**对比文件名称**：2013-01-31_US2013026609A_发明申请_US20130026609A1 PACKAGE ASSEMBLY INCLUDING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH STRESS RELIEF STRUCTURE
**目标专利名称**：具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
**模型名称**：DeepSeek-R1
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### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板**<br>《直接公开》 | [0024] "FIG. 1 schematically illustrates an example package assembly 100 including a semiconductor substrate 102."<br>[0037] "As with semiconductor substrate 102, the semiconductor substrate 102a refers to a substrate or interposer that substantially comprises a semiconductor material such as, for example, silicon (Si)." | 对比文件明确公开了其封装组件包括一个半导体基板（semiconductor substrate 102/102a）。该基板是封装的核心支撑结构，用于承载互连层、半导体芯片等元件。这与目标专利中作为器件载体的“基板”在结构、作用和定义上完全相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷**<br>《直接公开》 | [0036] "FIGS. 1A and 1B illustrate another example of package assemblies 100a and 100b that include a semiconductor substrate 102a... the semiconductor substrate 102a includes recessed trenches 105 that are configured to receive solder balls 112."<br>[0040] "Multiple trenches 105 are defined within the semiconductor substrate 102a by etching the semiconductor substrate 102a." | 对比文件明确公开了在半导体基板102a的一侧（第一表面）中定义了多个凹陷的沟槽（recessed trenches 105），这些沟槽被配置用于容纳焊球112。尽管目标专利的“凹陷”旨在降低封装高度，而对比文件的“沟槽”旨在增加焊球接触面积以增强应力承受，但两者都是在基板表面形成的凹入结构，用于容纳互连元件。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“在基板第一表面中的凹陷”这一技术特征。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分**<br>《隐含公开》 | [0051] "As can be seen in FIG. 1B, through-silicon vias 111 can be included within silicon substrate 102a."<br>[0059] "Referring to FIG. 2F, if desired, through-silicon vias 111 can be created within the silicon substrate 102a." | 对比文件公开了可以在半导体基板102a中形成穿硅通孔（through-silicon vias 111），这些通孔延伸穿过基板。虽然对比文件没有明确文字描述这些通孔“延伸穿过基板的非凹陷部分”，但图1B显示通孔111位于沟槽105之间的区域。本领域技术人员结合附图可以合理推断，为了形成有效的垂直电连接并避免与容纳焊球的沟槽结构产生冲突，穿硅通孔必然设置在不包含沟槽的基板主体部分，即“非凹陷部分”。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端**<br>《未公开》 | 无对应描述。 | 对比文件仅公开了穿硅通孔111存在于基板中以及沟槽105存在于基板表面，但未描述穿硅通孔的末端（第一端）与沟槽之间的位置关系，特别是“毗邻”这一特定的空间位置关系。本领域技术人员无法从对比文件文字或附图中毫无疑义地或通过合理推断得出通孔末端一定位于“毗邻凹陷的区域中”。该特征未被公开。 |
| **技术特征E：，其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器**<br>《未公开》 | 无对应描述。 | 对比文件公开了穿硅通孔111可以用于电耦合（例如，耦合重分布层106和109，或耦合到印刷电路板），也提及了可以在基板上形成无源器件如电容器（图2C，[0055]）。然而，对比文件完全没有描述或暗示如何将两个（或更多）穿基板通孔在基板的**第二表面上**通过一个**导体**连接起来，以形成一个**嵌入式电感器**。形成嵌入式电感器（特别是利用穿基板通孔对）是目标专利的核心发明点之一，用以解决电感随基板减薄而降低的问题。该特征在对比文件中既无文字记载，也无法通过本领域技术人员的合理推断得出。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷**<br>《直接公开》 | [0036] "...recessed trenches 105 that are configured to receive solder balls 112."<br>[0048] "One or more package interconnect structures such as, for example, one or more solder balls 112 ... can be formed on the one or more interconnect layers 106 **within the trenches 105**..." | 对比文件明确公开了焊球（solder balls 112）作为封装互连结构，被形成并容纳在沟槽（trenches 105）内，并且焊球与沟槽内的互连层106相耦合。这与目标专利中“互连被包括在凹陷内并且被耦合至凹陷”的技术特征完全一致。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定该特征被直接公开。 |
| **技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。**<br>《隐含公开》 | [0041] "One or more interconnect or redistribution layers 106 are formed on the semiconductor substrate 102a to cover at least portions of the first side A1... The portions covered by the interconnect layers 106 include at least the trenches 105."<br>[0051] "The through-silicon vias 111 can allow for electrical coupling of the two redistribution layers 106, 109 as well as components on or within the silicon substrate 102a." | 对比文件公开了在基板第一表面（A1）上形成重分布层（106），该层覆盖了包括沟槽105在内的区域，并与沟槽内的焊球112接触以实现电耦合。同时，对比文件公开了穿硅通孔（111）可以用于重分布层之间的电耦合。虽然对比文件没有明确记载重分布层106被“配置成”将沟槽105内的特定焊球112电耦合至一个特定的穿硅通孔111，但本领域技术人员基于“重分布层用于路由电信号”和“穿硅通孔用于提供垂直电连接”的公知常识，可以合理推断出：为了将焊球的信号通过基板传输，设计重分布层以将焊球连接至一个穿硅通孔是常规的、必然存在的技术方案。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。**<br>《未公开》 | [0055] "For example, an example capacitor 222 and an example electro-static discharge (ESD) protection device 224 can be formed on the semiconductor substrate 102 as depicted in region 275 of the semiconductor substrate 102." | 对比文件确实公开了可以在半导体基板（102）上形成电容器（222）。然而，目标专利的特征H包含两个紧密关联的限定：1) 电容器毗邻基板的**第二表面**；2) 由一种**第二穿基板通孔**电耦合至该电容器，且该第二穿基板通孔比第一穿基板通孔短（参见说明书[0027]段）。对比文件既未描述电容器毗邻第二表面（图2C显示电容器形成在第一表面A1侧），也未区分或公开一种专门用于耦合电容器的、长度更短的“第二穿基板通孔”。因此，该整体技术特征未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。**<br>《未公开》 | 无对应描述。 | 该特征是对特征E中“嵌入式电感器”的进一步限定，依赖于特征E的成立。由于特征E（形成嵌入式电感器）未被对比文件公开，因此该从属特征也未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。**<br>《未公开》 | 无对应描述。 | 同上，该特征依赖于特征E的成立。由于特征E（形成嵌入式电感器）未被对比文件公开，因此该从属特征也未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。**<br>《未公开》 | [0037] "...the semiconductor substrate 102a refers to a substrate or interposer that **substantially comprises a semiconductor material such as, for example, silicon (Si)**." | 该特征对基板材料（玻璃）和互连类型（焊球）进行了具体限定。对比文件明确且始终将其基板描述为半导体材料（如硅），而非玻璃。因此，该特定组合的技术特征未被公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。**<br>《未公开》 | [0037] (基板为半导体)<br>[0048] (互连为焊球 solder balls) | 该特征中基板材料（半导体）与对比文件一致，但对互连类型限定为“金属柱”。对比文件明确公开的互连是“焊球”（solder balls），并未提及“金属柱”。因此，该特定组合的技术特征未被公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。**<br>《未公开》 | [0037] (基板为半导体) | 该特征限定基板为“有机基板”。对比文件明确且始终将其基板描述为半导体材料，而非有机基板。因此，该特定组合的技术特征未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。**<br>《未公开》 | [0037] (基板为半导体) | 同特征M，基板材料不符。该特定组合的技术特征未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷**<br>《未公开》 | [0036] (存在多个沟槽trenches 105) | 对比文件确实公开了基板表面有多个沟槽（trenches 105）。然而，特征O是与后续特征P共同定义的一个特定概念：一个容纳“仅具有机械功能”的焊球的第二凹陷。虽然对比文件有多个凹陷，但其每个凹陷内的焊球均用于电信号路由和/或机械紧固，并未区分出某些凹陷内的焊球“仅”有机械功能。因此，作为该特定概念一部分的“第二凹陷”，其含义与对比文件中的普通凹陷不同，未被单独公开。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。**<br>《未公开》 | 无对应描述。 | 对比文件未描述任何焊球是“仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能”的。其焊球均作为“package interconnect structures”用于路由电信号（参见[0048]）。目标专利明确区分了具有电功能的互连和仅具机械功能的互连，该区别技术特征未被对比文件公开。 |
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