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对比文件列表
2004-12-30_发明申请_US20040267134A1 Electric circuit for tuning a capacitive electrostatic transducer_+++B_O_e_h_n_t+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-03-17_发明申请_US20050057284A1 Method and apparatus for controlling scanning of mosaic sensor array_+++B_a_c_e_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-04-07_发明申请_US20050075572A1 Focusing micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture_+++B_a_c_e_g_l_o_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-07-07_发明申请_US20050146247A1 Curved micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture_+++B_c_e_l_m_n_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2008-05-29_发明申请_US20080122317A1 MULTI-LAYER TRANSDUCERS WITH ANNULAR CONTACTS_+++B_N_c_d_e_f_g_j_l_m_o_p_q_r_s+++.docx
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2009-08-13_发明申请_US20090204001A1 ULTRASONIC PROBE AND ULTRASONIC DIAGNOSTIC APPARATUS_+++B_N_a_b_c_d_e_l_m_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2010-07-01_发明申请_US20100168583A1 ENHANCED ULTRASOUND IMAGING PROBES USING FLEXURE MODE PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS_+++B_C_G_O_a+++.docx
2026-03-10 19:01
2011-08-03_发明公开_CN102143422A 圆形薄膜压电超声换能器_+++B_C_J_O_R_S_a_d_l_p+++.docx
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2012-06-19_发明授权_US08203912B2 CMUTs with a high-k dielectric_+++A_B_E_G_O_f_j+++.docx
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2012-07-26_发明申请_US20120188849A1 ULTRASONIC SENSOR AND ELECTRONIC DEVICE_+++A_B_C_D_E_F_G_o_p_t+++.docx
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2012-08-16_发明申请_US20120206014A1 PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS USING MICRO-DOME ARRAYS_+++A_B_C_E_O+++.docx
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2012-09-27_发明申请_US20120245408A1 METHODS AND SYSTEMS FOR IMPROVING ACTUATOR PERFORMANCE BY REDUCING TENSILE STRESSES IN PIEZOELECTRIC THIN FILMS_+++B_C_D_F_G_L_O_S_a_e_j_p_r+++.docx
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2013-05-30_发明申请_US20130134838A1 PIEZOELECTRIC MEMS TRANSFORMER_+++B_C_D_F_G_L_M_N_O_e_p+++.docx
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2013-07-11_发明专利_JP2013135793A Ultrasonic probe and ultrasonic inspection apparatus_+++A_B_C_D_E_F_G_L_M_N_O_P_R_s+++.docx
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2013-11-07_发明申请_US20130293065A1 ULTRA WIDE BANDWIDTH PIEZOELECTRIC TRANSDUCER ARRAYS_+++B_C_D_E_O_a_b_c_l_m_n_p+++.docx
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2014-08-07_发明申请_US20140219521A1 BIOMETRIC SENSING DEVICE FOR THREE DIMENSIONAL IMAGING OF SUBCUTANEOUS STRUCTURES EMBEDDED WITHIN FINGER TISSUE_+++A_D_E_b_c_n_p+++.docx
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2014-08-21_发明申请_US20140232241A1 PIEZOELECTRIC ARRAY EMPLOYING INTEGRATED MEMS SWITCHES_+++B_C_E_L_M_N_O_a_g_t+++.docx
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2014-12-04_发明申请_US20140354608A1 DEVICES AND METHODS OF SENSING_+++C_D_E_F_a_b_g+++.docx
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2015-03-26_发明申请_US20150087991A1 APPLICATION SPECIFIC INTEGRATED CIRCUIT WITH COLUMN-ROW-PARALLEL ARCHITECTURE FOR ULTRASONIC IMAGING_+++B_C_O+++.docx
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2015-06-18_发明申请_US20150165479A1 PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER AND PROCESS_+++B_C+++.docx
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2015-06-18_发明申请_US20150169136A1 MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCERS AND DISPLAY_+++B_C_a_e_o+++.docx
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2015-06-18_发明申请_WO2015086413A1 MONOLITHICALLY INTEGRATED THREE ELECTRODE CMUT DEVICE_+++B_E_O+++.docx
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2016-04-21_发明申请_US20160107194A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
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2016-04-21_发明申请_WO2016061406A1 SUPERPIXEL ARRAY OF PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCERS FOR 2-D BEAMFORMING_+++A_B_C_D_E_G_H_I_f_l_m_o+++.docx
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2016-04-21_发明申请_WO2016061410A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
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2016-04-21_发明申请_WO2016061412A1 ACTIVE BEAM-FORMING TECHNIQUE FOR PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER ARRAY_+++B_C_O+++.docx
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2016-05-12_发明申请_US20160131747A1 ACTIVE BEAM-FORMING TECHNIQUE FOR PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER ARRAY_+++B_C_O_d_l_m+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_US20170110504A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_b_e_k_q_r_s+++.docx
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2017-04-20_发明申请_WO2017066612A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_G_H_I_L_M_N_e_f_j_o_p_r_s+++.docx
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2018-06-08_发明公开_CN108140115A 集成的压电微机械超声换能器像素和阵列_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_M_N_O_f_p_r_s+++.docx
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2018-06-12_发明授权_US09995821B2 Active beam-forming technique for piezoelectric ultrasonic transducer array_+++B_C+++.docx
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2018-06-18_发明公开_KR20180066096A 통합된 압전 마이크로기계식 초음파 트랜스듀서 픽셀 및 어레이_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_Q_R_S+++.docx
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2018-06-19_发明授权_US10001552B2 Three-port piezoelectric ultrasonic transducer_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
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2018-11-27_发明授权_US10139479B2 Superpixel array of piezoelectric ultrasonic transducers for 2-D beamforming_+++B_C_O_e_h_i+++.docx
2026-03-10 19:01
EP3362943A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_P_k_o+++.docx
2026-03-10 19:01
WO2016061410A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_F_G_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_e_h+++.docx
2026-03-10 19:01
无说明书_+++B_C_O_d_n_p+++.docx
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2016-04-21_发明申请_WO2016061412A1 ACTIVE BEAM-FORMING TECHNIQUE FOR PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER ARRAY_+++B_C_O+++.docx

对比文件名称:2016-04-21_发明申请_WO2016061412A1 ACTIVE BEAM-FORMING TECHNIQUE FOR PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER ARRAY

目标专利名称:三端口压电超声换能器 CN107107114B

本次调用的模型名称:DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:在第一时间段期间,响应于来自收发器电路的信号,借助于压电微机械超声换能器PMUT的第一电极发射第一超声信号,<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**对比文件第[0031]段描述了PMUT阵列可用于发射超声波,例如“…the PMUT array may be configurable to operate in modes… capable of emitting sound waves…”。第[0048]段描述了超像素中的像素组可以被驱动以发射聚焦的超声波束:“…firing transmit pulses, Step D, may produce a well-focused beam…”。对比文件确实公开了PMUT阵列可以响应于来自收发器电路的信号发射超声信号。然而,对比文件通篇描述的是由整个PMUT元件(像素)作为发射单元,或者将多个PMUT像素分组(超像素)进行波束成形发射。它没有公开或暗示在一个**单个PMUT元件**内部,存在一个特定的、被称为“第一电极”的电极来专门负责发射超声信号。在对比文件的上下文中,发射功能是通过整个PMUT元件的电极(未区分)或像素组的电极来实现的,而非通过单个PMUT内部的一个分立电极。因此,本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出“借助于PMUT的**第一电极**发射第一超声信号”这一具体技术特征。
**技术特征B**:所述PMUT包含安置于腔上方的膜片,<br>**判断结果:直接公开**对比文件第[0013]段:“Such transducers may include piezoelectric micromechanical ultrasonic transducers (PMUTs) configured as a multilayer stack that includes a piezoelectric layer stack and a mechanical layer disposed over a cavity.”(此类换能器可包含压电微机械超声换能器(PMUT),其被配置为包含压电层堆叠和安置于腔上方的机械层的多层堆叠。)对比文件明确公开了PMUT包含安置于腔上方的层(机械层和压电层堆叠),这些层共同构成了悬置于腔上方的膜片结构。这与目标专利中PMUT包含安置于腔上方的膜片的技术特征相同。因此,该特征被对比文件直接公开。
**技术特征C**:所述膜片包含压电层堆叠,<br>**判断结果:直接公开**对比文件第[0013]段(同上)明确说明PMUT包含“a piezoelectric layer stack”(压电层堆叠)。对比文件直接公开了PMUT的膜片结构中包含压电层堆叠。因此,该特征被直接公开。
**技术特征D**:所述压电层堆叠包含压电层、所述第一电极和第二电极,<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**对比文件第[0013]段提到压电层堆叠包含压电材料层以及上、下电极层:“The piezoelectric layer stack may include a layer of piezoelectric material. On or proximate to each of an upper and a lower surface of the piezoelectric layer, a respective upper and lower electrode layer may be disposed.”对比文件公开了压电层堆叠包含压电层和电极层。然而,目标专利的特征D限定了特定的“第一电极和第二电极”,这暗示了在压电层的同一侧(根据特征F)存在至少两个在功能或空间上分离的电极。对比文件仅一般性地描述了上电极层和下电极层,并未揭示或暗示在压电层的同一侧(例如上表面)存在两个独立的、功能可区分的电极(如第一电极和第二电极)。本领域技术人员阅读对比文件后,无法毫无疑义地得出或合理推断出压电层堆叠包含所述“第一电极和第二电极”的特定配置。
**技术特征E**:所述第一电极与所述收发器电路的第一部分电耦合,<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**对比文件第[0054]段图7的细节F中描述了像素包含发射电极以及与收发器电路的连接:“…each pixel 701 may include a transmit electrode 711, in-cell pixel logic 721 and pass transistors S1, S2 and S3… The transmit electrode 711 may be energized… at a selected one of delay times t1, t2 and t3…”。第[0067]段也提到了与收发器电路的连接。对比文件公开了PMUT的电极(称为发射电极)通过像素内逻辑和开关晶体管与提供激励信号的电路(可视为收发器电路的一部分)连接。但是,目标专利的特征E强调“与所述收发器电路的**第一部分**电耦合”,这通常与特征H中“第二电极与所述收发器电路的**第二且不同的部分**电耦合”相对应,暗示了发射和接收通路的分离。对比文件并未描述这种收发器电路内部的功能部分划分以及与不同电极的对应耦合关系。它主要关注于发射时序的控制,而未揭示用于分离发射和接收信号路径的电路结构。因此,该特征未被公开。
**技术特征F**:且所述第一电极和所述第二电极中的每一者安置于所述压电层的第一表面上或附近,<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**对比文件第[0013]段提到电极层安置于压电层的上表面和下表面附近。对比文件公开了电极位于压电层的表面附近。但是,特征F进一步限定了“第一电极和所述第二电极中的每一者”都位于“所述压电层的第一表面上或附近”,即两者位于同一表面。对比文件没有公开或暗示在同一个压电层表面上存在两个独立的电极。因此,本领域技术人员无法从对比文件中得出该特定布置。
**技术特征G**:所述第一表面与所述腔对置<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**对比文件第[0013]段描述了机械层和压电层堆叠“disposed over a cavity”(安置于腔上方)。结合常规的PMUT结构知识,压电层通常位于机械层之上或之下,其一个表面面向腔。从对比文件公开的“腔上方”的层叠结构可以推断,压电层必然有一个表面是背向腔(即与腔对置)的。然而,特征G是与特征F紧密关联的,它特指承载第一和第二电极的那个“第一表面”与腔对置。由于对比文件并未公开特征F(两个电极在同一表面),因此也就无法认定其公开了该特定表面与腔的对置关系。该特征作为整体技术方案的一部分,未被单独公开。
**技术特征H**:和在第二时间段期间,借助于所述第二电极接收第二超声信号,所述第二电极与所述收发器电路的第二且不同的部分电耦合,其中所述第一时间段和所述第二时间段至少部分地重叠。<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**对比文件第[0031]段提到PMUT阵列可用于活体检测,这涉及接收从皮下组织反射的回波。第[0067]、[0068]段提到了接收侧波束成形的可能性,即PMUT元件可以接收信号,并通过像素内电路在预定时间采集信号。对比文件确实公开了PMUT可以接收超声信号。但是,目标专利的特征H包含了多个紧密关联的限制条件:(1) 借助于**第二电极**接收;(2) 该第二电极与收发器电路的**第二且不同的部分**耦合;(3) 接收时间段与发射时间段**至少部分地重叠**。对比文件没有公开在一个PMUT内使用独立的第二电极进行接收。它讨论的接收功能同样是针对整个PMUT像素或像素组。此外,对比文件没有描述发射和接收时间段重叠的操作模式;其波束成形主要关注发射时序的延迟或接收采样的延迟,以实现聚焦,但未提及在同一个PMUT上发射和接收可以同时或时间重叠地进行。因此,该组合特征未被对比文件公开或隐含。
**技术特征I**:其进一步包括同时地借助于所述第一电极发射所述第一超声信号并借助于所述第二电极接收所述第二超声信号。<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**无相关内容。对比文件通篇未描述在单个PMUT元件上同时进行发射和接收操作。其操作模式(如平面波发射模式或波束成形发射模式)侧重于发射端的控制,接收可能是分时进行的。没有文字或附图暗示发射和接收可以同时发生。因此,该特征未被公开。
**技术特征J**:其中:所述第一电极安置于所述膜片的内部部分中,且所述第二电极安置于所述膜片的外部部分中,所述外部部分接近于所述腔的壁且处在所述壁与所述第一电极之间。<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**无相关内容。对比文件完全没有描述PMUT膜片上电极的几何形状、空间分布或相对位置。其附图中的PMUT像素通常表示为简单的方块或圆圈,没有显示内部电极图案。因此,关于第一电极在内部部分、第二电极在外部部分并接近腔壁的特定空间布置,无法从对比文件中得出。
**技术特征K**:其中所述第二电极的一部分延伸超出所述腔的所述壁。<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**无相关内容。对比文件未描述任何电极相对于腔壁的延伸关系。该特征未被公开。
**技术特征L**:其中所述膜片包含第三电极,所述第三电极安置于所述压电层与所述腔之间。<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**对比文件第[0013]段提到在压电层的下部表面附近有下部电极层。对比文件公开了在压电层与腔之间可能存在电极层(下部电极)。然而,目标专利中的“第三电极”在上下文(特征M、N)中被明确配置为与第一、第二电极共同的参考电极(如接地电极)。对比文件中的下部电极并未被描述为具有这种特定的“参考电极”功能,它可能同样用于发射或接收。更重要的是,特征L是与“第一电极”、“第二电极”并存的三端口架构的一部分。由于对比文件未公开同一PMUT上存在分立的第一和第二电极,因此也就不存在与之配套的“第三电极”作为参考电极的概念。该特征作为三端口结构的一部分,未被公开。
**技术特征M**:其中所述第三电极被配置为与所述第一电极和所述第二电极中的每一者一样的参考电极。<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**无相关内容。如特征L论述所述,对比文件未公开三端口结构,也未将任何电极描述或暗示为专用于参考(如接地)功能的电极。该特征未被公开。
**技术特征N**:其中所述参考电极的电压箝位到接地或其它参考电压。<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**无相关内容。对比文件未提及将任何电极的电压箝位到接地或参考电压。该特征未被公开。
**技术特征O**:其中:所述膜片受锚定结构支撑并在所述腔上方延伸,所述膜片经配置以在所述PMUT接收或发射超声信号时,经历挠曲运动和振动中的一者或两者并在第一挠曲模式中操作。<br>**判断结果:直接公开**对比文件第[0013]段描述了PMUT是包含压电层堆叠和机械层的多层堆叠,且“disposed over a cavity”(安置于腔上方)。这隐含了膜片由锚定结构支撑并在腔上方延伸。作为PMUT的基本工作原理,当发射或接收超声信号时,膜片必然经历挠曲运动和振动。对比文件明确公开了PMUT具有在腔上方的膜片结构。本领域技术人员公知,这种结构的PMUT在电信号激励下会产生挠曲振动以发射声波,在接收到声波时也会产生挠曲振动并产生电信号。因此,“膜片受锚定结构支撑并在腔上方延伸”以及“在PMUT接收或发射超声信号时,经历挠曲运动和振动”是PMUT的固有属性和必然结果,可以直接且毫无疑义地从对比文件公开的结构和用途中得出。“在第一挠曲模式中操作”是对其基本振动模式的描述,也是PMUT常规工作的模式。因此,该特征被直接公开。
**技术特征P**:其中,在所述第一挠曲模式中,所述第一电极和所述第二电极中的每一者经历包含拉伸和压缩应力的交替周期的相应的第一振荡负载循环和第二振荡负载循环。<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**无相关内容。该特征描述了在第一挠曲模式下,两个特定电极(第一和第二电极)所经历的机械应力状态。对比文件既未公开第一和第二电极的存在,也未分析或描述PMUT膜片上不同区域电极所经历的应力状态。该特征涉及三端口PMUT工作的物理细节,未被对比文件公开。
**技术特征Q**:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环大致同相。<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**无相关内容。该特征涉及两个假设电极的负载循环的相位关系。对比文件未涉及此内容。
**技术特征R**:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相。<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**无相关内容。该特征涉及两个假设电极的负载循环的相位关系。对比文件未涉及此内容。
**技术特征S**:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相180°。<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**无相关内容。该特征涉及两个假设电极的负载循环的特定相位关系。对比文件未涉及此内容。
**技术特征T**:其中所述第二电极经配置以在所述第一时间段期间处于发射模式中且在所述第二时间段期间处于接收模式中。<br>**判断结果:未直接公开,也未隐含公开**对比文件第[0054]段提到了通过开关晶体管(S1, S2, S3)控制发射电极在特定延迟时间被激励。对比文件公开了通过开关控制发射时序,但这与特征T的含义不同。特征T描述的是**同一个第二电极**可以在不同时间段切换其功能模式(发射或接收)。对比文件中的开关仅用于控制发射信号的延迟接通,并未暗示电极可以在发射功能和接收功能之间切换。其上下文中的“发射电极”似乎仅用于发射。因此,该特征未被公开。

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