对比文件名称：2007-05-16_CN1965414A_发明公开_CN1965414A 光电二极管及其制造方法
目标专利名称：994用于检测光子的装置和方法CN105765732B
本次调用的模型名称：大型语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：半导体<br>**直接公开** | “配置有：形成在衬底1的一部分上的n+型半导体层2...；配置在n+型半导体层2的一部分上的n-型半导体层3”（第一实施例） | 对比文件明确公开了半导体层（n-型和n+型），用于光电转换，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征B：不对称电极布置，该不对称电极布置包括第一电极、与跨越所述半导体的一部分的所述第一电极分离的第二电极、以及与至少所述第一电极相关联的至少一个表面等离子体激元生成器<br>**直接公开** | “连接到金属周期性结构部件4的第一电极（阳极电极）5；面对第一电极5并接触n+型半导体层2的第二电极（阴极电极）8”（第一实施例）；“金属周期性结构部件4...小孔6...周期性结构”（第一实施例） | 对比文件公开了第一电极5和第二电极8，两者分离且跨越半导体（n-型层3和n+型层2）；金属周期性结构部件4作为表面等离子体激元生成器，与第一电极5连接（相关联），而第二电极8不关联，形成不对称电极布置，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征C：其中所述表面等离子体激元生成器包括与连续的导电材料组合的光耦合器<br>**直接公开** | “金属周期性结构部件4由具有较小等离子体激元损耗的诸如银(Ag)或金(Au)的材料构成”（第一实施例）；“以小孔为中心在金属周期性结构部件4中形成由同心的表面凹凸构成的周期性结构”（第一实施例） | 对比文件的金属周期性结构部件4是连续的导电材料，其上的同心凹凸结构作为光耦合器，二者组合形成表面等离子体激元生成器，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征D：所述第一电极从与所述半导体不接触的第一区域延伸到与所述半导体接触的第二区域<br>**直接公开** | “金属周期性结构部件4仅在小孔6处接触n-型半导体层3并位于小孔6的附近...在其他位置中，绝缘层7配置在金属周期性结构部件4和n+型半导体层2或衬底1之间”（第一实施例）；“小孔6没有完全穿透金属周期性结构部件4，且具有约10nm或更小厚度的金属层保留在小孔6的底部”（第一实施例） | 对比文件的金属周期性结构部件4（与第一电极5电连接，可视为第一电极）包括第一区域（周期性凹凸区域）通过绝缘层7不接触半导体，和第二区域（小孔底部）接触半导体，因此第一电极从第一区域延伸到第二区域，本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征E：其中在所述第一区域处的所述第一电极与所述光耦合器相关联<br>**直接公开** | “以小孔为中心在金属周期性结构部件4中形成由同心的表面凹凸构成的周期性结构”（第一实施例） | 第一区域对应金属部件4的周期性凹凸区域，该区域形成光耦合器（周期性结构），因此第一区域处的第一电极与光耦合器关联，本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征F：其中与所述第二区域相比<br>**未公开** | 无 | 对比文件未公开任何与第二区域比较的关系，因此本技术特征未被公开。 |
| 技术特征G：所述第一区域进一步远离于所述第二电极<br>**直接公开** | “相应于小孔16位置，在衬底16中形成通孔，并在插入通孔20的衬底16的相对侧表面上配置第二电极（阴极电极）20。”（第二实施例）；“n-型半导体层15到达衬底16的表面并与金属周期性结构部件17连接。”（第二实施例） | 在对比文件的第二实施例中，第一区域（金属部件17的周期性凹凸区域）位于衬底16表面，不接触半导体；第二区域（小孔18底部）接触半导体15并通过通孔连接到背面第二电极20，因此第一区域比第二区域更远离第二电极，本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征H：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为在至少与线平行的方向中将动量的成分给予入射光子，所述线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极<br>**未公开** | 无 | 对比文件未公开任何关于通过第一电极、半导体和第二电极的线的定义，也未公开沿该线方向给予动量成分的配置，因此本技术特征未被公开。 |
| 技术特征I：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为优选地在与所述线平行的方向中将动量的成分给予入射光子，所述线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极<br>**未公开** | 无 | 对比文件未公开优选方向，更未公开沿特定线的优选方向，因此本技术特征未被公开。 |
| 技术特征J：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为生成表面等离子体激元并且将所生成的表面等离子体激元传送给所述半导体<br>**直接公开** | “入射光11激发金属周期性结构部件4中的表面等离子体激元并与该表面等离子体激元耦合，从而借助于周期性结构与表面等离子体激元产生共振状态。此共振状态的产生在半导体表面附近产生较强的近场光...此近场光在耗尽层中生成电子-空穴对”（第一实施例） | 对比文件公开了表面等离子体激元生成器（金属部件4）生成表面等离子体激元，并通过共振产生近场光（表面等离子体激元与光耦合的结果），该近场光传送给半导体并被吸收，相当于将表面等离子体激元传送给半导体，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：在沿着线的方向中提供在至少数微米上的连续等离子体，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极<br>**未公开** | 无 | 对比文件未公开沿通过第一电极、半导体和第二电极的线方向提供连续等离子体，也未公开该线的存在，因此本技术特征未公开。 |
| 技术特征L：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：从不接触所述半导体的区域到接触所述半导体的区域提供连续的等离子体<br>**直接公开** | “金属周期性结构部件4”的周期性凹凸区域（不接触半导体）和小孔底部区域（接触半导体）（第一实施例）；结合特征J中表面等离子体激元从凹凸区域传播到小孔底部的描述。 | 对比文件中，表面等离子体激元在金属部件4表面传播，从周期性凹凸区域（不接触半导体）传播到小孔底部（接触半导体），提供了连续的等离子体，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征M：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：从不接触所述半导体的区域到接触所述半导体的区域提供连续的金属<br>**直接公开** | “金属周期性结构部件4”是连续的金属膜，覆盖不接触区域和接触区域（小孔底部保留金属层）（第一实施例） | 对比文件的金属周期性结构部件4从周期性凹凸区域（不接触）到小孔底部（接触）是连续的金属，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征N：其中所述表面等离子体激元生成器包括具有周期性的周期结构，其中所述周期性至少在平行于线的方向中，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极<br>**未公开** | 无 | 对比文件的周期结构是同心环，周期性在所有径向方向，但未公开通过第一电极、半导体和第二电极的线，也未限定周期性平行于该线，因此本技术特征未公开。 |
| 技术特征O：其中所述表面等离子体激元生成器包括具有周期性的周期结构，其中所述周期性平行于线，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极<br>**未公开** | 无 | 同技术特征N，未公开。 |
| 技术特征P：其中所述周期结构是周期光栅<br>**直接公开** | “由同心的表面凹凸构成的周期性结构”（第一实施例） | 同心环凹凸结构构成周期光栅，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征Q：其中所述表面等离子体激元生成器包括导电材料，该导电材料包括表面，其中所述表面是连续的并且包括周期轮廓调制<br>**直接公开** | “金属周期性结构部件4...由同心的表面凹凸构成的周期性结构”（第一实施例） | 金属周期性结构部件4的导电材料表面是连续的，并具有周期轮廓调制（凹凸），因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征R：其中所述第一电极与表面等离子体激元生成器相关联，但是所述第二电极与表面等离子体激元生成器不相关联<br>**直接公开** | 第一电极5连接到金属周期性结构部件4（SPP生成器），第二电极8接触n+型半导体层2（第一实施例） | 对比文件中，第一电极5通过连接金属部件4与SPP生成器关联，第二电极8未关联任何SPP生成器，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征S：其中所述第一电极与用于选择性地耦合第一频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联，以及所述第二电极与用于选择性地耦合与所述第一频率不同的第二频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联<br>**未公开** | 无 | 对比文件未公开第二电极关联SPP生成器，更未公开不同频率的关联，因此本技术特征未公开。 |
| 技术特征T：其中所述不对称电极布置包括多个第一电极，每个第一电极与用于选择性地耦合特定频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联<br>**未公开** | 无 | 对比文件仅有一个第一电极，因此本技术特征未公开。 |
| 技术特征U：其中所述第二电极是通过所述半导体与所述多个第一电极分离的公共电极<br>**未公开** | 无 | 对比文件无多个第一电极，因此本技术特征未公开。 |
| 技术特征V：其中所述表面等离子体激元生成器包括第一部分和第二部分，所述第一部分提供周期光栅以及所述第二部分不提供周期光栅<br>**直接公开** | “金属周期性结构部件4”包括周期性凹凸区域（第一部分）和小孔底部区域（第二部分），小孔底部无周期结构（第一实施例） | 对比文件的金属部件4的凹凸区域（第一部分）提供周期光栅，小孔底部（第二部分）不提供周期光栅，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征W：其中所述第二部分是平的<br>**直接公开** | 小孔底部保留金属层，通常是平的（第一实施例） | 对比文件中小孔底部区域（第二部分）是平的金属层，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二部分邻近于所述半导体的部分，以及所述第一部分不邻近于所述半导体的部分<br>**直接公开** | “金属周期性结构部件4仅在小孔6处接触n-型半导体层3”（第一部分通过绝缘层不接触）（第一实施例） | 第二部分（小孔底部）邻近并接触半导体，第一部分（凹凸区域）通过绝缘层不邻近半导体，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征Y：被配置为窄带光检测器<br>**直接公开** | “调整半导体衬底上金属膜的形状...可以将本发明的光电二极管用于探测包括可见光、近红外光和远红外光的整个电磁波区域的光。”（通过选择周期等手段实现特定波长探测）（第一实施例及其他） | 对比文件的光电二极管通过表面等离子体激元共振选择特定波长，可用作窄带光检测器，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征Z：被配置为分析物传感器，其中至少所述半导体被暴露以用于分析物吸附<br>**未公开** | 无 | 对比文件未涉及分析物传感器，因此本技术特征未公开。 |
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