### **对比文件名称**：2011-11-16_TW201140768A_发明专利_TW201140768A 凹陷的半導體基底 RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
### **目标专利名称**：203具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B
### **本次调用模型名称**：GPT-4
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0024]段：“图1描绘了依照各种实施方式的封裝元件100的配置。封裝元件100包括半導體基底102，半導體基底102是實質上包括諸如矽(Si)之類的半導體材料的基底或內插板(interposer)。” | 对比文件明确公开了其封装元件包括“半導體基底”，该基底是其核心结构。该“基底”在封装中的作用是承载和连接其他元件（如裸片、互连结构），这与目标专利中“基板”作为承载和集成无源器件、连接互连结构的基础平台的作用相同。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0024]段：“根據各種實施方式，使第一表面A1的一部分相對於第一表面A1的其他部分凹陷，以形成半導體基底102的凹陷區域104。”<br>说明书第[0038]段步骤2004：“方法2000還包括使半導體基底凹陷以形成一個或更多個凹陷區域（例如圖1的凹陷區域104）。” | 对比文件明确教导了使基板（半导体基底）的第一表面A1的一部分凹陷以形成“凹陷區域”。该凹陷的作用是为形成通孔提供较薄的区域，以降低工艺难度和成本。目标专利中凹陷的作用是容纳互连以降低封装高度。虽然具体作用目的不完全相同，但“在基板第一表面形成凹陷”这一结构特征本身已被对比文件明确且直接地公开。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分**<br>**《隐含公开》** | 说明书第[0024]段：“在半導體基底102的凹陷區域104中形成一個或更多個過孔112...該一個或更多個過孔112一般提供在半導體基底102的第一表面A1和第二表面A2之間的電通路或熱通路。”<br>说明书第[0038]段步骤2006：“在半導體基底中形成一個或更多個過孔...一個或更多個過孔一般形成在凹陷區域中，以提供在半導體基底的第一表面和第二表面之間的電通路和/或熱通路。” | 对比文件公开了在“凹陷區域”中形成贯穿基板的“過孔”。目标专利强调其通孔穿过“非凹陷部分”。虽然表述有差异，但本领域技术人员可以理解，在对比文件的基板中，除了凹陷区域外，其余部分（如较厚区域106）即为“非凹陷部分”。形成于凹陷区域的过孔，其孔道必然穿过基板的实体材料部分（即非凹陷部分）以连接两个表面。因此，本领域技术人员能够从对比文件“在凹陷区域中形成贯穿基板的过孔”这一教导中，毫无困难地推断出存在“延伸穿过基板的非凹陷部分的通孔”这一技术特征。该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端**<br>**《隐含公开》** | 说明书第[0024]段：“在半導體基底102的凹陷區域104中形成一個或更多個過孔112。”<br>图1所示，过孔108形成于凹陷区域104内。 | 对比文件明确记载过孔“形成在凹陷區域中”。这意味着过孔在基板第一表面上的开口（即第一端）必然位于该凹陷区域的范围内或边界上。从空间位置关系上理解，“位于凹陷区域内”与“毗邻凹陷区域”是高度关联且可合理推断的，因为要形成电连接，通孔的端部需要与凹陷区域内的结构（如后续的互连或再分布层）相邻或相接。因此，本领域技术人员能够合理推断出对比文件中的过孔在第一表面的端部位于或毗邻凹陷区域。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征E：，其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器**<br>**《未公开》** | 对比文件通篇未提及利用两个穿基板通孔通过第二表面上的导体相互连接以形成电感器。说明书第[0025]段提到：“一個或更多個其他的有源元件或者無源元件可安裝在半導體基底102上。該組件可包括...電感器...”，但这是指安装于基板上的分立元件，并非由基板内的通孔结构“形成”的嵌入式电感器。 | 目标专利的该特征限定了由两个穿基板通孔通过第二表面导体耦合形成“嵌入式电感器”这一特定的无源器件结构。对比文件虽然公开了穿基板通孔和再分布层导体，但其通孔主要用于为裸片提供垂直互连（电/热通路），导体用于信号路由，从未教导或暗示将两个通孔在第二表面用导体连接起来以构成电感线圈。形成嵌入式电感器是目标专利的核心发明点之一，对比文件完全没有公开这一具体技术手段。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0025]段：“在一個或更多個再分佈層110上可以形成諸如一個或更多個焊料球、金屬柱或凸點之類的一個或更多個封裝互連結構114...”<br>图1、3、4、7等图示了封装互连结构114。结合凹陷区域104的结构（图1），互连结构114可以布置在凹陷区域上方或与其连接。说明书第[0031]段图7描述：“一個或更多個封裝互連結構114耦合到其他凹陷區域504的第一表面A1。” | 对比文件公开了“封裝互連結構”（如焊料球、金属柱），并明确这些互连结构可以耦合到基板的表面，包括凹陷区域的表面（如图7）。当互连结构位于或耦合到凹陷区域时，它即被“包括在”或“耦合至”该凹陷区域。这与目标专利中“互连被包括在凹陷内并耦合至凹陷”的特征完全对应。该特征被直接公开。 |
| **技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0024]段：“在該半導體基底102的第一表面A1和/或第二表面A2上可以形成一個或更多個再分佈層110，以路由耦合至半導體基底102的一個或更多個裸片112的電信號。舉例而言，一個或更多個再分佈層110可以在一個或更多個裸片112和一個或更多個過孔108之間以及在一個或更多個過孔108和一個或更多個封裝互連結構114之間提供電路由。” | 对比文件明确公开了在基板第一表面A1上形成“再分佈層”（即重分布层），并且其作用就是在互连结构114和过孔108之间提供电路由。这正是目标专利中重分布层“被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一”的功能。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。**<br>**《未公开》** | 对比文件未提及在基板第二表面集成电容器，也未提及专门用于连接电容器的“第二穿基板通孔”。说明书第[0025]段提到可安装“電容器”等无源元件，但未限定其位置为“毗邻第二表面”，也未描述通过特定短通孔连接。 | 目标专利的该特征是一个附加的、具体的组合特征：在基板第二表面集成电容器，并用一种从凹陷开始的、长度较短的通孔（第二穿基板通孔）专门连接它，以减小寄生参数。对比文件完全没有公开这种特定的器件布局和通孔连接关系。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。**<br>**《未公开》** | 同特征E，对比文件未公开“嵌入式电感器”这一结构。 | 该特征是对特征E中电感器构成的进一步限定。由于特征E未被公开，该从属特征所依附的上位概念不存在，因此该特征也未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。**<br>**《未公开》** | 同特征E，对比文件未公开“嵌入式电感器”这一结构。 | 该特征是对包含多个电感器的进一步限定。由于特征E未被公开，该从属特征所依附的上位概念不存在，因此该特征也未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。**<br>**《未公开》** | 对比文件说明书第[0024]段明确其基底是“半導體基底”，材料是“諸如矽(Si)之類的半導體材料”。未提及玻璃基板。 | 目标专利该特征将基板材料限定为“玻璃”，并将互连限定为“焊球”。对比文件公开的基板是半导体材料（如硅），虽然也公开了焊球作为互连，但基板材料的限定不同。基板材料（玻璃 vs. 半导体）是封装结构的关键属性，涉及不同的物理和工艺特性，因此对比文件未公开该特定组合。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0024]段：“半導體基底102是實質上包括諸如矽(Si)之類的半導體材料的基底...”<br>说明书第[0025]段：“在一個或更多個再分佈層110上可以形成諸如一個或更多個焊料球、**金屬柱**或凸點之類的一個或更多個封裝互連結構114...” | 对比文件明确公开了基板是“半導體基底”（即半导体基板），并且其互连结构可以是“金屬柱”。这与该特征的定义完全吻合。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。**<br>**《未公开》** | 对比文件未提及有机基板。其基板明确为半导体材料。 | 目标专利该特征将基板材料限定为“有机基板”。对比文件未公开任何关于有机基板的内容。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。**<br>**《未公开》** | （注：此特征与特征M文字描述完全相同，可能为重复或笔误。基于相同理由判断为未公开。） | 同特征M，对比文件未公开有机基板。 |
| **技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷**<br>**《直接公开》** | 说明书第[0030]段图5描述：“封裝元件500具有形成在半導體基底102的第一表面A1中的作為第一凹陷區域的凹陷區域104和作為第二凹陷區域的至少另一凹陷區域504。” | 对比文件明确公开了在基板第一表面形成多个凹陷区域（例如第一凹陷区域104和第二凹陷区域504）的实施例。这与“第二凹陷”的特征完全一致。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。**<br>**《隐含公开》** | 说明书第[0030]段图7描述：“一個或更多個封裝互連結構114耦合到其他凹陷區域504的第一表面A1。”<br>说明书第[0025]段将“封裝互連結構114”描述为用于将封装电耦合到另一电子器件（如电路板）。互连结构通常同时具备电连接和机械固定功能。 | 对比文件公开了在第二凹陷区域（其他凹陷區域504）内耦合封装互连结构（如焊球）。本领域技术人员公知，封装互连结构（如焊球、焊料球）在实现电连接的同时，必然也起到将器件机械紧固到电路板的作用。虽然对比文件未明确说明某个互连“仅”具有机械功能，但存在一种合理的可能性，即根据电路设计需要，部分互连可以仅被分配用于机械支撑和固定，而不传输电信号。这种用途是本领域的常规技术选择。因此，可以认为对比文件隐含公开了在第二凹陷内设置用于机械紧固的互连（焊球）这一特征。 |
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