对比文件名称：2014-07-17_发明公开_KR1020140090680A 자기 정렬 접점 및 국부 상호접속부를 형성하는 방법（形成自对齐触点和局部互连的方法）
目标专利名称：缩放布局设计中将虚栅极接地CN105981157B
本次调用的模型名称：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：半导体器件有源区中的虚栅极**<br>**《隐含公开》** | [0022] “게이트(104)는 기판(101)의 웰 영역(108)(트랜지스터(100)의 능동 영역)의 위에 및/또는 트렌치 분리부(110)(트랜지스터의 분리 영역) 위에 형성될 수 있다.”<br>（栅极(104)可以形成在基板(101)的阱区(108)(晶体管(100)的有源区)之上和/或沟槽隔离部(110)(晶体管的隔离区)之上。）<br>[0016] “제2 게이트는 제1 게이트로부터 분리된다.”<br>（第二栅极与第一栅极分离。）<br>[0051] “게이트(104')(분리된 게이트)”<br>（栅极(104')(分离的栅极)） | 目标专利的“虚栅极”指用于控制器件（如ESD或高速器件）但不作为功能开关的额外栅极，需要接地以防止浮动偏置。对比文件虽然没有明确使用“虚栅极”一词，但公开了在器件隔离区（트렌치 분리부）上形成的栅极（例如[0022]， [0051]中的“분리된 게이트”）。本领域技术人员可以理解，在隔离区上的栅极通常不直接参与有源器件的沟道形成，其作用可以是作为控制或隔离用的“虚设”结构。因此，对比文件隐含公开了在有源区中可能存在类似“虚栅极”的结构。 |
| **技术特征B：毗邻于所述虚栅极的第一有源触点**<br>**《直接公开》** | [0023] “소스/드레인(112)은 기판(101)의 웰 영역(108)에 형성된다.”<br>（源极/漏极(112)形成在基板(101)的阱区(108)中。）<br>[0037] “트렌치(128)는 도 9에 도시된 바와 같이 절연층(126) 및 절연층(114)을 통해 소스/드레인(112)까지 형성될 수 있다.”<br>（沟槽(128)可以如图9所示，通过绝缘层(126)和绝缘层(114)形成至源极/漏极(112)。）<br>[0039] “트렌치 접점(132)은 소스/드레인(112)에 대한 트렌치 접점(132)을 형성한다.”<br>（沟槽触点(132)形成用于源极/漏极(112)的沟槽触点(132)。） | 目标专利的“第一有源触点”指毗邻虚栅极的金属至扩散（MD）触点，用于连接源/漏区。对比文件直接公开了源极/漏极(112)以及通过沟槽(128)形成的电连接至该源/漏极的“트렌치 접점(132)”（沟槽触点），该触点即为有源触点。从图2、9、11等可以看出，这些有源触点与栅极（包括分离的栅极）相邻设置。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征C：所述虚栅极和所述第一有源触点上的电介质层，所述电介质层上形成有开口**<br>**《直接公开》** | [0035] “절연층(126)은 도 8에 도시된 바와 같이 맨드릴(120), 맨드릴 스페이서, 및 절연층(114) 위에 형성된다.”<br>（绝缘层(126)如图8所示，形成在芯轴(120)、芯轴间隔物(124)和绝缘层(114)上。）<br>[0037] “트렌치(128)는 도 9에 도시된 바와 같이 절연층(126) 및 절연층(114)을 통해 소스/드레인(112)까지 형성될 수 있다.”<br>（沟槽(128)可以如图9所示，通过绝缘层(126)和绝缘层(114)形成至源极/漏极(112)。）<br>[0053] “트렌치(142)는 제1 에칭 공정을 사용하여 맨드릴(120)까지 절연층(126)을 에칭하고...”<br>（沟槽(142)使用第一蚀刻工艺蚀刻绝缘层(126)至芯轴(120)...） | 目标专利的“电介质层”对应形成在栅极和有源触点之上的绝缘层，其上的开口用于后续形成堆叠式触点。对比文件明确公开了在栅极（包括分离栅极）和有源区（源/漏）上方形成绝缘层（例如[0035]的절연층(126)），并通过蚀刻在该绝缘层中形成开口（트렌치， 如[0037]的트렌치(128)用于触点，[0053]的트렌치(142)用于栅极接触）。这些开口暴露了下方的有源区或栅极。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征D：沉积于所述开口的侧壁上的第一隔离层**<br>**《直接公开》** | [0032] “절연층(122)은 플라즈마 증착과 같은... 비평면, 또는 등각, 증착 공정을 사용하여 형성된다. 비평면 증착을 사용하는 것은 도 6에 도시된 바와 같이 맨드릴(120)과 같이 물질이 증착되는 표면에 절연 물질이 합치하는 것을 가능하게 한다.”<br>（绝缘层(122)使用等离子体沉积等...非平面或共形沉积工艺形成。使用非平面沉积使得绝缘材料能够如图6所示，保形地沉积在如芯轴(120)的沉积表面上。）<br>[0033] “맨드릴 스페이서(124)는 맨드릴(120) 주위에서 맨드릴의 측면(가장자리)에 접하여 형성될 수 있다. 맨드릴 스페이서(124)는 옆쪽보다 아래로 빠르게 에칭하는 에칭 공정으로 절연층(122)의 부분들을 제거함으로써 형성될 수 있다.”<br>（芯轴间隔物(124)可以在芯轴(120)周围、紧邻芯轴的侧面（边缘）形成。芯轴间隔物(124)可以通过蚀刻工艺移除绝缘层(122)的部分而形成，该蚀刻工艺向下蚀刻比向侧面蚀刻更快。） | 目标专利的“第一隔离层”沉积在开口侧壁上，用于将后续形成的堆叠式触点与栅极电隔离。对比文件公开了形成“맨드릴 스페이서(124)”（芯轴间隔物）的过程：先通过共形沉积（[0032]）形成绝缘层(122)，然后进行各向异性回蚀（[0033]），从而在芯轴（对应栅极位置）侧壁留下间隔物材料。该间隔物(124)位于后续形成的触点开口（트렌치(128)）的侧壁，其作用正是将触点与栅极电隔离（参见[0037]-[0040]）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征E：形成于所述开口中的第一堆叠式触点，所述第一堆叠式触点被电耦合至所述第一有源触点**<br>**《直接公开》** | [0039] “도전성 물질(130)로 트렌치(128)를 충전한 후에... 트렌치(128)에 있는 도전성 물질(130)은 소스/드레인(112)에 대한 트렌치 접점(132)을 형성한다.”<br>（用导电材料(130)填充沟槽(128)后...沟槽(128)中的导电材料(130)形成用于源极/漏极(112)的沟槽触点(132)。）<br>[0044] “트렌치(138)는 트렌치 접점(132) 및 소스/드레인(112)에 대한 국부 상호접속부를 위해 사용된다.”<br>（沟槽(138)用于沟槽触点(132)和源极/漏极(112)的局部互连。） | 目标专利的“第一堆叠式触点”是通过在电介质层开口中填充导电材料形成，并电耦合至第一有源触点。对比文件公开了在绝缘层开口（트렌치(128)）中填充导电材料(130)以形成“트렌치 접점(132)”（沟槽触点），该触点直接连接到源/漏(112)（即第一有源触点）。这构成了一个堆叠式的接触结构。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征F：沉积于所述第一堆叠式触点的表面上与所述第一有源触点相对的盖层，侧壁上的所述第一隔离层将所述第一堆叠式触点与所述虚栅极电隔离**<br>**《隐含公开》** | [0042] “평면화 공정 후에, 절연층(134)은 도 12에 도시된 바와 같이 트랜지스터(100)의 평면의 표면 위에 형성된다. ... 절연층(134)은 하부층을 캡슐화하는 얇은 절연층일 수 있다.”<br>（平坦化工艺后，绝缘层(134)如图12所示，形成在晶体管(100)的平坦表面上。...绝缘层(134)可以是封装下层的薄绝缘层。）<br>[0037] “트렌치(128)는... 선택적인 에칭 공정을 사용하여 형성될 수 있다. ... 트렌치(128)에서 맨드릴 스페이서(124)의 폭과 프로파일을 유지하는 것은... 트렌치를 충전하도록 사용된 물질과 게이트(104)의 노출 부분이 접촉하는 것을 억제한다.”<br>（沟槽(128)可以使用选择性蚀刻工艺形成。...在沟槽(128)中保持芯轴间隔物(124)的宽度和轮廓...防止用于填充沟槽的材料与栅极(104)的暴露部分接触。） | 目标专利的“盖层”沉积在堆叠式触点表面（与有源触点相对的一面），与侧壁隔离层共同作用以实现特定隔离。对比文件公开了在形成触点并进行平坦化后，在其上沉积另一绝缘层(134)（[0042]），该层覆盖了触点的上表面，可视为一种“盖层”。同时，侧壁的间隔物（맨드릴 스페이서(124)）明确起到了将堆叠式触点（트렌치 접점(132)）与栅极（包括分离栅极）电隔离的作用（[0037]）。虽然对比文件中盖层和隔离层的组合作用未明确描述为与目标专利完全相同的隔离机制，但本领域技术人员从结构上可以合理推断出，覆盖触点表面的绝缘层与侧壁间隔物共同实现了触点与周围结构（包括栅极）的电隔离。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征G：以及穿过所述电介质层的第一通孔，所述第一通孔落在所述虚栅极上并通过所述盖层的一部分直接落在所述第一堆叠式触点的所述表面上以将所述第一堆叠式触点和所述第一有源触点电耦合至所述虚栅极以使所述虚栅极接地。**<br>**《隐含公开》** | [0046] “트렌치(140)는 게이트(104')에 대한 국부 상호접속부 루트를 형성하도록 사용될 수 있다.”<br>（沟槽(140)可以用于形成至栅极(104')的局部互连路径。）<br>[0047] “게이트 개방 트렌치(142)는... 게이트(104')에 접속하도록 게이트 위에 형성될 수 있다.”<br>（栅极开放沟槽(142)可以...形成在栅极(104')之上以连接到栅极(104')。）<br>[0049] “국부 상호접속부(144A, 144B, 144C)를 형성하도록 사용된 도전성 물질은 트렌치 접점(132)을 형성하도록 사용된 동일 물질일 수 있다.”<br>（用于形成局部互连(144A， 144B， 144C)的导电材料可以与用于形成沟槽触点(132)的材料相同。）<br>[0067] “트렌치(206)에 있는 도전성 물질(210)은 트렌치 접점(132)에 대한 국부 상호접속부(212A)를 형성하고, 트렌치(208)에 있는 도전성 물질(210)은 게이트 개방 트렌치 접점(204)에 대한 국부 상호접속부(212B)를 형성한다.”<br>（沟槽(206)中的导电材料(210)形成用于沟槽触点(132)的局部互连(212A)，沟槽(208)中的导电材料(210)形成用于栅极开放沟槽触点(204)的局部互连(212B)。） | 目标专利的“第一通孔”是一个垂直连接，它穿过电介质层，一端落在虚栅极（或其上的栅极触点）上，另一端通过盖层的一部分落在堆叠式触点上，从而将两者电连接以实现虚栅极接地。对比文件公开了形成“국부 상호접속부”（局部互连，功能上相当于通孔）来连接栅极（例如分离栅极(104')）和源/漏触点（트렌치 접점(132)）（参见[0046]， [0047]， [0067]）。这些局部互连(144C， 212A/212B)穿过上方的绝缘层（相当于电介质层和盖层），并分别接触下方的栅极接触结构（게이트 개방 트렌치(142)或(204)）和源/漏触点(132)。虽然对比文件没有明确描述该通孔“通过盖层的一部分直接落在”触点上以实现接地的目的，但本领域技术人员可以从其公开的“连接栅极和源/漏触点”的结构和目的中，合理推断出可以通过这种通孔结构将栅极电连接到源/漏触点，若该源/漏触点连接到地电位，则实现了栅极接地。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：直接耦合在所述虚栅极和所述第一通孔之间的栅极触点，所述栅极触点在侧壁上具有第二隔离层，所述栅极触点被自对齐到所述第一有源触点以及和所述第一堆叠式触点自对齐。**<br>**《直接公开》** | [0053] “게이트 개방 트렌치(142)는 제1 에칭 공정...을 사용하여 맨드릴(120)까지 절연층(126)을 에칭하고, 그런 다음 제2 에칭 공정을 사용하여 게이트(104')... 위에 있는 맨드릴(120) 및 맨드릴 스페이서(124)를 통해 를 에칭하는 것에 의해 형성될 수 있다.”<br>（栅极开放沟槽(142)可以通过使用第一蚀刻工艺蚀刻绝缘层(126)至芯轴(120)，然后使用第二蚀刻工艺蚀穿位于栅极(104')...上方的芯轴(120)和芯轴间隔物(124)来形成。）<br>[0059] “게이트 개방 트렌치(142)에 있는 도전성 물질(130)은 게이트(104')에 대한 게이트 개방 트렌치(204)를 형성한다.”<br>（栅极开放沟槽(142)中的导电材料(130)形成用于栅极(104')的栅极开放沟槽触点(204)。）<br>[0033] “맨드릴 스페이서(124)는... 형성될 수 있다.”（芯轴间隔物(124)可以...形成。） | 目标专利的“栅极触点”是位于虚栅极和第一通孔之间的直接连接结构，具有侧壁隔离层，并且与有源触点和堆叠式触点自对齐。对比文件明确公开了“게이트 개방 트렌치(142)”及其填充后形成的“게이트 개방 트렌치(204)”（[0053]， [0059]），这是一个直接形成在栅极(104')（可视为虚栅极）上的接触结构。该结构在形成过程中，利用了芯轴(120)和芯轴间隔物(124)（作为第二隔离层）来定义其位置和实现隔离。由于芯轴(120)和间隔物(124)的图案化是基于下层栅极和有源区结构的，因此形成的栅极接触(204)与相邻的有源触点(132)在工艺上是自对齐的（参见[0037]关于间隔物(124)防止触点与栅极短路的作用，这本身就依赖于自对齐工艺）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，进一步包括：毗邻于所述虚栅极的第二有源触点**<br>**《直接公开》** | [0023] “소스/드레인(112)은 기판(101)의 웰 영역(108)에 형성된다.”<br>（源极/漏极(112)形成在基板(101)的阱区(108)中。）<br>图2、9等显示了多个源/漏区（有源触点）与栅极相邻。 | 目标专利的“第二有源触点”是另一个与虚栅极相邻的有源触点。对比文件公开了多个源/漏区(112)以及对应的沟槽触点(132)，这些触点与各个栅极（包括分离栅极）相邻。从附图布局可以明确看出存在多个毗邻同一栅极（或分离栅极）的有源触点。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征J：以及相邻的堆叠式触点，所述相邻的堆叠式触点电耦合至所述第二有源触点并和所述第二有源触点对齐，且和所述第一通孔自对齐，以将所述相邻的堆叠式触点与所述第一通孔电隔离。**<br>**《隐含公开》** | [0039] “트렌치(128)에 있는 도전성 물질(130)은 소스/드레인(112)에 대한 트렌치 접점(132)을 형성한다.”<br>（沟槽(128)中的导电材料(130)形成用于源极/漏极(112)的沟槽触点(132)。）<br>[0047] “트렌치(138), 트렌치(140), 및 트렌치(142)의 조합은 (소스/드레인(112)과 접촉하는) 트렌치 접점(132) 및 게이트(104') 사이의 루팅을 위하여...”<br>（沟槽(138)、(140)和(142)的组合用于（与源/漏(112)接触的）沟槽触点(132)和栅极(104')之间的布线...）<br>[0037] “트렌치(128)에서 맨드릴 스페이서(124)의 폭과 프로파일을 유지하는 것은... 트렌치를 충전하도록 사용된 물질과 게이트(104)의 노출 부분이 접촉하는 것을 억제한다.”<br>（在沟槽(128)中保持芯轴间隔物(124)的宽度和轮廓...防止用于填充沟槽的材料与栅极(104)的暴露部分接触。） | 目标专利的“相邻的堆叠式触点”电耦合至第二有源触点，并与第一通孔自对齐以实现电隔离。对比文件公开了多个“트렌치 접점(132)”（堆叠式触点），每个电耦合至各自的有源区（第二有源触点）。这些触点的形成依赖于自对齐工艺，即利用芯轴间隔物(124)来定义开口位置，从而使得相邻触点之间以及触点与栅极接触结构之间自然保持隔离（[0037]， [0047]）。本领域技术人员可以理解，通过这种自对齐工艺形成的相邻堆叠式触点，与连接栅极的局部互连（第一通孔）在位置上也是相互确定和隔离的。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述第一通孔和所述栅极触点自对齐，并且所述第一堆叠式触点的所述侧壁上的所述第一隔离层被安排成至少部分地与所述第一有源触点交叠，所述第一隔离层的交叠部分将所述第一堆叠式触点的一部分与所述第一通孔的一部分电隔离。**<br>**《隐含公开》** | [0037] “트렌치(128)에서 맨드릴 스페이서(124)의 폭과 프로파일을 유지하는 것은... 트렌치를 충전하도록 사용된 물질과 게이트(104)의 노출 부분이 접촉하는 것을 억제한다. 트렌치 접점(132)들은 자기 정렬된다.”<br>（在沟槽(128)中保持芯轴间隔物(124)的宽度和轮廓...防止用于填充沟槽的材料与栅极(104)的暴露部分接触。沟槽触点(132)是自对齐的。）<br>[0047] “트렌치(142)를 형성하는 에칭 공정은... 자기 정렬 공정이다.”<br>（形成沟槽(142)的蚀刻工艺是...自对齐工艺。）<br>图9-11、16-17显示了间隔物(124)位于栅极侧壁并延伸到有源区上方。 | 目标专利的该特征描述了自对齐的精确几何关系：通孔与栅极触点自对齐；隔离层部分交叠于有源触点之上，以实现触点与通孔之间的局部隔离。对比文件公开了整体自对齐工艺：栅极接触(142/204)和源/漏触点(132)都是通过利用芯轴(120)和间隔物(124)的自对齐工艺形成的（[0037]， [0047]），因此第一通孔（局部互连）和栅极触点本质上是自对齐的。此外，间隔物(124)（第一隔离层）形成在栅极侧壁，并必然延伸覆盖部分栅极-有源区边界区域。从附图（如图9、10）可见，该间隔物覆盖了有源区（源/漏）的边缘部分。本领域技术人员可以合理推断，这种交叠结构在后续形成连接栅极和源/漏触点的局部互连（第一通孔）时，能够起到将堆叠式触点（132）的特定部分与该通孔的特定部分电隔离的作用。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，进一步包括：有源栅极**<br>**《直接公开》** | [0022] “게이트 구조(102)는 게이트 스페이서(106)에 의해 둘러싸인 게이트(104)를 포함한다. 게이트(104)는 기판(101)의 웰 영역(108)(트랜지스터(100)의 능동 영역)의 위에... 형성될 수 있다.”<br>（栅极结构(102)包括被栅极间隔物(106)围绕的栅极(104)。栅极(104)可以形成在基板(101)的阱区(108)(晶体管(100)的有源区)之上...） | 目标专利的“有源栅极”指位于器件有源区、作为功能开关的栅极。对比文件明确公开了形成在“웰 영역(108)”（阱区，即有源区）之上的栅极(104)，这即是有源栅极。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征M：毗邻于所述有源栅极的第二有源触点**<br>**《直接公开》** | 同特征I的引用。对比文件公开了与有源栅极(104)相邻的源/漏(112)及触点(132)。 | 目标专利的“第二有源触点”指毗邻有源栅极的有源触点。对比文件明确公开了与位于有源区的栅极(104)相邻的源/漏(112)及其触点(132)。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征N：第二堆叠式触点，所述第二堆叠式触点被电耦合至所述第二有源触点且在侧壁上包括将所述第二堆叠式触点与所述有源栅极电隔离的第二隔离层**<br>**《直接公开》** | 同特征E和D的引用。对比文件公开了用于源/漏(112)的“트렌치 접점(132)”（第二堆叠式触点），以及形成在其侧壁用于将其与相邻栅极(104)（有源栅极）电隔离的“맨드릴 스페이서(124)”（第二隔离层）。 | 目标专利的“第二堆叠式触点”电耦合至毗邻有源栅极的有源触点，并通过侧壁隔离层与有源栅极隔离。这完全对应于对比文件中公开的形成于有源区（웰 영역）的源/漏触点(132)及其侧壁的间隔物(124)结构。该间隔物明确用于防止触点与栅极短路（[0037]）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征O：以及电耦合至所述有源栅极且和所述第二堆叠式触点自对齐的第二通孔。**<br>**《隐含公开》** | [0047] “게이트 개방 트렌치(142)는... 게이트(104')에 접속하도록 게이트 위에 형성될 수 있다.”<br>（栅极开放沟槽(142)可以...形成在栅极(104')之上以连接到栅极(104')。）<br>[0049] “국부 상호접속부(144A, 144B, 144C)는 게이트 개방 트렌치(142)의 양방향 루팅 및 사용때문에...”<br>（局部互连(144A， 144B， 144C)由于栅极开放沟槽(142)的双向布线和使用...）<br>结合特征K关于自对齐的论述。 | 目标专利的“第二通孔”电耦合至有源栅极，并与第二堆叠式触点自对齐。对比文件公开了连接至栅极（包括有源栅极）的局部互连结构（如국부 상호접속부）。虽然附图示例更多展示了连接分离栅极(104')的互连，但本领域技术人员可以理解，同样的互连工艺也适用于连接有源栅极。这些互连（通孔）的形成依赖于自对齐工艺（利用间隔物等），因此与相邻的堆叠式触点（트렌치 접점(132)）是自对齐的（参见特征K的论述）。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。**<br>**《隐含公开》** | [0070] “예를 들어, 상기된 실시예는 마이크로프로세서, 저장 디바이스(예를 들어, SRAM 디바이스), 모바일 기술 디바이스, 또는 제조 동안 대체 게이트 흐름을 이용하는 임의의 다른 디바이스 기술을 위해 사용되는 반도체 디바이스를 형성하도록 사용될 수 있다.”<br>（例如，上述实施例可以用于形成微处理器、存储设备（例如SRAM设备）、移动技术设备、或任何其他在制造期间采用替代栅极流程的设备技术中使用的半导体器件。） | 目标专利列举了器件可集成的具体终端产品。对比文件虽然没有逐一列举完全相同的产品列表，但明确指出了其公开的半导体器件可用于“모바일 기술 디바이스”（移动技术设备）、“마이크로프로세서”（微处理器）等。本领域技术人员可以毫无困难地推断，这些器件进一步可以应用于包含这些处理器或存储部件的更广泛消费电子和通信设备中，例如移动电话、计算机、导航设备等。因此，该特征被隐含公开。 |
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