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对比文件列表
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2026-02-23 21:29
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**对比文件名称:** JP2003232994A_Description_20260218_1611

**目标专利名称:** 179亚微米晶片对准CN107850759B

**本次调用模型名称:** GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A:** 第一透明晶片,其包括第一透镜阵列[0081] “...the first microlens portion L1 is formed...on the first lens substrate S1.” <br> [0069] “...rather than making one by one, a large number of microlenses 1 can be made at a time by a wafer process.”**《隐含公开》** 对比文件明确公开了第一透镜基板(S1)及在其上形成的第一微透镜部分(L1)。虽然其实施例通常以单个透镜单元进行描述,但其制造方法([0069])明确提到了使用晶圆(wafer)工艺同时制造大量微透镜。本领域技术人员能够毫无疑义地理解,在晶圆基板上可以通过阵列化的图案制造出多个微透镜,即形成“第一透镜阵列”。因此,对比文件隐含公开了包含第一透镜阵列的第一透明晶片。
**技术特征B:** 第二透明晶片,其包括第二透镜阵列,所述第二透镜阵列中的每一透镜与所述第一透镜阵列中的对应透镜形成透镜对[0081] “...the second microlens portion L2 is formed...on the second lens substrate S2.” <br> [0081] “...the second lens substrate S2 is bonded to the first lens substrate S1 so that the second microlens portion L2 faces the first microlens portion L1...” <br> [0069] “...a large number of microlenses 1 can be made at a time by a wafer process.”**《隐含公开》** 对比文件公开了第二透镜基板(S2)及在其上形成的第二微透镜部分(L2),并且第二基板被接合至第一基板,使得L2与L1相对。结合其晶圆级制造工艺([0069]),本领域技术人员可以合理推断,在晶圆级制造和接合过程中,第二基板上的多个微透镜(第二透镜阵列)会与第一基板上的多个微透镜(第一透镜阵列)一一对应地对准和接合,从而自然形成多个“透镜对”。因此,该特征被对比文件隐含公开。
**技术特征C:** 第一隔片晶片,其定位于所述第一透明晶片与所述第二透明晶片之间且包括包含开口阵列的隔片材料,每一透镜对中的至少一个透镜延伸到所述开口阵列中的开口中无对应内容**《未公开》** 对比文件描述了第一基板S1和第二基板S2直接通过粘接结构(bonding structure 26)接合,中间是空气层(air layer 3,见[0045]),并未提及任何位于两者之间、具有开口阵列的独立“隔片晶片”。其结构是通过基板自身的厚度和粘接结构来定义透镜之间的空间,而非使用一个专门的隔片晶片来提供开口并容纳透镜。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征D:** 第一对准标记,其设置于所述第一透明晶片上,所述第一对准标记包括定位于所述第一透镜阵列中的第一透镜周围的第一组同心环带无对应内容**《未公开》** 对比文件在[0081]提到了在接合基板时可以使用对准标记(alignment marks)进行高精度对准,但并未描述该对准标记的具体构成、形状或位置。目标专利中“第一组同心环带”是特定结构的高频对准标记,用于产生莫尔条纹效应。对比文件完全没有公开任何关于“同心环带”形式对准标记的内容。因此,该特征未被公开。
**技术特征E:** 及第二对准标记,其设置于所述第二透明晶片上,所述第二对准标记包括与所述第一组同心环带互补且定位于所述第二透镜阵列中的第二透镜周围的第二组同心环带无对应内容**《未公开》** 理由同技术特征D。对比文件未公开任何关于“同心环带”形式对准标记的内容,更未公开两组互补的同心环带。因此,该特征未被公开。
**技术特征F:** ,所述第一透镜与所述第二透镜形成一个透镜对,其中所述第一组同心环带和与所述第一组同心环带互补的所述第二组同心环带可经定大小及定位使得其在所述第一及第二透明晶片为光学对准时产生跨越所有环带的实心环带且在所述第一及第二透明晶片未对准时产生波纹效应。无对应内容**《未公开》** 这是目标专利的核心对准原理之一,即利用互补高频图案(同心环带)在未对准时产生莫尔条纹(波纹效应)来辅助视觉对准。对比文件完全没有涉及任何利用互补图案产生视觉对准指示(如实心环带或波纹效应)的技术。因此,该特征未被公开。
**技术特征G:** 其中所述第一透镜、所述第二透镜及在所述开口阵列中的开口周围的所述隔片材料的一部分形成具有光轴的透镜堆叠。[0045] “The microlens 1 of the present embodiment is schematically a two-surface lens in which first and second microlens portions L1 and L2 both... are arranged on the same optical axis.”**《隐含公开》** 对比文件明确公开了第一微透镜部分L1和第二微透镜部分L2被布置在同一光轴上,这构成了一个透镜堆叠的基本概念。虽然对比文件中没有“隔片材料”,但两个透镜部分通过基板接合形成堆叠结构,其本身必然具有一个光轴。因此,对比文件隐含公开了由两个透镜形成具有光轴的透镜堆叠这一技术特征,尽管具体堆叠结构(有无隔片)与目标专利不同。
**技术特征H:** 其进一步包括分束器层,所述分束器层设置于所述第一对准标记的第一平面与所述第二对准标记的第二平面之间的光学路径中心点处。无对应内容**《未公开》** 对比文件完全没有提及“分束器层”(beam splitter layer)。对比文件中提到的衍射面(diffractive surface D1)是用于校正色差的光学元件,其作用、位置和原理(基于衍射)与用于对准、反射标记像的分束器层(部分反射镜)完全不同。因此,该特征未被公开。
**技术特征I:** 其中所述第一组同心环带及所述第二组同心环带具有5μm的线厚度。无对应内容**《未公开》** 对比文件未公开同心环带对准标记,因此更不可能公开其具体的线厚度尺寸(5μm)。因此,该特征未被公开。
**技术特征J:** 其进一步包括:第三透明晶片,其包含第三透镜阵列[0055] “...the third microlens portion L3...is added...”**《隐含公开》** 对比文件在第二实施例(图2)中明确公开了第三微透镜部分L3,其形成在第二基板S2的另一侧或单独的基板上。结合其晶圆级制造工艺,本领域技术人员可以合理推断这构成了包含多个第三微透镜的“第三透镜阵列”。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征K:** 第二隔片晶片,其定位于所述第二透明晶片与所述第三透明晶片之间且包括包含开口阵列的所述隔片材料无对应内容**《未公开》** 对比文件中,第三微透镜部分L3是通过在第二基板S2上制作凹坑并填充高折射率材料形成的([0055]),或者通过另外的基板(S3, S4)覆盖形成([0055], [0061]),并未提及在第二和第三透明晶片之间存在一个独立的、具有开口阵列的“第二隔片晶片”。因此,该特征未被公开。
**技术特征L:** 及第三对准标记,其设置于所述第三透明晶片上,所述第三对准标记包括与所述第一组同心环带及所述第二组同心环带互补且定位于所述第三透镜阵列中的第三透镜周围的第三组重复标记,所述第三透镜与所述第一透镜及所述第二透镜形成光学堆叠。无对应内容**《未公开》** 理由同技术特征D、E、F。对比文件未公开任何关于“同心环带”或“互补重复标记”形式对准标记的内容,也未描述为第三透镜设置此类对准标记。因此,该特征未被公开。
**技术特征M:** 其进一步包括:第三透明晶片,其包含第三透镜阵列同技术特征J。**《隐含公开》** 同技术特征J的论述。
**技术特征N:** 第二隔片晶片,其定位于所述第二透明晶片与所述第三透明晶片之间且包括包含开口阵列的所述隔片材料同技术特征K。**《未公开》** 同技术特征K的论述。
**技术特征O:** 第三对准标记,其设置于所述第三透明晶片上,所述第三对准标记包括定位于所述第三透镜阵列中的第三透镜周围的第三组重复标记,所述第三透镜与所述第二透镜阵列中的第四透镜形成一对无对应内容**《未公开》** 对比文件未公开任何关于“重复标记”形式对准标记的内容,也未描述在第三晶片上为与第四透镜配对而设置对准标记。因此,该特征未被公开。
**技术特征P:** 第四对准标记,其设置于所述第二透明晶片上,所述第四对准标记包括与所述第三组重复标记互补且定位于所述第四透镜周围的第四组重复标记。无对应内容**《未公开》** 理由同技术特征O。对比文件未公开任何互补的重复标记对准标记。因此,该特征未被公开。
**技术特征Q:** 其包括:将第一组同心环带安置于第一透明晶片的第一透镜阵列中的第一透镜周围无对应内容**《未公开》** 对比文件未公开“同心环带”形式对准标记,因此也不可能公开安置该标记的方法步骤。因此,该特征未被公开。
**技术特征R:** 将第二组同心环带安置于第二透明晶片的第二透镜阵列中的第二透镜周围,所述第二组同心环带与所述第一组同心环带互补无对应内容**《未公开》** 理由同技术特征Q。该特征未被公开。
**技术特征S:** 通过所述第一透明晶片及所述第一组同心环带来检视所述第二组同心环带无对应内容**《未公开》** 该步骤依赖于未被公开的同心环带对准标记,因此该特征本身也未被公开。
**技术特征T:** 及使用所述第一组同心环带与所述第二组同心环带的重叠而将所述第一透明晶片对准到所述第二透明晶片,其中所述第一组同心环带和与所述第一组同心环带互补的所述第二组同心环带可经定大小及定位使得其在所述第一及第二透明晶片为光学对准时产生跨越所有环带的实心环带且在所述第一及第二透明晶片未对准时产生波纹效应。无对应内容**《未公开》** 这是基于特定互补图案(同心环带)和特定视觉效果(实心环带/波纹效应)的对准方法。对比文件虽然提到了使用对准标记进行基板对准([0081]),但未公开任何关于利用互补图案重叠产生的视觉效果来进行对准的具体方法。因此,该特征未被公开。
**技术特征U:** 其中所述检视包括捕捉所述第一组同心环带及所述第二组同心环带的图像数据,且其中所述对准包括经由硬件处理器而比较所述图像数据与至少一个模板图像以确定所述第一组同心环带与所述第二组同心环带是否对准。无对应内容**《未公开》** 该特征涉及基于图像处理和模板匹配的自动化对准方法。对比文件仅提及使用对准标记进行高精度对准,但未描述任何图像捕捉、数据处理或与模板比较的自动化对准过程。因此,该特征未被公开。
**技术特征V:** 其进一步包括:将分束器层安置于所述第一组同心环带与所述第二组同心环带之间的光学路径中心点处无对应内容**《未公开》** 对比文件未公开“分束器层”,因此也不可能公开安置分束器层的方法步骤。因此,该特征未被公开。
**技术特征W:** 使显微镜物镜聚焦于所述第二组同心环带上无对应内容**《未公开》** 对比文件未公开使用显微镜物镜观察同心环带对准标记的步骤。因此,该特征未被公开。
**技术特征X:** 检视所述第二组同心环带以及所述第一组同心环带经由所述分束器层的反射无对应内容**《未公开》** 该步骤依赖于未被公开的同心环带和分束器层,因此该特征本身也未被公开。
**技术特征Y:** 及使用通过所述显微镜物镜所检视的所述第一组同心环带与所述第二组同心环带的重叠而将所述第一透明晶片对准到所述第二透明晶片。无对应内容**《未公开》** 该步骤是结合了分束器、显微镜和互补图案的特定对准方法。对比文件完全没有公开此方法。因此,该特征未被公开。
**技术特征Z:** 其中所述聚焦、所述检视及所述对准由一或多个物理计算装置以编程方式执行。无对应内容**《未公开》** 该特征涉及对准过程的自动化/程序化控制。对比文件未描述任何由计算装置编程执行的对准过程。因此,该特征未被公开。

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