。 |
| **O. 进一步包括：被配置为设置所述第一晶体管的DC操作点的第一电流源和被配置为设置所述第二晶体管的DC操作点的第二电流源。**<br>《隐含公开》 | 说明书第[0016]段：“电流源N3设置在节点6和针对负电源电压VSS的连接节点5之间，其中通过NMOS晶体管来形成电流源N3。...将偏置电压Vbias施加到电压连接端。所述偏置电压Vbias控制电流源N3。” | 目标专利中，独立的电流源（302，304）用于分别为第一和第二晶体管（M3， M4）设置DC操作点。在对比文件中，单个电流源N3（由NMOS晶体管构成）连接在差分对（N1， N1‘）的公共源极节点6与负电源VSS之间。该电流源N3为整个差分对提供尾电流，从而共同设置了两个信号放大晶体管N1和N1’的DC操作点。虽然对比文件使用了一个公共电流源，而目标专利使用了两个独立的电流源，但本领域技术人员能够理解，电流源N3的功能就是为差分放大器提供偏置电流以确定其DC工作点。从“设置DC操作点”这一功能来看，对比文件公开了相应的技术手段，尽管具体实施方式（一个源 vs. 两个源）有所不同。因此，该特征可以被认为被隐含公开。 |
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