对比文件名称：2012-08-21_US8247802B_发明授权_US08247802B2 Memory element and semiconductor device
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器 CN105264545B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《未公开》 | 无 | 对比文件涉及存储元件和半导体设备（例如RFID），其有机化合物层用于数据存储（通过铁电材料的极化状态表示数据），并非用于检测超声波能量。对比文件全文未提及“超声波接收器”、“超声波能量”或任何声学传感功能。因此，技术特征A未被公开。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《未公开》 | 无 | 对比文件公开了“memory cell array”（存储单元阵列），其包含在衬底上排列的存储单元（例如图3B，[0067]段）。然而，目标专利的“像素电路阵列”专指用于检测和读取超声波信号的传感阵列，每个像素电路包含用于信号读出的TFT元件。对比文件的“存储单元阵列”用于数据存储和读取，其单元结构（如一对电极间夹有有机化合物层）和作用与作为传感器的像素电路阵列有本质不同。因此，技术特征B未被公开。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《隐含公开 (c)》 | [0006]段：“This is because a film of a high molecular material can be easily formed by a wet process such as spin coating, an inkjet method, a dip coating method, an LB method, a printing method, or a spray method, and a thin film with a favorable film quality can be formed.”<br>[0070]段：“Next, an organic compound layer 29 is formed to cover the first conductive layer 27 (FIG. 4B). The organic compound layer 29 can be formed by a droplet discharge method, a printing method, or a spin coating method.” | 对比文件明确公开了通过湿法工艺（如旋涂、喷墨、浸涂等）在衬底（或第一导电层）上形成高分子材料（即聚合物）薄膜。虽然对比文件的应用场景是制造存储元件的有机化合物层，而非超声波接收器的压电层，但“将含有聚合物的溶液涂布到阵列的第一侧上”这一制造步骤本身在对比文件中被明确教导。本领域技术人员可以从对比文件公开的涂布方法中，毫无困难地推断出可以采用相同或类似的涂布工艺将含有聚合物的溶液涂布到另一结构（如像素电路阵列）上。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《未公开》 | [0061]段（图2D，2E）：描述了在存储元件部分之上或之下形成薄膜晶体管（TFT）或场效应晶体管（FET）。 | 对比文件提到了TFT作为存储单元的开关元件（如主动矩阵型存储器）。然而，目标专利的“像素输入电极”是像素电路中专门用于电耦合压电层以接收电荷的电极。对比文件中并未公开与像素电路中的TFT元件电耦合、并用于接收传感信号的“像素输入电极”。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《未公开》 | [0052]-[0055]段：讨论了高分子材料主链的立构规整度（tacticity）控制（如90%以上），以及通过控制规整度获得特定的规则空间结构（如螺旋结构），从而使侧链酰胺基团规则排列并形成分子内氢键，形成高分子链。提到了“结晶”状态。 | 对比文件侧重于通过控制高分子主链的立构规整度来获得规则的分子排列和氢键链，以实现铁电存储性能。它提到了高分子链的“结晶”状态或规则结构。然而，目标专利的“使聚合物结晶以形成结晶聚合物层”是一个具体的制造工艺步骤，旨在将涂布的非晶或部分结晶聚合物转化为具有压电性所需的结晶态，通常涉及特定的热处理（如焙烤）。对比文件没有描述这样一个明确的、作为制造工艺步骤的“结晶”过程。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《未公开》 | [0007]-[0008]段：提到由于永久偶极矩的存在，材料表现出铁电性，偶极矩方向可通过施加电场反转。<br>[0225]-[0227]段（图27）：描述了通过施加电场（+Pmax, -Pmax）来改变铁电材料的剩余极化状态，用于数据写入。 | 对比文件公开了向铁电材料（包括高分子铁电材料）施加电场以改变其极化状态，用于数据存储。这本质上是一种“极化”或“成极”过程。然而，目标专利的“成极工艺”是为了形成用于超声波传感的“压电层”，并且要求该压电层与“像素输入电极电接触”。对比文件中的电场施加是在存储单元的两个电极之间进行，目的是设定存储状态，而非旨在形成一个与特定像素输入电极电接触的、用于传感的压电功能层。两者的目的和作用不同。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《未公开》 | [0048]段：描述了第一导电层27和第二导电层28作为存储单元的电极。<br>多处（如图1A，4D）显示在有机化合物层上形成第二导电层。 | 对比文件公开了在有机化合物层上形成导电层（第二导电层）。然而，目标专利的“接收器偏置电极”具有特定的功能：“经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件”，这在超声波接收器操作中用于偏置和信号选择。对比文件中的第二导电层是存储单元的电极之一，用于施加读写电压，其功能是数据存取，而非控制传感信号向TFT元件的传递。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《未公开》 | [0049]段：“Alternatively, a transparent conductive material may be used. As the transparent conductive material, indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide in which gallium is added (GZO), or the like or another light-transmitting conductive oxide material can be used.” | 对比文件公开了使用透明导电薄膜（如ITO、IZO）作为导电材料。然而，如特征D所述，对比文件并未公开“像素输入电极”这一构件。因此，公开导电薄膜材料本身不足以公开“像素输入电极是由导电薄膜形成的”这一具体特征。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 无 | 对比文件全文未提及在涂布有机化合物层之前或过程中使用“助粘剂”（adhesion promoter）。因此，技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《直接公开 (J)》 | [0006]段：“...a wet process such as spin coating, an inkjet method, a dip coating method, an LB method, a printing method, or a spray method...”<br>[0070]段：“...formed by a droplet discharge method, a printing method, or a spin coating method.” | 对比文件明确且直接地公开了用于形成高分子材料薄膜的多种涂布方法，包括旋涂（spin coating）、浸涂（dip coating）、喷墨（inkjet，可视为一种施配或喷射）、喷涂（spray，可视为喷射）。“槽缝式涂布”虽未明确列出，但作为常见的湿法涂布工艺，本领域技术人员在对比文件公开的多种涂布方法基础上，容易联想到其同样适用。因此，技术特征J被直接公开。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开 (K)》 | [0007]段：“Due to polarization formed by a permanent dipole included in a bond having high polarizability, these materials show ferroelectricity.” 其中列举的材料包括PVDF、P(VDF/TrFE)等。<br>[0008]段明确指出这些聚合物“show ferroelectricity”。 | 对比文件明确列举了多种表现出铁电性（ferroelectricity）的高分子材料，如PVDF及其共聚物，这些都属于铁电聚合物。因此，技术特征K被直接公开。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | 无 | 对比文件没有提及任何关于铁电聚合物的“居里温度”和“熔点”，也没有描述在特定温度范围内进行“焙烤至少一小时”以使聚合物结晶的工艺步骤。因此，技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 无 | 对比文件没有描述在极化（成极）工艺之前，使用导电材料将电路端子短路到接地的保护措施。因此，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 无 | 对比文件没有提及“导电橡胶”或“导电墨水”用于上述短路目的。因此，技术特征N未被公开。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》 | 无 | 对比文件虽然公开了电极可以由多种金属（如Au, Ag, Pt, Ni, Cu, Al等）或其合金制成（[0048]段），但从未具体描述接收器偏置电极，更没有公开其具有特定的“第一铜子层和第二镍子层”的叠层结构。因此，技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何关于铜层和镍层的具体厚度数值。因此，技术特征P未被公开。 |
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