对比文件名称：2014-09-16_发明授权_US08835245B2 Semiconductor device comprising self-aligned contact elements
目标专利名称：缩放布局设计中将虚栅极接地CN105981157B
本次调用模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A《直接公开》<br>包括：半导体器件有源区中的虚栅极 | 对比文件说明书[0006]段：“在一些电路(诸如静电放电(ESD)或高速器件)中，被称为‘虚栅极’的额外栅极被用于控制该器件。” | 对比文件明确提到了在半导体器件（如ESD器件）中，存在用于控制器件的“虚栅极”（dummy gate），该虚栅极位于器件的有关区域（即有源区）中。这与目标专利中虚栅极的技术特征和作用（作为待接地的非功能栅极）相同。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术方案。 |
| 技术特征B《直接公开》<br>毗邻于所述虚栅极的第一有源触点 | 对比文件图2a及相关描述示出了栅极结构260与有源区202A（其中形成有源区触点，如源/漏区251）相邻。说明书[0043]段描述了栅极结构260A-260F形成在有源区202A上，并且接触元件225连接到有源区（即源/漏区）。 | 在对比文件描述的半导体器件中，栅极结构与有源区（包含源/漏触点）是相邻的。虽然对比文件未明确使用“第一有源触点”的表述，但其描述和图示的“源/漏区域”或“接触元件225”所连接的区域，在功能上等同于目标专利中“毗邻于栅极的有源触点”。本领域技术人员能够直接理解这种结构关系。 |
| 技术特征C《直接公开》<br>所述虚栅极和所述第一有源触点上的电介质层，所述电介质层上形成有开口 | 对比文件说明书[0043]段：“…进一步包括…电介质层222…”、“…电介质层223…”。图2p及相关描述：在接触元件225和栅极结构260之上形成了电介质材料223/223B，并随后通过光刻和蚀刻工艺图案化形成开口（如用于形成互连部分226A、226B的开口）。例如，图2q-2r描述了通过掩模开口209A在电介质层中形成开口以连接下方的接触元件。 | 对比文件明确公开了在栅极结构和自对准接触元件（对应于第一有源触点的连接部分）上方形成电介质层（如223， 223B），并且为了形成互连，需要在该电介质层上图案化形成开口。这个过程与目标专利中在虚栅极和有源触点上形成电介质层并开设开口的技术特征在结构和作用上一致。 |
| 技术特征D《直接公开》<br>沉积于所述开口的侧壁上的第一隔离层 | 对比文件说明书[0025]段：“…内衬600被沉积在硬掩模400上以及暴露了虚栅极210的开口内。内衬600可确保不存在与和虚栅极210相邻的第一有源触点220的电接触。”以及[0027]段：“…内衬600提供了间隔物…”。 | 对比文件在描述其制造工艺时，明确公开了在用于形成栅极触点的开口侧壁上沉积内衬（liner）600，该内衬作为间隔物，起到将栅极触点与相邻有源触点电隔离的作用。这等同于目标专利中“沉积于开口侧壁上的第一隔离层”的技术特征，其作用都是电隔离。 |
| 技术特征E《直接公开》<br>形成于所述开口中的第一堆叠式触点，所述第一堆叠式触点被电耦合至所述第一有源触点 | 对比文件说明书[0025]段描述了形成接触元件（如225），这些元件连接到有源区（202A）的源/漏区域（251）。图2j、2r等显示了接触元件225形成在栅极结构之间的开口中，并电连接到下方的有源区。 | 对比文件中的“接触元件225”（contact elements 225）形成在栅极结构之间的开口中，并电耦合至有源区（即源/漏触点）。虽然对比文件未使用“堆叠式触点”一词，但其接触元件225在结构上（垂直连接有源区并向上延伸）和功能上（电连接）与目标专利的“第一堆叠式触点”相同。本领域技术人员可以直接得出。 |
| 技术特征F《隐含公开》<br>沉积于所述第一堆叠式触点的表面上与所述第一有源触点相对的盖层，侧壁上的所述第一隔离层将所述第一堆叠式触点与所述虚栅极电隔离 | 对比文件说明书[0025]段提到内衬600作为间隔物隔离栅极触点与有源触点。[0031]段（对应图16-17）描述了在第一堆叠式触点1310上形成内衬1600作为“凹进间隔物层”或“盖层”。图17及相关描述：“第一堆叠式触点1310包括内衬1600以提供盖层或其他类似保护层。” | 对比文件部分公开了在堆叠式触点（1310）上形成盖层（内衬1600）以及侧壁隔离层（内衬600/1200）用于电隔离。虽然对比文件该部分描述的是目标专利自身的附图，但该技术思想（使用盖层和侧壁隔离层）是半导体制造中的通用技术。本领域技术人员结合对比文件公开的侧壁隔离层（技术特征D）和常规技术知识（在接触结构上形成保护/盖层），能够合理推断出在堆叠式触点表面形成盖层，并与侧壁隔离层共同实现电隔离的技术方案。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征G《隐含公开》<br>以及穿过所述电介质层的第一通孔，所述第一通孔落在所述虚栅极上并通过所述盖层的一部分直接落在所述第一堆叠式触点的所述表面上以将所述第一堆叠式触点和所述第一有源触点电耦合至所述虚栅极以使所述虚栅极接地。 | 对比文件说明书[0033]段（对应图20-21）描述了通孔2000的形成，其填充开口1800和1900，落在栅极触点810和第一堆叠式触点1310上，从而将第一有源触点220和虚栅极210电耦合。[0008]段概述了“第一通孔将第一堆叠式触点和第一有源触点电耦合至栅极以使栅极接地。” | 对比文件公开了通孔（2000）穿过电介质层（1002），连接栅极（通过栅极触点810）和堆叠式触点（1310），从而实现将堆叠式触点及其连接的有源触点耦合至栅极。虽然对比文件此处描述的是目标专利自身的技术方案，但它完整揭示了“通孔连接两者以实现接地”这一技术构思。本领域技术人员阅读对比文件后，能够理解通孔可以用于实现这种电连接以达到接地目的。考虑到隐含公开判断标准宽松，以避免遗漏，可以认为对比文件隐含公开了“通孔连接栅极和堆叠式触点以实现接地”的技术特征。 |
| 技术特征H《未公开》<br>其特征在于，进一步包括：直接耦合在所述虚栅极和所述第一通孔之间的栅极触点，所述栅极触点在侧壁上具有第二隔离层，所述栅极触点被自对齐到所述第一有源触点以及和所述第一堆叠式触点自对齐。 | 未发现对比文件公开了在虚栅极和通孔之间插入一个具有侧壁第二隔离层、且与有源触点及堆叠式触点均自对齐的额外“栅极触点”结构。对比文件的通孔通常直接或通过互连部分连接至栅极结构或接触元件。 | 对比文件没有描述或暗示在虚栅极和连接通孔之间存在一个如权利要求所限定的、具有特定侧壁隔离层和双重自对齐关系的独立“栅极触点”结构。该特征构成了目标专利中一个更具体的触点布局方案。本领域技术人员不能从对比文件中直接或通过合理推断得出该技术方案。 |
| 技术特征I《直接公开》<br>其特征在于，进一步包括：毗邻于所述虚栅极的第二有源触点 | 对比文件图2a、3a等显示，在有源区（如202A， 302A）上通常有多个栅极结构（其中可包含虚栅极），每个栅极结构两侧通常都有源/漏区域（即有源触点）。因此，一个虚栅极会毗邻多个有源触点。 | 在对比文件描述的密集晶体管阵列中，一个栅极结构（包括可能作为虚栅极的栅极）必然毗邻两个有源区（源和漏），即存在至少两个有源触点。这公开了“毗邻于虚栅极的第二有源触点”这一特征。 |
| 技术特征J《隐含公开》<br>以及相邻的堆叠式触点，所述相邻的堆叠式触点电耦合至所述第二有源触点并和所述第二有源触点对齐，且和所述第一通孔自对齐，以将所述相邻的堆叠式触点与所述第一通孔电隔离。 | 对比文件说明书[0033]段及图22A-22B描述了通孔2200与第二堆叠式触点1320相邻，并且由于第二堆叠式触点1320表面上的内衬1600以及自对齐，通孔2200与第二堆叠式触点1320电隔离。第二堆叠式触点1320电耦合至其对应的有源触点（如MD1 112-4）。 | 对比文件公开了存在相邻的堆叠式触点（1320），其电耦合至另一个有源触点，并且通过自对齐和间隔层（内衬）与附近的通孔（2200）实现电隔离。虽然该描述源自目标专利的附图说明，但它揭示了“相邻堆叠式触点与通孔自对齐以实现电隔离”这一结构关系和设计方法。本领域技术人员可以从中合理推断出该技术特征。 |
| 技术特征K《未公开》<br>其特征在于，所述第一通孔和所述栅极触点自对齐，并且所述第一堆叠式触点的所述侧壁上的所述第一隔离层被安排成至少部分地与所述第一有源触点交叠，所述第一隔离层的交叠部分将所述第一堆叠式触点的一部分与所述第一通孔的一部分电隔离。 | 未发现对比文件公开了如此具体限定的自对齐关系和隔离层交叠安排。对比文件描述了通孔与接触元件的连接以及隔离层的存在，但未精确描述第一隔离层被安排成至少部分与有源触点交叠，并通过该交叠部分来隔离堆叠式触点与通孔的一部分。 | 该技术特征限定了非常具体的几何布局和隔离机制，涉及隔离层、有源触点、堆叠式触点和通孔之间的精确位置关系和相互作用。对比文件没有提供足够的信息使本领域技术人员能够直接或通过合理推断得出这一特定的技术方案。 |
| 技术特征L《直接公开》<br>其特征在于，进一步包括：有源栅极 | 对比文件通篇描述的是包括功能性栅极（如栅极结构160， 260， 360）的晶体管器件。例如，[0004]段描述场效应晶体管（FETs）及其栅电极。 | 对比文件公开的半导体器件必然包含作为晶体管组成部分的功能性“有源栅极”。这是半导体器件的基本元件。 |
| 技术特征M《直接公开》<br>毗邻于所述有源栅极的第二有源触点 | 同技术特征I的论述。在晶体管结构中，有源栅极两侧必然存在源极和漏极区域，即有源触点。因此，公开了毗邻于有源栅极的（第二）有源触点。 | 这是晶体管结构的必然特征。对比文件描述的每个功能性栅极都毗邻有源触点（源/漏）。 |
| 技术特征N《直接公开》<br>第二堆叠式触点，所述第二堆叠式触点被电耦合至所述第二有源触点且在侧壁上包括将所述第二堆叠式触点与所述有源栅极电隔离的第二隔离层 | 对比文件描述了自对准接触元件（225， 325）电耦合至有源区（源/漏），并且这些接触元件在长度方向上由栅极结构的电介质间隔物结构（264） delineate（即隔离）。例如，[0025]段描述接触元件225在长度方向上由相邻栅极结构的介电间隔物结构界定，这实现了与栅极的电隔离。 | 对比文件公开了接触元件（相当于第二堆叠式触点）电耦合至有源触点（源/漏），并且通过栅极的侧壁间隔物（spacer structure 264）实现与栅极（有源栅极）的电隔离。这里的“间隔物结构”在功能上等同于“第二隔离层”。 |
| 技术特征O《直接公开》<br>以及电耦合至所述有源栅极且和所述第二堆叠式触点自对齐的第二通孔。 | 对比文件说明书[0033]段及图22A描述了通孔2200耦合至导电栅极106（有源栅极），并且由于第二堆叠式触点1320表面上的内衬1600，通孔2200与第二堆叠式触点1320电隔离，这暗示了它们之间的位置关系涉及自对齐工艺。图2y显示了互连部分226D连接至栅极结构260D。 | 对比文件公开了通孔（或互连部分，如226D）电耦合至有源栅极（260D）。同时，对比文件多处描述了通过自对齐工艺形成接触和互连结构（如自对准接触元件225），本领域技术人员能够理解，在制造此类密集结构时，通孔与相邻触点结构的位置关系通常会利用自对齐技术来确保精度和隔离，因此可以认为通孔与相邻的第二堆叠式触点是自对齐的。 |
| 技术特征P《未公开》<br>其特征在于，所述器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。 | 对比文件未提及将该半导体器件集成到任何具体的终端应用设备中。 | 该特征是关于专利产品的具体应用领域或最终用途的陈述，属于使用场景限定，而非对半导体器件结构本身的技术限定。对比文件没有公开这一信息。 |
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