**对比文件名称**：JPS58186981A_Description_20260223_1513
**目标专利名称**：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
**本次调用的模型名称**：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落/部分) | 公开性论述 |
| **A：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》** | [0001]中提及“声波受信素子”（即声波接收元件）及“マイクロホン”（即麦克风），其作为输入输出转换元件，用于接收声波/超声波信号。 | 对比文件明确公开了“声波受信素子”这一元件，其作用是将接收到的声波（包含超声波）能量转换为电信号，这与目标专利中超声波接收器用于检测超声波能量的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了该技术特征。 |
| **B：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《未公开》** | 对比文件全文未提及“像素电路阵列”或类似结构。其描述的是在绝缘性固体层（例如聚酯薄膜）上形成电极和压电聚合物薄膜的输入输出转换元件（参见[0001]）。 | 目标专利的核心结构之一是包含TFT元件的像素电路阵列，其用于对接收到的信号进行像素化的读取和处理。对比文件公开的是一种整体性的薄膜传感器结构，并未公开任何像素化的、由独立电路单元构成的阵列结构。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **C：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《直接公开》** | [0001]中记载：“...高分子ポリマーの溶液…を塗布して…ピエゾ電気性ポリマー薄膜層を形成する”（将高分子聚合物溶液…涂布以形成压电性聚合物薄膜层）。具体涂布方法如“スピンナ法”（旋涂法）等（参见[0001]）。 | 对比文件明确公开了通过涂布含有聚合物（如VDF-TrFE共聚物）的溶液来形成压电薄膜层的方法。虽然涂布对象是“基板”或“电极层表面”而非“像素电路阵列”，但“涂布含有聚合物的溶液”这一制造步骤本身已被直接公开。其作用都是形成压电功能层。 |
| **D：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《未公开》** | 对比文件全文未提及“薄膜晶体管（TFT）”、“像素电路”或“像素输入电极”。其电极（第一电极、第二电极）是用于施加极化电压或引出信号的连续层或图案化层（参见[0001]）。 | 目标专利的像素电路及其包含的TFT元件和像素输入电极是实现有源矩阵传感、信号放大和寻址的关键。对比文件中的输入输出转换元件是一个整体性的双层电极夹压电膜结构，不具备像素化的主动寻址功能。因此，该特征未被公开。 |
| **E：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《隐含公开》** | [0001]中记载：“溶媒を…除去して得られる成形体”（通过去除溶剂得到的成型体），以及通过极化使未拉伸薄膜具有压电性。要形成具备良好压电性的聚合物薄膜，本领域技术人员公知需要使聚合物分子链形成有序的晶体结构（如β晶型）。 | 对比文件虽未明确描述“结晶”这一步骤，但公开了从聚合物溶液中去除溶剂形成薄膜，并随后进行极化使其具备压电性。对于本领域技术人员而言，为了使铁电聚合物（如PVDF-TrFE）具备压电性，使其分子链形成极性晶体（如β晶型）是必要的先决条件。从“溶液涂布”到“具备压电性的薄膜”这一过程，必然隐含了聚合物从无定形态向结晶态转变的步骤（如溶剂挥发过程中的结晶或后续热处理诱发结晶）。因此，该特征可以被合理推断为隐含公开。 |
| **F：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《直接公开》** | [0001]中详细描述了极化（ポーリング）工艺：“この薄膜の両側に金属を蒸着し、あるいは、この薄膜間に電極を挿入して、これに直流電圧を印加してポーリングする”（在该薄膜的两侧蒸镀金属，或者在该薄膜间插入电极，对其施加直流电压进行极化）。并且，形成的压电薄膜层与第一电极和第二电极均接触。 | 对比文件明确公开了通过对形成的聚合物薄膜施加直流电场（极化）使其具备压电性的工艺。同时，公开了压电薄膜层与两侧电极电接触的结构。虽然对比文件中的电极是整体性的“第一电极”和“第二电极”，而非目标专利中像素化的“像素输入电极”，但“施加电场形成压电层”以及“压电层与电极电接触”这两个技术手段已被直接公开，且作用相同（赋予薄膜压电性并建立电连接）。 |
| **G：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《未公开》** | [0001]中提到在压电聚合物薄膜上形成“第二の電極”（第二电极）。 | 对比文件公开了在压电薄膜上形成电极（第二电极）。然而，目标专利中的“接收器偏置电极”具有特定的作用：“控制相应信号被传递至所述TFT元件”，这与其在有源矩阵读取电路中的偏置和信号选通功能相关。对比文件中的第二电极仅作为引出信号或施加极化电压的电极，并未公开其用于控制信号传递至TFT元件这一特定功能。因此，该特征未被公开。 |
| **H：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《直接公开》** | [0001]中记载了电极的形成方法：“蒸着、スパッタリング、電気化学めっき、塗布、銀ペーストなどの印刷”（蒸镀、溅射、电化学镀、涂布、银浆印刷等），这些方法形成的均是导电薄膜。 | 对比文件公开了通过蒸镀、溅射等方法在绝缘固体层上形成电极，这些方法形成的电极本质上是导电薄膜。虽然对比文件未使用“像素输入电极”这一术语，但其“第一电极”的形成方式涵盖了“由导电薄膜形成”这一技术特征。因此，该特征被直接公开。 |
| **I：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》** | 对比文件全文未提及“助粘剂”或任何用于增强聚合物薄膜与下层基底粘附的中间层。 | 目标专利中“涂布助粘剂”是提高压电层与下方像素电路阵列之间结合力的特定步骤。对比文件未公开任何关于使用助粘剂的内容。因此，该特征未被公开。 |
| **J：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《直接公开》** | [0001]中明确列举了涂布方法：“スピンナ法、浸漬引き上げ法（ディッピング法）、キャスティング法、あるいはバーコーターなどによる塗布方法”（旋涂法、浸渍拉出法（浸涂法）、流延法、或者使用刮涂机等的涂布方法）。 | 对比文件明确公开了多种涂布高分子聚合物溶液的具体方法，其中包括了旋涂（スピンナ法）和浸渍（ディッピング法）。这些方法与目标专利中列举的“旋涂”、“浸渍”等方法实质相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **K：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》** | [0001]开篇即说明：“高分子ポリマーを例えばポーリングによって圧電性としたもの”（例如，通过极化使高分子聚合物具有压电性），并具体例举了“ビニリデンフルオライド（VDF）とトリフルオロエチレン（TrFE）を主成分とする共重合体”（以偏氟乙烯（VDF）和三氟乙烯（TrFE）为主要成分的共聚物），即PVDF-TrFE，这是一种公知的铁电聚合物。 | 对比文件明确将PVDF-TrFE共聚物作为压电聚合物的实施例，而PVDF-TrFE是本领域公认的铁电聚合物。因此，“聚合物包含铁电聚合物”这一特征被直接公开。 |
| **L：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》** | 对比文件未提及聚合物的“居里温度”和“熔点”，也未公开在特定温度范围内进行“焙烤”至少一小时的结晶工艺。 | 目标专利中限定了通过特定温度范围（居里温度与熔点之间）和时长（至少一小时）的焙烤来实现聚合物结晶的具体工艺条件。对比文件仅泛泛提及从溶液中去除溶剂形成薄膜，并未公开如此具体的热处理结晶条件。因此，该特征未被公开。 |
| **M：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》** | 对比文件未提及在极化（成极）工艺前，将任何电路的端子短接到接地。 | 目标专利中该特征是为了在施加高压电场进行极化时，保护敏感的TFT像素电路免受损害而采取的特定防护措施。对比文件的极化工艺描述中未涉及此类保护电路的措施。因此，该特征未被公开。 |
| **N：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》** | 对比文件未提及“导电橡胶”或“导电墨水”。 | 由于特征M未被公开，且对比文件中也未出现“导电橡胶”或“导电墨水”的材料，因此该特征未被公开。 |
| **O：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》** | 对比文件在实施例1中提到电极材料为“Al”（铝）（参见[0001]结尾），未提及由铜和镍构成的双层结构。 | 目标专利限定了接收器偏置电极的特定材料构成（铜子层和镍子层）。对比文件公开的电极材料是铝，并未公开铜/镍双层结构。因此，该特征未被公开。 |
| **P：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》** | 对比文件未提及任何关于电极层厚度的具体数值，特别是150埃和850埃这样的精确厚度。 | 目标专利限定了非常具体的子层厚度。对比文件完全没有公开任何电极的厚度数值，更未公开该特定厚度组合。因此，该特征未被公开。 |
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