对比文件名称：1993-05-25_US5214308A_发明授权_US5214308A Substrate for packaging a semiconductor device
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B
本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本模型
根据目标专利说明书和权利要求书，以及对比文件US5214308A的说明书，现将技术特征比对分析如下：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板**<br>《直接公开》 | 说明书[2]段：“a plurality of electrode terminals 5 corresponding to the bumps 2 on the semiconductor devices 1 are formed on the substrate 3 to which the semiconductor device 1 is to be packaged (FIG. 1A).”<br>（在半导体器件1要封装到的基板3上形成与半导体器件1上的凸块2对应的多个电极终端5。） | 对比文件明确公开了用于封装半导体器件的基板（substrate 3）。该基板是封装结构的基础部件，其作用是为形成电极终端、接收凸块提供支撑，这与目标专利中作为封装结构载体的基板作用相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷**<br>《隐含公开》 | 说明书[2]段：“The electrode terminal 5 thus formed has the recess 4 for receiving at least the top of the bump 2 on the surface thereof (See FIG. 2 and 3).”<br>（如此形成的电极终端5在其表面上具有用于接收凸块2的至少顶部的凹陷4。）<br>说明书[2]段：“a recess for receiving at least a top of a bump on the semiconductor device is formed on the surface of the substrate”<br>（用于接收半导体器件上凸块的至少顶部的凹陷形成在基板表面上。） | 对比文件多次公开在基板3的表面上形成凹陷（recess 4），用于容纳半导体器件上的凸块2。虽然对比文件的凹陷主要形成于电极终端5的局部区域（第一实施例）或直接形成在基板表面（第二实施例），其核心结构特征“基板表面上的凹陷”已被公开。目标专利的凹陷用于容纳互连（如焊球）以降低封装高度，而对比文件的凹陷用于接收凸块以实现定位，两者作用不同。但从结构本身看，本领域技术人员可以合理推断出“在基板第一表面中形成凹陷”这一技术手段。根据宽松的隐含公开判断标准，技术特征B被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件全文未提及任何“穿基板通孔”（through-substrate via）。对比文件描述的结构是用于封装半导体器件的基板，其关注点在于表面电极和凹陷以实现凸块的对准和连接，并未描述任何穿过基板厚度的导电通孔结构。技术特征C涉及的通孔是目标专利实现3D互连和嵌入式无源器件的关键，在对比文件中完全没有对应内容。因此，技术特征C既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端**<br>《未公开》 | 无 | 由于对比文件未公开任何“穿基板通孔”（技术特征C），因此更不可能公开这些通孔在第一表面的位置及其与凹陷的毗邻关系。技术特征D完全依赖于穿基板通孔的存在，而该基础结构在对比文件中缺失。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何穿基板通孔，因此也不可能公开通过基板第二表面上的导体将两个通孔耦合以形成嵌入式电感器的技术方案。目标专利的嵌入式电感器是其核心创新点之一，用于提供无源器件功能，而对比文件完全不涉及在基板内或表面形成电感器等无源器件。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷**<br>《未公开》 | 说明书[2]段：“a plurality of bumps 2 are formed on a semiconductor device 1 to project from the surface thereof.”<br>（多个凸块2形成在半导体器件1上以从其表面突出。） | 对比文件公开了在**半导体器件1**上形成凸块（bump 2），该凸块被容纳在基板3的凹陷4内并与之连接。然而，目标专利的“第一互连”（如焊球212）是**封装器件本身的一部分**，用于将封装连接到外部电路板。两者属于不同部件（一个在待封装的芯片上，一个在封装基板上），所起的作用（芯片I/O连接 vs. 封装级外部互连）和所处的结构层级完全不同。本领域技术人员无法从对比文件的“芯片凸块”毫无疑义地得出或合理推断出目标专利的“封装互连”。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开“重分布层”（redistribution layer）。对比文件中的电极终端5直接形成在基板表面或凹陷中，用于直接连接凸块2，并未描述一个额外的、用于重新布线以将互连耦合至穿基板通孔的金属化层。技术特征G依赖于穿基板通孔（技术特征C）和封装互连（技术特征F）的存在，而这些基础特征均未被对比文件公开。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何电容器集成在基板上，也未公开任何“第二穿基板通孔”。目标专利该特征涉及在基板第二表面集成无源器件（电容器）并通过短通孔连接，以实现更好的电学性能，这是对比文件完全没有涉及的技术内容。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔**<br>《未公开》 | 无 | 该特征是对嵌入式电感器构成的进一步限定。由于对比文件未公开任何穿基板通孔（技术特征C）和嵌入式电感器（技术特征E），因此也不可能公开电感器由至少两个穿基板通孔构成这一具体特征。因此，技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器**<br>《未公开》 | 无 | 该特征是对封装中包含多个电感器的进一步限定。由于对比文件未公开任何嵌入式电感器，因此更不可能公开包含多个电感器。因此，技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未具体限定基板3的材料为玻璃。虽然玻璃可作为基板材料的一种选择，但对比文件说明书并未提及。同时，对比文件中的互连是半导体器件上的凸块（bump），并非封装上的焊球（solder ball）。因此，技术特征K中“玻璃基板”和“第一互连包括焊球”这两个并列限定的技术手段均未被对比文件公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未具体限定基板3的材料为半导体基板，也未公开“金属柱”作为互连。因此，技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未具体限定基板3的材料为有机基板。虽然有机材料可作为基板的一种可能，但对比文件说明书并未提及。同时，如前所述，对比文件中的互连是芯片凸块，并非封装焊球。因此，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球**<br>《未公开》 | 无 | 此特征与特征M完全相同，判断结果一致：未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件虽然公开了在基板表面形成多个凹陷以对应多个凸块，但其所有凹陷都是为了电连接和定位目的。目标专利中的“第二凹陷”是用于容纳“仅具有机械功能”的互连（见特征P），这是一个具有特定功能限定的附加结构。对比文件并未公开一个专门用于仅提供机械紧固功能的凹陷。因此，技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件中的所有凸块和凹陷都是为了实现半导体器件与基板之间的电连接和定位，没有公开任何“仅具有机械功能”的互连。目标专利该特征明确限定了第二互连（焊球）仅用于机械紧固，不用于电学连接，这与对比文件中所有互连均用于电连接的目的完全不同。因此，技术特征P未被公开。 |
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