对比文件名称：2011-08-04_US2011186998A_发明申请_US20110186998A1 RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板** <br>《直接公开》 | [0017] “The package assembly 100 includes a semiconductor substrate 102, which is a substrate or interposer that substantially comprises a semiconductor material such as, for example, silicon (Si).” | 对比文件[0017]段明确公开了其装置包含半导体基板（semiconductor substrate）。该基板在对比文件中作为封装组件的基础支撑结构，用于承载芯片、通孔和互连等，其作用与目标专利中作为封装载体的基板相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷** <br>《直接公开》 | [0019] “According to various embodiments, a portion of the first surface A1 is recessed relative to other portions of the first surface A1 to form the recessed region 104 of the semiconductor substrate 102.” | 对比文件[0019]段明确描述了基板的第一表面A1的一部分相对于其他部分被凹陷（recessed），以形成凹陷区域104。该凹陷在对比文件中用于减小局部基板厚度以利于通孔形成等，与目标专利中为容纳互连以降低封装高度的作用在“形成凹陷结构”这一基本技术手段上相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分** <br>《隐含公开》 | [0019] “The recessed region 104 generally provides a relatively thinner area of the semiconductor substrate to facilitate the formation of one or more vias 108 through the semiconductor substrate 102.” <br>[0022] “According to various embodiments, one or more vias 108 are formed in the recessed region 104 of the semiconductor substrate 102. The one or more vias 108 ... provide an electrical or thermal pathway between the first surface A1 and the second surface A2 of the semiconductor substrate 102.” | 对比文件公开了在凹陷区域104中形成通孔（vias）108，这些通孔延伸穿过整个半导体基板102，在第一表面A1和第二表面A2之间提供电或热通路。虽然对比文件明确通孔形成于“凹陷区域内”，但从本领域技术人员的角度，通孔要穿过基板，其路径必然经过基板中未被移除的“非凹陷”主体部分。形成于凹陷区的通孔，其物理本质仍然是穿过基板本体的孔，这与目标专利中“延伸穿过所述基板的非凹陷部分”的第一穿基板通孔在结构和功能（提供穿过基板的垂直互连）上并无实质区别。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地认识到对比文件公开的通孔即是“延伸穿过基板”的通孔，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端** <br>《隐含公开》 | [0019] “a portion of the first surface A1 is recessed ... to form the recessed region 104” <br>[0022] “one or more vias 108 are formed in the recessed region 104 of the semiconductor substrate 102.” | 对比文件公开了通孔108形成于凹陷区域104内。由于凹陷区域104是基板第一表面A1的一部分，因此形成于其中的通孔108在第一表面上的开口（即第一端）必然位于该凹陷区域内。“凹陷区域内”是“第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域”的一种具体表现形式。本领域技术人员能够合理推断，通孔在凹陷表面的开口端，即位于该凹陷所定义的区域中。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征E：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器** <br>《未公开》 | 对比文件全文未提及通过连接通孔形成电感器。 | 对比文件通篇描述了通孔108用于提供电信号或热量的垂直通路（[0022]），并通过重分布层110进行信号路由（[0023]），但从未公开任何将两个或更多通孔通过在基板第二表面（或任何表面）上的导体相互连接以形成特定电感值元件的技术方案。形成“嵌入式电感器”是目标专利的核心发明点之一，用于解决电感与封装高度的矛盾。对比文件完全没有涉及这一目的或相应的结构。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷** <br>《隐含公开》 | [0032] “One or more package interconnect structures 114 such as, for example, one or more solder balls, metal posts, or bumps can be formed on the one or more redistribution layers 110...” <br>结合附图1, 3, 7, 12等可以看出，互连结构114可以设置在基板的表面。 | 对比文件公开了在基板上设置封装互连结构（package interconnect structures）114，例如焊球、金属柱等，用于将封装连接到其他电子设备（[0032]）。虽然说明书文字未明确描述互连结构被“包括在”凹陷内，但附图（例如图3、7、12）显示互连结构114可以设置在有凹陷的表面（第一表面A1）上。本领域技术人员结合“在凹陷表面设置互连”的图示和“互连结构用于外部连接”的文字描述，能够合理推断，为了降低整体封装高度或适应表面不平整，将互连结构放置于预先形成的凹陷内是一种直接且容易想到的实施方式。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一** <br>《隐含公开》 | [0023] “One or more redistribution layers 110 can be formed on the first surface A1 and/or the second surface A2 of the semiconductor substrate to route the electrical signals... For example, the one or more redistribution layers 110 can provide electrical routing between the one or more dies 112 and the one or more vias 108 and between the one or more vias and one or more package interconnect structures 114.” | 对比文件[0023]段明确公开了在基板第一表面A1上形成重分布层110，并且其功能包括在芯片112、通孔108和封装互连结构114之间进行电路由。这公开了重分布层配置成将互连结构电耦合至通孔的技术方案。尽管该段文字主要描述了芯片-通孔-互连的信号路径，但“将互连结构电耦合至通孔”这一配置关系已被明确揭示。本领域技术人员可以理解，为了实现这种耦合，重分布层中必然包含连接互连结构和通孔的导体。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器** <br>《未公开》 | 对比文件全文未提及电容器与通孔的耦合。 | 对比文件未公开任何毗邻基板第二表面的电容器结构，更没有公开用于耦合电容器的、长度缩短的“第二穿基板通孔”。目标专利中此特征用于优化电容器性能，是对比文件完全没有涉及的技术内容。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔** <br>《未公开》 | 依赖于技术特征E，因E未公开，故I也未被公开。 | 由于形成“嵌入式电感器”的技术特征E未被对比文件公开，因此关于该电感器具体包含至少两个通孔的进一步限定特征，自然也未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器** <br>《未公开》 | 依赖于技术特征E，因E未公开，故J也未被公开。 | 同上，由于基础特征E（嵌入式电感器）未被公开，其数量上的进一步限定特征也未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球** <br>《未公开》 | [0017] “...semiconductor substrate 102, which is a substrate or interposer that substantially comprises a semiconductor material such as, for example, silicon (Si).” <br>[0032] “...one or more solder balls...” | 对比文件明确其基板是半导体基板（如硅），并非玻璃基板。尽管公开了焊球作为互连结构的一种，但基板材料的限定（玻璃基板）未被公开。玻璃基板与半导体基板在材料属性、加工工艺和应用场景上有显著区别，本领域技术人员无法从对比文件的半导体基板毫无疑义地得出或合理推断出玻璃基板。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱** <br>《直接公开》 | [0017] “...semiconductor substrate 102, which is a substrate or interposer that substantially comprises a semiconductor material such as, for example, silicon (Si).” <br>[0032] “One or more package interconnect structures 114 such as, for example, one or more solder balls, metal posts, or bumps...” | 对比文件[0017]段明确公开了基板是半导体基板（semiconductor substrate）。[0032]段明确公开了互连结构可以是金属柱（metal posts）。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征M/N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球** <br>《未公开》 | [0017] “...semiconductor substrate 102...” <br>（强调半导体材料） | 对比文件明确其基板是半导体基板，并未提及有机基板。有机基板（如层压板）与半导体基板是完全不同类型的封装基板。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷** <br>《直接公开》 | [0037] “FIG. 5 depicts another configuration... The package assembly has a recessed region 104, which is a first recessed region, and at least another recessed region 504, which is a second recessed region, formed in the first surface A1 of the semiconductor substrate 102.” | 对比文件[0037]段结合图5明确公开了在半导体基板的第一表面A1上形成第一凹陷区域104和第二凹陷区域504。因此，“第二凹陷”这一技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球** <br>《未公开》 | 对比文件未描述任何仅具有机械紧固功能而无电功能的互连。 | 对比文件中提到的所有互连结构（package interconnect structures）均用于路由电信号（[0032]），即具有电功能。目标专利中限定的“仅具有机械功能”的焊球是一个特殊的、功能受限的互连，用于纯机械固定。对比文件完全没有揭示或暗示这种仅具机械功能的互连的存在。因此，该技术特征未被公开。 |
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