**对比文件名称**：2010-12-30_US2010328328A_发明申请_US20100328328A1 HYBRID ELECTRIC DEVICE USING PIEZO-ELECTRIC POLYMER SUBSTRATE AND ITS FABRICATION METHOD
**目标专利名称**：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《未被公开》 | 说明书第[0106]段：“a vibration-generating device (or vibration-sensing device) 8c ... applying the AC voltage to ITO electrodes ... in a state where the ITO electrodes 2a and 2b are formed both surfaces of the PVDF substrate 8c as a piezoelectric polymer substrate, respectively. Such a vibration (sound)-generating device ... may be applied to a vibration sensor or a sound (sound wave) sensor.” | 对比文件公开了一种“振动传感设备”，其基于PVDF基板的压电效应，能够将外部声音或振动（机械信号）转换为电信号。这与目标专利中“用于检测超声波能量”的“超声波接收器”在功能上（将机械波转换为电信号）存在相似之处。然而，目标专利的超声波接收器特指用于检测**反射的超声波**，具体应用在例如指纹成像的传感系统中，其检测对象、工作频率和应用场景与对比文件泛指的振动/声音传感器有本质区别。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出专门用于检测超声波能量（尤其是用于成像）的接收器。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《未被公开》 | 说明书第[0058]段：“The integrated, composite hybrid electric device shown in FIG. 1 is fabricated by forming three devices 8a, 8b and 8c ... on a single flexible substrate 1”； 第[0061]段：“it is required that electrode patterns 2a and 2b to be used as electric conductors should be first formed on the PVDF substrate 1.” | 对比文件公开了在单个柔性PVDF衬底上形成多个功能器件（如显示、存储、振动传感），并首先在衬底上形成电极图案。然而，“像素电路的阵列”在目标专利中特指一种包含多个可独立寻址的传感单元（每个单元包含TFT等电路）的有源矩阵结构，用于空间分辨地检测信号。对比文件仅描述了形成用于不同器件的电极图案和功能层，并未描述任何由多个包含晶体管（TFT）的像素电路构成的“阵列”结构。本领域技术人员无法从对比文件中的电极图案直接或隐含地得到“像素电路的阵列”这一特定结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未被公开》 | 说明书第[0115]段：“Then, a PKV thin film containing the nano-particles are stacked on the lower electrode through a process in which the PKV solution is uniformly deposited on the lower electrode patterned on the substrate using a spin coating apparatus, is coated on the surface of a selected region on the lower electrode using an inkjet printer...” | 对比文件公开了使用旋涂（spin coating）或喷墨打印（inkjet printer）将含有聚合物的溶液（如PKV溶液）涂布到已图案化的电极上的工艺。然而，该工艺在对比文件中是用于形成**存储器件的导电聚合物层**（第[0114]-[0116]段），其目的和形成的层（包含纳米颗粒的导电聚合物层）与目标专利中为形成**压电层**而“涂布含有聚合物的溶液”完全不同。目标专利的涂布对象是“像素电路的阵列”，而对比文件的涂布对象是作为下电极的图案化ITO。虽然涂布方法（如旋涂）本身相同，但涂布的目的、所形成的层结构及其在器件中的功能均不同。本领域技术人员不能从对比文件用于形成存储层的涂布工艺，直接或合理地推断出将其用于在像素电路阵列上形成压电层的技术方案。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《未被公开》 | 无相关描述。 | 对比文件全文均未提及“薄膜晶体管（TFT）元件”或“像素输入电极”。其器件结构基于在PVDF衬底上形成的电极图案以及堆叠在其上的各种功能层（如电致变色层、发光层、导电聚合物层），并未描述每个传感或显示单元包含独立的、用于开关和信号读出的TFT元件及与之电连接的专用输入电极。该特征是目标专利实现有源矩阵传感的核心。因此，该技术特征在对比文件中既未直接公开，也无法通过合理推断得出。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《未被公开》 | 无相关描述。 | 对比文件虽然使用了PVDF作为压电聚合物衬底，并提及了其压电性（第[0059]段），但并未描述通过“使聚合物结晶”来形成该压电层的过程。具体而言，对比文件没有公开将含有聚合物的溶液涂布后，通过特定温度处理（如在居里温度与熔点之间焙烤）使其从非晶态转变为结晶态，从而形成“结晶聚合物层”的工艺步骤。目标专利的该特征是专门为制造高性能压电层而设的关键工艺。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《未被公开》 | 说明书第[0059]段：“a PVDF substrate can be used which is subjected to mechanical poling under an electric field after stretched”。 | 对比文件提及PVDF衬底在拉伸后需要“在电场下进行机械极化（poling）”，这公开了使PVDF具有压电性的一种“成极（poling）”工艺。然而，对比文件未描述该成极工艺是施加在“结晶聚合物层”上，也未描述该工艺是为了形成与“像素输入电极”电接触的“压电层”。在对比文件的上下文中，PVDF是作为预先制备好的柔性衬底（基板）存在，其压电性可能是预先赋予的。而成极工艺的对象是整个衬底，并非在像素电路阵列上专门形成的、并与像素输入电极接触的压电层。此外，对比文件不存在“像素输入电极”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《未被公开》 | 说明书第[0106]段：“applying the AC voltage to ITO electrodes 2a and 2b ... respectively”； 图1显示器件8c的PVDF衬底两侧均有电极（2a, 2b）。 | 对比文件公开了在作为振动传感/发生器的PVDF衬底两侧形成电极（如ITO电极），并通过施加AC电压来驱动或传感。这可以视为在压电层（PVDF衬底本身）上设置了电极。然而，目标专利的“接收器偏置电极”特指沉积在**专门形成的压电层**上，并用于**控制信号传递至TFT元件**的电极。对比文件中的电极是直接做在作为基板的PVDF上，用于对整个压电衬底施加电场以产生或检测振动，其功能是驱动/传感而非有源矩阵读取中的“偏置”以控制信号传递至TFT。更重要的是，对比文件没有TFT元件，因此其电极不可能被配置为控制信号传递至TFT。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《未被公开》 | 说明书第[0066]段：“an indium tin oxide (ITO) is deposited on the substrate 1 by means of vacuum vapor deposition to thereby form an ITO electrode thin film”。 | 对比文件公开了使用真空沉积形成ITO导电薄膜作为电极。然而，该电极在对比文件中是作为各种器件（显示、存储、振动传感）的通用下电极或上电极（第[0097], [0115]段），并非目标专利中特指的、与每个像素电路中的TFT元件电连接的“像素输入电极”。由于“像素输入电极”这一主体未被公开，其由“导电薄膜形成”的具体构成特征也就失去了比对的基础。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未被公开》 | 无相关描述。 | 对比文件全文未提及在涂布任何溶液之前，先涂布“助粘剂”（如HMDS）以增强附着力的工艺步骤。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《隐含公开 (j)》 | 说明书第[0115]段：“using a spin coating apparatus, is coated ... using an inkjet printer”。 | 对比文件明确公开了使用“旋涂（spin coating）”和“喷墨打印（inkjet printer）”来涂布含有聚合物的溶液（PKV溶液）。喷墨打印是“施配（dispensing）”或“喷射（jetting）”的一种具体方式。虽然对比文件中涂布的溶液和目的（形成存储层）与目标专利不同，但“旋涂”和“喷墨打印/喷射”作为具体的溶液涂布工艺手段已被明确公开。本领域技术人员可以理解，这些是涂布聚合物溶液的常用方法，有可能会被选择用于涂布其他聚合物溶液，包括目标专利中的压电聚合物溶液。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开 (K)》 | 说明书第[0058]-[0059]段：“a flexible piezoelectric polymer substrate 1 ... a PVDF substrate”； 第[0008]段：“a piezoelectric polymer film such as a polyvinylidene fluoride (PVDF) film”。 | 对比文件明确且反复地公开了使用“聚偏二氟乙烯（PVDF）”作为压电聚合物基板。PVDF是公知的铁电聚合物。这与目标专利中“聚合物包含铁电聚合物”的技术特征完全相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未被公开》 | 无相关描述。 | 对比文件虽然使用了PVDF（具有居里温度和熔点），但完全没有描述涉及“在居里温度与熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时”的结晶工艺步骤。该特征是目标专利中使涂布的聚合物溶液形成结晶聚合物层的具体工艺条件。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未被公开》 | 无相关描述。 | 对比文件全文未提及在执行成极（极化）工艺之前，施加导电材料将任何电路的端子短路到接地的保护措施。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未被公开》 | 无相关描述。 | 对比文件全文未提及“导电橡胶”或“导电墨水”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未被公开》 | 无相关描述。 | 对比文件中描述的电极其材料包括ITO、铝等（第[0066], [0116]段），但从未提及由“第一铜子层和第二镍子层”构成的电极结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未被公开》 | 无相关描述。 | 对比文件完全没有提及任何关于电极子层具体厚度的数值，更未提及“150埃厚的铜子层”和“850埃厚的镍子层”。因此，该技术特征未被公开。 |
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