对比文件名称：WO2007129526A1_Description_20260223_1512
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基板《直接公开》 | [0051] 段落：“この電子機器1は、パッケージ（PK）2と、このパッケージを実装した母板（MB）4を備え、両者は例えばピン接合16によって電気的に接続されている。母板4にも適当な印刷配線板力があり、適当な大きさの直流電圧Vinも導体回路14に供給され、また外カもピン接合16を介してパッケージ2に供給される。” <br> [0051] 译文：“该电子设备1包括封装（PK）2和安装有该封装的母板（MB）4，两者通过例如引脚连接16电连接。母板4也具有合适的印刷电路板，适当大小的直流电压Vin也供给到导体电路14，外部电源也通过引脚连接16供给到封装2。” <br> [0052] 段落：“パッケージ2は、例えばコア基板13と、このコア基板13の両面に形成された下層部分絶縁層15u、15dと、コア基板13の両面にそれぞれ形成された上層部分絶縁層25u、25dと、さらに必要に応じてその両面に形成されたソルダーレジスト層35u、35dとを有する。” <br> [0052] 译文：“封装2具有，例如，核心基板13、形成在该核心基板13两面的下层部分绝缘层15u、15d、分别形成在核心基板13两面的上层部分绝缘层25u、25d、以及根据需要进一步在其两面形成的阻焊层35u、35d。” | 对比文件明确公开了构成电子设备（电子设备1）的封装（PK）2和母板（MB）4，其中封装2具有核心基板13，母板4是印刷电路板。这些都属于“基板”的范畴。因此，技术特征A“包括：基板”被对比文件直接公开。 |
| 技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷《未公开》 | 无相关原文引用。 | 对比文件全文（包括说明书及附图描述）均未提及在基板（如核心基板13或母板4）的任一表面形成用于容纳互连的凹陷结构。其所描述的互连（如引脚连接16）是表面安装或通孔连接形式。因此，技术特征B既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| 技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分《隐含公开》 | [0051] 段落：“コア基板13上には、導体回路52u、52d及び両者を接続するスルーホール導体28が形成されている。” <br> [0051] 译文：“在核心基板13上，形成有导体电路52u、52d以及连接两者的通孔导体28。” <br> [0067] 段落：“埋め込みインダクタ10は、コア基板13に形成されたスルーホール27内に配置され、その周囲はライナー38で覆われている。” <br> [0067] 译文：“嵌入式电感器10被布置在核心基板13中形成的通孔27内，其周围被衬垫38覆盖。” <br> [0068] 段落：“このフェライト30は、スルーホール31を有する円筒形状に成形し、焼成する（工程2）。” <br> [0068] 译文：“将该铁氧体30成型为具有通孔31的圆柱形状并进行烧制（步骤2）。” <br> 图7A-C及相关描述展示了在基板中钻孔形成通孔以嵌入电感器。 | 对比文件明确公开了在基板（核心基板13）中形成通孔（スルーホール），例如用于连接导体电路的通孔导体28、用于容纳嵌入式电感器10的通孔27，以及电感器自身的通孔31。这些通孔均延伸穿过基板。虽然对比文件未提及“凹陷”，因此严格来说未区分“凹陷部分”和“非凹陷部分”，但由于其通孔结构是穿过完整的基板厚度，本领域技术人员可以毫无疑义地理解这些通孔延伸穿过的区域是基板的实体部分（即非凹陷部分）。因此，技术特征C被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端《未公开》 | 无相关原文引用。 | 由于对比文件未公开基板表面的“凹陷”（技术特征B），因此也就不存在“毗邻所述第一凹陷的区域”。技术特征D限定了穿基板通孔端部与凹陷的特定位置关系，该关系在对比文件中没有对应描述，也无法从现有内容中合理推断。因此，技术特征D既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| 技术特征E：，其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器《未公开》 | [0067] 段落：“図4（A）に示す埋め込みインダクタ（L）10は、スルーホール銅による導体（con.）32と、その周囲を取り囲む円筒状の炎によるコア30とで構成され、このスルーホール銅の内部は中空34である。” <br> [0067] 译文：“图4（A）所示的嵌入式电感器（L）10由通孔铜形成的导体（con.）32和包围其周围的圆柱状磁芯（コア）30构成，该通孔铜的内部是中空34。” <br> [0068] 段落：“埋め込みインダクタ10は、コア基板13に形成されたスルーホール27内に配置され、その周囲はライナー38で覆われている。埋め込みインダクタ10の両端面の開口部を閉塞するようにビア導体39が形成され、それぞれ導体層52u、52dに接続されている。” <br> [0068] 译文：“嵌入式电感器10被布置在核心基板13中形成的通孔27内，其周围被衬垫38覆盖。形成有通孔导体39以封闭嵌入式电感器10的两端面的开口，并分别连接到导体层52u、52d。” | 对比文件公开的嵌入式电感器（L）10是一个独立的元件，其结构是：一个圆柱形磁芯（コア30）内部具有一个通孔（31），该通孔的内壁形成导体（32）。该电感器作为一个整体被嵌入到基板的一个通孔（27）中。它并非由基板中两个独立的“穿基板通孔”通过基板另一表面的导体“耦合”而成。对比文件中的电感器是单个通孔结构，而非目标专利中由两个分离的通孔通过表面导体连接形成的环路结构。因此，技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷《未公开》 | [0051] 段落：“この電子機器1は、パッケージ（PK）2と、このパッケージを実装した母板（MB）4を備え、両者は例えばピン接合16によって電気的に接続されている。” <br> [0051] 译文：“该电子设备1包括封装（PK）2和安装有该封装的母板（MB）4，两者通过例如引脚连接16电连接。” <br> [0052] 段落：“さらに必要に応じてその両面に形成されたソルダーレジスト層35u、35dとを有する。” <br> [0052] 译文：“以及根据需要进一步在其两面形成的阻焊层35u、35d。” | 对比文件公开了互连结构，如“ピン接合16”（引脚连接16），用于连接封装和母板。然而，这些互连是位于基板表面（如通过阻焊层开口暴露的焊盘）上的，并未被“包括在凹陷内”。由于对比文件未公开“凹陷”，因此“被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷”这一技术特征没有对应基础。因此，技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。《未公开》 | [0052] 段落：“コア基板13上には、導体回路52u、52d及び両者を接続するスルーホール導体28が形成されている。下層部分絶縁層15u、15dには、導体回路54u、54d及びビアホール導体53u、53d力S形成されている。同様に、上層部分絶縁層25u、25dには、導体回路56u、56d及びビアホール導体55u、55d力S形成されている。” <br> [0052] 译文：“在核心基板13上，形成有导体电路52u、52d以及连接两者的通孔导体28。在下层部分绝缘层15u、15d中，形成有导体电路54u、54d以及通孔导体53u、53d。同样地，在上层部分绝缘层25u、25d中，形成有导体电路56u、56d以及通孔导体55u、55d。” | 对比文件描述了多层印刷电路板结构，具有在不同绝缘层上形成的导体电路（如52u， 54u， 56u）和用于层间连接的通孔导体（如28， 53u， 55u）。这些导体电路和通孔导体共同构成了基板上的布线网络。然而，对比文件并未将其描述为专门用于将表面互连（如焊球）重新分布并耦合至特定穿基板通孔的“重分布层”。目标专利中的“重分布层”特指在基板表面（尤其是具有凹陷的表面）上形成、用于实现互连与穿基板通孔之间电连接的图案化导电层。对比文件中的导体电路是常规的多层板布线的一部分，其功能和配置目标与目标专利的重分布层不同。因此，技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。《未公开》 | [0053] 段落：“薄膜キャパシタ（C）8は、コア基板導体回路52u-l、下層導体回路54u-1及び両導体回路間に誘電体8を介在させて形成された薄膜キャパシタであり、好ましくはMPU6の近傍に形成されている。” <br> [0053] 译文：“薄膜电容器（C）8是通过在核心基板导体电路52u-l、下层导体电路54u-1以及两个导体电路之间介电体8而形成的薄膜电容器，优选形成在MPU6的附近。” | 对比文件公开了薄膜电容器（C）8，但其位置描述为“在核心基板导体电路52u-l、下层导体电路54u-1之间”，这意味着它可能形成在基板内部或表面，并未明确“毗邻所述基板的对向的第二表面”。更重要的是，对比文件没有公开任何“第二穿基板通孔”（即从凹陷延伸的、短于基板厚度的通孔）电耦合至该电容器。因此，技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。《未公开》 | [0067] 段落：“図4（A）に示す埋め込みインダクタ（L）10は、スルーホール銅による導体（con.）32と、その周囲を取り囲む円筒状の炎によるコア30とで構成され、このスルーホール銅の内部は中空34である。” <br> [0067] 译文：“图4（A）所示的嵌入式电感器（L）10由通孔铜形成的导体（con.）32和包围其周围的圆柱状磁芯（コア）30构成，该通孔铜的内部是中空34。” | 如特征E所述，对比文件公开的嵌入式电感器是单个通孔结构（一个具有导电内壁的通孔），而非由至少两个独立的穿基板通孔构成。因此，技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。《隐含公开》 | [0056] 段落：“また、パッケージ2への給電は、一組の電源回路（即ち、薄膜キャパシタ8、基板埋め込みインダクタ10及びスイッチングIC12の一組）に限られない。MPU6等への給電容量が大きい場合には、複数組の電源回路を用意し、これらの電源回路を並列に接続して各電源回路が給電を分担できるようにしてもよい。この場合、薄膜キャパシタ8、基板埋め込みインダクタ10及び電源IC（PW IC）12の必要組数をそれぞれ用意する。” <br> [0056] 译文：“另外，对封装2的供电不限于一组电源电路（即，一组薄膜电容器8、基板嵌入式电感器10和开关IC12）。在向MPU6等的供电容量大的情况下，可以准备多组电源电路，将这些电源电路并联连接，使得各电源电路能够分担供电。此时，分别准备薄膜电容器8、基板嵌入式电感器10和电源IC（PW IC）12的必要组数。” | 对比文件在描述电源电路配置时提到，可以根据需要准备“多组”电源电路，每组包含“基板嵌入式电感器10”。这隐含了可以在一个封装或基板上设置多个嵌入式电感器的可能性。虽然未明确图示多个完全相同的电感器，但本领域技术人员根据供电需求可以合理推断出设置多个嵌入式电感器的方案。根据宽松的隐含公开判断标准，技术特征J被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。《未公开》 | 无相关原文引用。 | 对比文件未提及基板材料为玻璃。其提到的基板材料涉及“コア基板”（核心基板，通常为有机材料如FR-4、环氧树脂等）、“フェライト”（铁氧体，用于电感器磁芯）、“複合材料”（复合材料，磁性粉末与树脂）。互连方式为“ピン接合”（引脚连接）或表面贴装，未提及使用“焊球”作为第一互连。因此，技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。《未公开》 | 无相关原文引用。 | 对比文件未提及基板材料为半导体基板（如硅）。其互连方式也未提及“金属柱”。因此，技术特征L未被公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。《未公开》 | [0052] 段落：“パッケージ2は、例えばコア基板13と...” <br> [0071] 段落：“ここで、比較例として有機材料（FR - 4）で形成されたコア材（比透磁率=1）を示す。” <br> [0071] 译文：“这里，作为比较例，示出了由有机材料（FR-4）形成的核心材料（相对磁导率=1）。” | 对比文件提到的“コア基板13”在印刷电路板领域通常为有机材料（如FR-4环氧玻璃布层压板），因此可以认为隐含公开了有机基板。然而，对比文件未公开“第一互连包括焊球”。其互连是“ピン接合”（引脚连接），并非焊球。因此，技术特征M中关于基板材料的部分可能被隐含，但关于互连为焊球的部分未被公开。由于该技术特征是一个整体，要求两者同时具备，故技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。《未公开》 | 同技术特征M。 | 此特征与技术特征M完全相同，基于相同理由，未被公开。 |
| 技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷《未公开》 | 无相关原文引用。 | 同技术特征B，对比文件未公开任何凹陷结构。因此，技术特征O未被公开。 |
| 技术特征P：以及<br>所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。《未公开》 | 无相关原文引用。 | 由于对比文件未公开“凹陷”，因此不存在“被包括在第二凹陷内”的互连。同时，对比文件也未提及具有“仅机械功能”的焊球互连。因此，技术特征P未被公开。 |
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