对比文件名称：2013-09-12_US2013234006A_发明申请_US20130234006A1 PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT ARRAY
目标专利名称：994用于检测光子的装置和方法CN105765732B
本次调用的模型名称：大规模语言模型（当前对话所用模型，未明确指定具体版本）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：半导体 | 对比文件未公开半导体材料，其主要结构包括下电极（4）、绝缘层（2）、光接收部分（1）和狭缝（3），未提及具有费密能级或低密度状态的半导体材料如石墨烯等。 | 对比文件的元件基于金属-绝缘体-金属结构，绝缘层为电介质（如SiO₂），而非半导体。目标专利的半导体为具有接近费密能级的低密度状态的材料，对比文件无对应公开。该技术特征未公开。 |
| 技术特征B：不对称电极布置，该不对称电极布置包括第一电极、与跨越所述半导体的一部分的所述第一电极分离的第二电极、以及与至少所述第一电极相关联的至少一个表面等离子体激元生成器 | 对比文件[0032]公开了“下电极4”和“光接收部分1”作为电极，以及“狭缝3”作为表面等离子体激元生成器，且狭缝仅设置在光接收部分（第一电极）上，下电极（第二电极）无狭缝，形成不对称性。但未公开半导体。 | 对比文件公开了不对称电极布置（光接收部分有狭缝，下电极无）和表面等离子体激元生成器与第一电极关联，但缺少“跨越半导体的一部分”这一要素，因对比文件中无半导体。整体技术特征未公开。 |
| 技术特征C：其中所述表面等离子体激元生成器包括与连续的导电材料组合的光耦合器 | 对比文件[0032]：“光接收部分1设有狭缝3……光接收部分1和下电极4由金属制成”。狭缝作为光耦合器，光接收部分为连续的导电材料。 | 对比文件明确公开了狭缝（光耦合器）与光接收部分（连续导电材料）的组合，狭缝实现光到表面等离子体激元的转换。该技术特征直接公开。 |
| 技术特征D：所述第一电极从与所述半导体不接触的第一区域延伸到与所述半导体接触的第二区域 | 对比文件[0032]描述光接收部分1与绝缘层2接触，绝缘层为电介质，非半导体。未提及第一电极的区域划分及与半导体的接触关系。 | 对比文件中无半导体，第一电极（光接收部分）接触绝缘层，而非半导体，因此无“与半导体接触”或“不接触”的区域。该技术特征未公开。 |
| 技术特征E：其中在所述第一区域处的所述第一电极与所述光耦合器相关联 | 对比文件[0032]：“狭缝3设在光接收部分1上”。狭缝即为光耦合器，其所在区域可视为第一区域。 | 虽然对比文件未明确区分第一区域和第二区域，但狭缝位于光接收部分表面，因此光耦合器与第一电极的该部分相关联。该技术特征隐含公开。 |
| 技术特征F：其中与所述第二区域相比 | 对比文件未明确区分第一区域和第二区域，但根据结构，光接收部分表面（狭缝处）与其接触绝缘层的部分位置不同。 | 对比文件未直接提及区域比较，但通过结构可推断存在不同区域。该技术特征隐含公开。 |
| 技术特征G：所述第一区域进一步远离于所述第二电极 | 对比文件[0032]图1-2结构：光接收部分1位于绝缘层2上，下电极4位于绝缘层下，光接收部分表面远离下电极。 | 对比文件中光接收部分表面（假设为第一区域）相对于接触绝缘层的部分（假设为第二区域）更远离下电极，因此第一区域更远离第二电极。该技术特征隐含公开。 |
| 技术特征H：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为在至少与线平行的方向中将动量的成分给予入射光子，所述线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极 | 对比文件[0046]：“部分垂直入射光被狭缝3转换为圆柱波……具有ψ=90°的分量（平行于光接收部分表面）”。该方向平行于电极和狭缝的延伸方向。 | 对比文件公开了狭缝给予入射光子平行于表面的动量成分，但“线通过半导体部分”未公开（因无半导体）。该技术特征部分公开，整体隐含公开。 |
| 技术特征I：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为优选地在与所述线平行的方向中将动量的成分给予入射光子，所述线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极 | 对比文件[0046]同上，表面等离子体激元生成器优先在平行于表面的方向给予动量。 | 对比文件公开了优先方向，但缺少半导体要素。该技术特征隐含公开。 |
| 技术特征J：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为生成表面等离子体激元并且将所生成的表面等离子体激元传送给所述半导体 | 对比文件[0047]：“表面等离子体激元沿绝缘层2传播”，绝缘层为电介质，非半导体。 | 对比文件中表面等离子体激元被传送至绝缘层，而非半导体。该技术特征未公开。 |
| 技术特征K：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：在沿着线的方向中提供在至少数微米上的连续等离子体，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极 | 对比文件[0045]描述表面等离子体激元沿绝缘层传播，但未明确传播长度；根据FDTD分析（[0052]等），器件尺寸在微米量级，传播可能连续且达数微米。 | 对比文件未明确长度，但根据结构合理推断表面等离子体激元可连续传播数微米，但缺少半导体。该技术特征隐含公开。 |
| 技术特征L：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：从不接触所述半导体的区域到接触所述半导体的区域提供连续的等离子体 | 对比文件无半导体接触区域，表面等离子体激元在绝缘层中传播。 | 对比文件中无半导体，无接触与不接触区域之分。该技术特征未公开。 |
| 技术特征M：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：从不接触所述半导体的区域到接触所述半导体的区域提供连续的金属 | 对比文件[0032]中金属材料为光接收部分和下电极，但无连续金属从不接触半导体区域到接触半导体区域的描述。 | 对比文件无半导体，无相应区域。该技术特征未公开。 |
| 技术特征N：其中所述表面等离子体激元生成器包括具有周期性的周期结构，其中所述周期性至少在平行于线的方向中，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极 | 对比文件[0077]：“反射狭缝6周期性地设置……周期与检测波长相当”，且周期性平行于光接收部分表面。 | 对比文件公开了周期性反射狭缝结构，周期性平行于表面，但缺少半导体。该技术特征直接公开。 |
| 技术特征O：其中所述表面等离子体激元生成器包括具有周期性的周期结构，其中所述周期性平行于线，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极 | 对比文件[0077]同上，周期性平行于表面，线平行于表面方向。 | 对比文件公开了周期性平行于线，但缺少半导体。该技术特征直接公开。 |
| 技术特征P：其中所述周期结构是周期光栅 | 对比文件[0077]：“反射狭缝6”形成周期光栅结构。 | 对比文件明确公开了周期光栅。该技术特征直接公开。 |
| 技术特征Q：其中所述表面等离子体激元生成器包括导电材料，该导电材料包括表面，其中所述表面是连续的并且包括周期轮廓调制 | 对比文件[0032]中光接收部分表面设有狭缝，但狭缝为沟槽，表面不连续（非连续轮廓调制）。反射狭缝6也为沟槽结构。 | 对比文件中表面因狭缝而间断，未公开连续表面上的周期轮廓调制。该技术特征未公开。 |
| 技术特征R：其中所述第一电极与表面等离子体激元生成器相关联，但是所述第二电极与表面等离子体激元生成器不相关联 | 对比文件[0032]：狭缝3仅设在光接收部分1（第一电极），下电极4（第二电极）无狭缝。 | 对比文件明确公开了第一电极关联表面等离子体激元生成器，第二电极不关联。该技术特征直接公开。 |
| 技术特征S：其中所述第一电极与用于选择性地耦合第一频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联，以及所述第二电极与用于选择性地耦合与所述第一频率不同的第二频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联 | 对比文件[0097]描述不同像素（光接收部分）具有不同检测波长，但同一像素中第二电极（下电极）无表面等离子体激元生成器。 | 对比文件中每个光电转换元件仅一个表面等离子体激元生成器与第一电极关联，第二电极无独立生成器。该技术特征未公开。 |
| 技术特征T：其中所述不对称电极布置包括多个第一电极，每个第一电极与用于选择性地耦合特定频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联 | 对比文件[0097]：“三种光电转换元件9、10、11，检测波长不同”，每个元件有光接收部分（第一电极）和狭缝（表面等离子体激元生成器），形成多个第一电极。 | 对比文件公开了阵列中多个第一电极，每个关联特定波长表面等离子体激元生成器。该技术特征直接公开。 |
| 技术特征U：其中所述第二电极是通过所述半导体与所述多个第一电极分离的公共电极 | 对比文件[0091]：“下电极4为公共电极”，但通过绝缘层2（非半导体）与光接收部分分离。 | 对比文件中第二电极公共，但通过绝缘层而非半导体分离。该技术特征未公开。 |
| 技术特征V：其中所述表面等离子体激元生成器包括第一部分和第二部分，所述第一部分提供周期光栅以及所述第二部分不提供周期光栅 | 对比文件未明确表面等离子体激元生成器分为周期光栅部分和非周期部分。反射狭缝为周期结构，但无对应第二部分。 | 对比文件无此类划分。该技术特征未公开。 |
| 技术特征W：其中所述第二部分是平的 | 对比文件未公开第二部分为平的结构。 | 对比文件无对应特征。该技术特征未公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二部分邻近于所述半导体的部分，以及所述第一部分不邻近于所述半导体的部分 | 对比文件无半导体，无邻近关系。 | 对比文件无半导体，无对应区域。该技术特征未公开。 |
| 技术特征Y：被配置为窄带光检测器 | 对比文件[0099]：“检测波长设为红绿蓝……获得彩色图像”，即窄带波长选择性检测。 | 对比文件公开了通过结构参数实现窄带检测，应用于图像传感器。该技术特征直接公开。 |
| 技术特征Z：被配置为分析物传感器，其中至少所述半导体被暴露以用于分析物吸附 | 对比文件未提及分析物吸附或传感器应用。 | 对比文件主要关注光电转换和成像，未公开分析物传感器相关特征。该技术特征未公开。 |
### 结尾代码
根据公开性判断，对比文件直接公开了技术特征C、N、O、P、R、T、Y，隐含公开了技术特征E、F、G、H、I、K。具体代码插入如下：
<<<C>>><<<N>>><<<O>>><<<P>>><<<R>>><<<T>>><<<Y>>><<<e>>><<<f>>><<<g>>><<<h>>><<<i>>><<<k>>>