对比文件的名称：2010-09-29_CN1965414B_发明授权_CN1965414B 光电二极管及其制造方法
目标专利的名称：994用于检测光子的装置和方法CN105765732B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：半导体《直接公开》 | 第一实施例：“形成在衬底1的一部分上的n+型半导体层2……配置在n+型半导体层2的一部分上的n-型半导体层3”。 | 对比文件明确公开了半导体层（n-型半导体层、n+型半导体层），因此直接公开技术特征A。 |
| 技术特征B：不对称电极布置，该不对称电极布置包括第一电极、与跨越所述半导体的一部分的所述第一电极分离的第二电极、以及与至少所述第一电极相关联的至少一个表面等离子体激元生成器《直接公开》 | 第一实施例：“连接到金属周期性结构部件4的第一电极5……接触n+型半导体层2的第二电极8”；“入射光11激发金属周期性结构部件4中的表面等离子体激元”。 | 对比文件公开了第一电极5、第二电极8、以及作为表面等离子体激元生成器的金属周期性结构部件4，且该生成器与第一电极5相关联，第一电极和第二电极跨越半导体部分，构成不对称布置，因此直接公开。 |
| 技术特征C：其中所述表面等离子体激元生成器包括与连续的导电材料组合的光耦合器《直接公开》 | 第一实施例：“金属周期性结构部件4……具有导电性”；“以小孔为中心在金属周期性结构部件4中形成由同心的表面凹凸构成的周期性结构”。 | 对比文件中，金属周期性结构部件4既是连续的导电材料，又包含周期性表面凹凸作为光耦合器，二者组合构成表面等离子体激元生成器，因此直接公开。 |
| 技术特征D：所述第一电极从与所述半导体不接触的第一区域延伸到与所述半导体接触的第二区域《隐含公开》 | 第一实施例：“金属周期性结构部件4仅在小孔6处接触n-型半导体层3并位于小孔6的附近，在其他位置中，绝缘层7配置在金属周期性结构部件4和n+型半导体层2或衬底1之间”。 | 对比文件中，金属周期性结构部件4与第一电极5电连接，可视为第一电极的一部分；该部件具有不接触半导体的第一区域（通过绝缘层隔离）和接触半导体的第二区域（小孔底部），从而使第一电极从第一区域延伸到第二区域。虽未明确表述，但本领域技术人员可合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征E：其中在所述第一区域处的所述第一电极与所述光耦合器相关联《直接公开》 | 第一实施例：“以小孔为中心在金属周期性结构部件4中形成由同心的表面凹凸构成的周期性结构”。 | 光耦合器（周期性表面凹凸）形成在金属周期性结构部件4上，且位于不接触半导体的第一区域（围绕小孔），因此第一区域处的第一电极与光耦合器相关联，直接公开。 |
| 技术特征F：其中与所述第二区域相比，所述第一区域进一步远离于所述第二电极《未公开》 | 对比文件未明确第一区域和第二区域相对于第二电极的位置关系。 | 对比文件中的电极布局未清晰界定第一区域（外围）和第二区域（小孔）与第二电极的距离远近，无法确定第一区域更远离第二电极，因此未公开。 |
| 技术特征G：所述第一区域进一步远离于所述第二电极《未公开》 | （同特征F） | （同特征F） |
| 技术特征H：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为在至少与线平行的方向中将动量的成分给予入射光子，所述线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极《隐含公开》 | 第一实施例：金属周期性结构部件4具有同心圆周期性结构；第四实施例：周期性结构外径约20μm。 | 同心圆周期性结构可在所有径向方向（包括通过小孔中心的任意方向）给予动量分量。对于通过第一电极、半导体和第二电极的线（通常经过小孔区域），该方向与径向一致，本领域技术人员可合理推断表面等离子体激元生成器在该方向给予动量，因此隐含公开。 |
| 技术特征I：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为优选地在与所述线平行的方向中将动量的成分给予入射光子，所述线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极《未公开》 | 对比文件未描述任何优选方向。 | 同心圆周期性结构在所有径向方向等效，没有优选方向，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为生成表面等离子体激元并且将所生成的表面等离子体激元传送给所述半导体《直接公开》 | 第一实施例：“入射光11激发金属周期性结构部件4中的表面等离子体激元……此共振状态的产生在半导体表面附近产生较强的近场光……此近场光在耗尽层中生成电子-空穴对”。 | 对比文件明确表面等离子体激元生成器产生表面等离子体激元，并通过近场光形式将能量传送给半导体，因此直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：在沿着线的方向中提供在至少数微米上的连续等离子体，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极《隐含公开》 | 第一实施例：金属周期性结构部件4上的周期性结构扩展数微米；第四实施例：8个周期，外径约20μm。 | 表面等离子体激元可在金属表面连续传播，沿径向方向（通过小孔中心的线）延伸数微米，本领域技术人员可合理推断该方向提供连续等离子体，因此隐含公开。 |
| 技术特征L：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：从不接触所述半导体的区域到接触所述半导体的区域提供连续的等离子体《隐含公开》 | 第一实施例：“入射光11激发金属周期性结构部件4中的表面等离子体激元……此共振状态的产生在半导体表面附近产生较强的近场光”。 | 表面等离子体激元沿金属表面传播，可从周期性结构区域（不接触半导体）传播到小孔区域（接触半导体），本领域技术人员可基于工作原理合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征M：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：从不接触所述半导体的区域到接触所述半导体的区域提供连续的金属《直接公开》 | 第一实施例：“小孔6未完全穿透金属周期性结构部件4，且具有约10nm或更小厚度的金属层保留在小孔6的底部”。 | 对比文件中的金属周期性结构部件4是连续金属膜，从不接触半导体的区域（绝缘层上）到接触半导体的区域（小孔底部）保持金属连续性，因此直接公开。 |
| 技术特征N：其中所述表面等离子体激元生成器包括具有周期性的周期结构，其中所述周期性至少在平行于线的方向中，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极《直接公开》 | 第一实施例：“以小孔为中心在金属周期性结构部件4中形成由同心的表面凹凸构成的周期性结构”。 | 同心圆周期性结构在径向方向具有周期性，对于通过小孔中心（即接触区域）的线，该方向平行于线，因此直接公开。 |
| 技术特征O：其中所述表面等离子体激元生成器包括具有周期性的周期结构，其中所述周期性平行于线，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极《直接公开》 | （同特征N） | 同上，周期性方向平行于通过小孔中心的线，因此直接公开。 |
| 技术特征P：其中所述周期结构是周期光栅《直接公开》 | 第一实施例：“由同心的表面凹凸构成的周期性结构”。 | 同心表面凹凸结构可视为周期光栅，因此直接公开。 |
| 技术特征Q：其中所述表面等离子体激元生成器包括导电材料，该导电材料包括表面，其中所述表面是连续的并且包括周期轮廓调制《直接公开》 | 第一实施例：“金属周期性结构部件4……具有导电性……形成由同心的表面凹凸构成的周期性结构”。 | 导电材料（金属）表面连续，并具有周期性的轮廓调制（凹凸），因此直接公开。 |
| 技术特征R：其中所述第一电极与表面等离子体激元生成器相关联，但是所述第二电极与表面等离子体激元生成器不相关联《直接公开》 | 第一实施例：金属周期性结构部件4与第一电极5连接；第二电极8接触n+型半导体层2，无周期性结构。 | 表面等离子体激元生成器仅与第一电极关联，第二电极没有关联，因此直接公开。 |
| 技术特征S：其中所述第一电极与用于选择性地耦合第一频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联，以及所述第二电极与用于选择性地耦合与所述第一频率不同的第二频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联《未公开》 | 对比文件未在第二电极上设置任何表面等离子体激元生成器。 | 对比文件第二电极无表面等离子体激元生成器，更无不同频率的耦合，因此未公开。 |
| 技术特征T：其中所述不对称电极布置包括多个第一电极，每个第一电极与用于选择性地耦合特定频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联《未公开》 | 对比文件仅公开单个第一电极。 | 对比文件未公开多个第一电极及其对应的表面等离子体激元生成器，因此未公开。 |
| 技术特征U：其中所述第二电极是通过所述半导体与所述多个第一电极分离的公共电极《未公开》 | 对比文件仅公开单个第二电极，且无多个第一电极。 | 对比文件未公开多个第一电极及公共第二电极，因此未公开。 |
| 技术特征V：其中所述表面等离子体激元生成器包括第一部分和第二部分，所述第一部分提供周期光栅以及所述第二部分不提供周期光栅《直接公开》 | 第一实施例：金属周期性结构部件4具有同心凹槽（周期光栅）和小孔底部（无凹槽）。 | 表面等离子体激元生成器（金属周期性结构部件4）包括有周期光栅的第一部分（同心凹槽区域）和无周期光栅的第二部分（小孔底部），因此直接公开。 |
| 技术特征W：其中所述第二部分是平的《直接公开》 | 第一实施例：小孔6底部平坦。 | 第二部分（小孔底部）是平的，因此直接公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二部分邻近于所述半导体的部分，以及所述第一部分不邻近于所述半导体的部分《直接公开》 | 第一实施例：小孔6底部接触n-型半导体层3（邻近）；同心凹槽区域与半导体之间有绝缘层7（不邻近）。 | 第二部分（小孔底部）邻近半导体，第一部分（凹槽区域）不邻近半导体，因此直接公开。 |
| 技术特征Y：被配置为窄带光检测器《直接公开》 | 第四实施例：用于40Gbps传输的光接收模块，工作波长1.55μm。 | 对比文件的光电二极管利用表面等离子体激元共振实现窄带波长选择，且用于通信光检测，因此直接公开。 |
| 技术特征Z：被配置为分析物传感器，其中至少所述半导体被暴露以用于分析物吸附《未公开》 | 对比文件未提及分析物传感器。 | 对比文件仅涉及光电二极管，未公开用于分析物吸附的传感器结构，因此未公开。 |
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