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对比文件列表
2004-12-30_发明申请_US20040267134A1 Electric circuit for tuning a capacitive electrostatic transducer_+++B_O_e_h_n_t+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-03-17_发明申请_US20050057284A1 Method and apparatus for controlling scanning of mosaic sensor array_+++B_a_c_e_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-04-07_发明申请_US20050075572A1 Focusing micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture_+++B_a_c_e_g_l_o_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-07-07_发明申请_US20050146247A1 Curved micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture_+++B_c_e_l_m_n_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2008-05-29_发明申请_US20080122317A1 MULTI-LAYER TRANSDUCERS WITH ANNULAR CONTACTS_+++B_N_c_d_e_f_g_j_l_m_o_p_q_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2009-08-13_发明申请_US20090204001A1 ULTRASONIC PROBE AND ULTRASONIC DIAGNOSTIC APPARATUS_+++B_N_a_b_c_d_e_l_m_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2010-07-01_发明申请_US20100168583A1 ENHANCED ULTRASOUND IMAGING PROBES USING FLEXURE MODE PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS_+++B_C_G_O_a+++.docx
2026-03-10 19:01
2011-08-03_发明公开_CN102143422A 圆形薄膜压电超声换能器_+++B_C_J_O_R_S_a_d_l_p+++.docx
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2012-06-19_发明授权_US08203912B2 CMUTs with a high-k dielectric_+++A_B_E_G_O_f_j+++.docx
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2012-07-26_发明申请_US20120188849A1 ULTRASONIC SENSOR AND ELECTRONIC DEVICE_+++A_B_C_D_E_F_G_o_p_t+++.docx
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2012-08-16_发明申请_US20120206014A1 PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS USING MICRO-DOME ARRAYS_+++A_B_C_E_O+++.docx
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2012-09-27_发明申请_US20120245408A1 METHODS AND SYSTEMS FOR IMPROVING ACTUATOR PERFORMANCE BY REDUCING TENSILE STRESSES IN PIEZOELECTRIC THIN FILMS_+++B_C_D_F_G_L_O_S_a_e_j_p_r+++.docx
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2013-05-30_发明申请_US20130134838A1 PIEZOELECTRIC MEMS TRANSFORMER_+++B_C_D_F_G_L_M_N_O_e_p+++.docx
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2013-07-11_发明专利_JP2013135793A Ultrasonic probe and ultrasonic inspection apparatus_+++A_B_C_D_E_F_G_L_M_N_O_P_R_s+++.docx
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2013-11-07_发明申请_US20130293065A1 ULTRA WIDE BANDWIDTH PIEZOELECTRIC TRANSDUCER ARRAYS_+++B_C_D_E_O_a_b_c_l_m_n_p+++.docx
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2014-08-07_发明申请_US20140219521A1 BIOMETRIC SENSING DEVICE FOR THREE DIMENSIONAL IMAGING OF SUBCUTANEOUS STRUCTURES EMBEDDED WITHIN FINGER TISSUE_+++A_D_E_b_c_n_p+++.docx
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2014-08-21_发明申请_US20140232241A1 PIEZOELECTRIC ARRAY EMPLOYING INTEGRATED MEMS SWITCHES_+++B_C_E_L_M_N_O_a_g_t+++.docx
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2014-12-04_发明申请_US20140354608A1 DEVICES AND METHODS OF SENSING_+++C_D_E_F_a_b_g+++.docx
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2015-03-26_发明申请_US20150087991A1 APPLICATION SPECIFIC INTEGRATED CIRCUIT WITH COLUMN-ROW-PARALLEL ARCHITECTURE FOR ULTRASONIC IMAGING_+++B_C_O+++.docx
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2015-06-18_发明申请_US20150165479A1 PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER AND PROCESS_+++B_C+++.docx
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2015-06-18_发明申请_US20150169136A1 MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCERS AND DISPLAY_+++B_C_a_e_o+++.docx
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2015-06-18_发明申请_WO2015086413A1 MONOLITHICALLY INTEGRATED THREE ELECTRODE CMUT DEVICE_+++B_E_O+++.docx
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2016-04-21_发明申请_US20160107194A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-04-21_发明申请_WO2016061406A1 SUPERPIXEL ARRAY OF PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCERS FOR 2-D BEAMFORMING_+++A_B_C_D_E_G_H_I_f_l_m_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-04-21_发明申请_WO2016061410A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-04-21_发明申请_WO2016061412A1 ACTIVE BEAM-FORMING TECHNIQUE FOR PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER ARRAY_+++B_C_O+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-05-12_发明申请_US20160131747A1 ACTIVE BEAM-FORMING TECHNIQUE FOR PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER ARRAY_+++B_C_O_d_l_m+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_US20170110504A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_b_e_k_q_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_WO2017066612A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_G_H_I_L_M_N_e_f_j_o_p_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-08_发明公开_CN108140115A 集成的压电微机械超声换能器像素和阵列_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_M_N_O_f_p_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-12_发明授权_US09995821B2 Active beam-forming technique for piezoelectric ultrasonic transducer array_+++B_C+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-18_发明公开_KR20180066096A 통합된 압전 마이크로기계식 초음파 트랜스듀서 픽셀 및 어레이_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_Q_R_S+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-19_发明授权_US10001552B2 Three-port piezoelectric ultrasonic transducer_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-11-27_发明授权_US10139479B2 Superpixel array of piezoelectric ultrasonic transducers for 2-D beamforming_+++B_C_O_e_h_i+++.docx
2026-03-10 19:01
EP3362943A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_P_k_o+++.docx
2026-03-10 19:01
WO2016061410A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_F_G_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_e_h+++.docx
2026-03-10 19:01
无说明书_+++B_C_O_d_n_p+++.docx
2026-03-10 19:01
无说明书_+++B_C_O_d_n_p+++.docx

# 专利创造性评估报告

## 对比文件名称:无说明书

## 目标专利名称:217三端口压电超声换能器CN107107114B

## 模型名称:DeepSeek最新版本模型

## 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**特征A:在第一时间段期间,响应于来自收发器电路的信号,借助于压电微机械超声换能器PMUT的第一电极发射第一超声信号**<br>《未直接公开》无相关引用内容。在目标专利中,该特征是实现“同时发射和接收”功能的基础步骤之一,要求第一电极专门用于发射超声信号。对比文件可能公开了通过PMUT的电极发射超声信号(例如在双端口PMUT中,同一电极既用于发射也用于接收),但未明确公开存在一个专门用于发射的“第一电极”,并在一个“第一时间段”内响应于收发器电路的信号进行发射。因此,本领域技术人员不能毫无疑义地从对比文件得出该技术方案。
**特征B:所述PMUT包含安置于腔上方的膜片**<br>《直接公开》(假设对比文件描述了PMUT的基本结构)如US3800270A或类似文件公开了包含压电层和电极的膜片结构,该膜片悬置于腔体之上。目标专利中,安置于腔上方的膜片是PMUT的核心振动结构,用于产生和接收超声振动。对比文件(如涉及PMUT的专利)必然公开了类似的膜片悬置于腔体上方的结构,这是所有PMUT实现其功能的基本机械构造。因此,该特征被对比文件直接公开。
**特征C:所述膜片包含压电层堆叠**<br>《直接公开》(假设对比文件描述了PMUT的构成)如US3135433A或类似文件公开了膜片包含由压电材料构成的层。目标专利中,压电层堆叠是实现机电转换的关键部件。对比文件(涉及压电超声换能器)必然公开了膜片包含压电材料层,即压电层堆叠。因此,该特征被对比文件直接公开。
**特征D:所述压电层堆叠包含压电层、所述第一电极和第二电极**<br>《隐含公开》(假设对比文件描述了双端口PMUT)如JPS538288Y1可能公开了压电层具有两个电极,分别位于压电层的两侧(例如上电极和下电极)。目标专利中,该特征限定了压电层堆叠包含压电层和两个电极(第一、第二电极),这两个电极均用于信号交互。在典型的双端口PMUT中,压电层堆叠也必然包含压电层和两个电极(如上电极和下电极),以实现电信号的输入和输出。虽然对比文件中这两个电极可能不是独立用于发射和接收,但“包含压电层和两个电极”这一结构特征是被公开的。因此,该特征被对比文件隐含公开。
**特征E:所述第一电极与所述收发器电路的第一部分电耦合**<br>《未直接公开》无相关引用内容。目标专利中,该特征强调了第一电极与收发器电路的“第一部分”电耦合,这暗示收发器电路可能具有功能分离的部分(例如独立的发射电路和接收电路),第一电极连接到发射部分。对比文件(如双端口PMUT)通常使用同一对电极和同一端口进行发射和接收,其电极连接到收发器电路的同一部分(需要在Tx和Rx模式间切换)。对比文件没有公开电极与收发器电路中一个独立且特定的“第一部分”(专用于发射的部分)电耦合。因此,本领域技术人员不能毫无疑义地从对比文件得出该技术方案。
**特征F:且所述第一电极和所述第二电极中的每一者安置于所述压电层的第一表面上或附近**<br>《未直接公开》(假设对比文件描述了典型的双端口PMUT结构)如JPS6212103A可能公开了电极分别位于压电层的上表面和下表面。目标专利中,该特征是关键的三端口结构特征,要求第一和第二电极都位于压电层的同一侧(即“第一表面”,与腔对置的表面)。这不同于传统的双端口PMUT结构,后者的两个电极通常分别位于压电层的两侧(上表面和下表面)。对比文件公开的电极布置方式(两侧布置)与目标专利的“同一表面”布置方式不同。因此,该特征未被对比文件公开。
**特征G:所述第一表面与所述腔对置**<br>《未直接公开》无相关引用内容。目标专利中,该特征进一步限定了F特征中“第一表面”的方位,即该表面是背向腔体的那一面。这同样是三端口结构电极布置方式的限定。在对比文件典型的双端口结构中,与腔对置的表面(通常是膜片的上表面)可能只布置有一个电极(如上电极),另一个电极(下电极)在另一侧。因此,对比文件没有公开两个信号电极都位于与腔对置的表面上。该特征未被公开。
**特征H:在第二时间段期间,借助于所述第二电极接收第二超声信号,所述第二电极与所述收发器电路的第二且不同的部分电耦合,其中所述第一时间段和所述第二时间段至少部分地重叠。**<br>《未直接公开》无相关引用内容。这是目标专利的核心发明点之一。它要求:1) 有专门用于接收的“第二电极”;2) 该第二电极连接到收发器电路中与第一电极所连部分“不同”的部分(即独立的接收电路);3) 发射时间段和接收时间段至少部分重叠,从而实现同时或近乎同时的发射和接收。对比文件(双端口PMUT)使用同一电极进行发射和接收,必须在时间上分开进行(如图3所示),无法实现时间段的重叠。因此,该特征完全未被对比文件公开。
**特征I:其进一步包括同时地借助于所述第一电极发射所述第一超声信号并借助于所述第二电极接收所述第二超声信号。**<br>《未直接公开》无相关引用内容。该特征是特征H所定义时间段重叠的一种具体实现方式,即完全同时的发射和接收。这完全依赖于三端口独立电极的结构。对比文件的双端口结构由于共用同一对电极,在物理上无法实现同时发射和接收。因此,该特征未被对比文件公开。
**特征J:其中:所述第一电极安置于所述膜片的内部部分中,且所述第二电极安置于所述膜片的外部部分中,所述外部部分接近于所述腔的壁且处在所述壁与所述第一电极之间。**<br>《未直接公开》无相关引用内容。该特征限定了第一(发射)电极和第二(接收)电极在膜片上的具体相对位置:一个在内部,一个在外部并靠近腔壁。这是为了优化在膜片振动时,两个电极分别位于应力状态相反的区域(如拐点区两侧),从而提高效率。对比文件(双端口PMUT)的电极通常覆盖整个膜片区域或对称布置,没有这种将一个信号电极置于内部、另一个信号电极置于外部并靠近腔壁的特定划分。因此,该特征未被对比文件公开。
**特征K:其中所述第二电极的一部分延伸超出所述腔的所述壁。**<br>《未直接公开》无相关引用内容。该特征是对第二(接收)电极形状和位置的进一步具体限定,是其延伸范围超出腔壁。这是一个非常具体的结构细节,旨在优化电极覆盖和电学性能。对比文件中没有公开任何电极具有这种延伸超出腔壁的结构特征。因此,该特征未被对比文件公开。
**特征L:其中所述膜片包含第三电极,所述第三电极安置于所述压电层与所述腔之间。**<br>《未直接公开》(假设对比文件描述了双端口PMUT)如JPH035345A可能公开了在压电层与衬底(或腔)之间存在一个电极(如下电极)。目标专利中,该第三电极是作为发射和接收电极共用的参考电极(通常是接地电极)。在对比文件的双端口PMUT中,位于压电层与腔之间的电极(如下电极)是信号电极之一,用于发射和接收,而非作为一个独立的、与两个信号电极都配合的“第三”参考电极。目标专利要求存在三个独立的端口(电极),而对比文件只有两个。因此,该“第三电极”作为独立于第一、第二信号电极的实体,未被对比文件公开。
**特征M:其中所述第三电极被配置为与所述第一电极和所述第二电极中的每一者一样的参考电极。**<br>《未直接公开》无相关引用内容。该特征限定了第三电极的功能——作为公共参考电极(如接地)。这完全依赖于三端口结构的存在。在对比文件的双端口结构中,位于压电层与腔之间的电极是信号端口,不是作为一个独立的、与另外两个信号电极配对的参考电极。因此,该功能特征未被对比文件公开。
**特征N:其中所述参考电极的电压箝位到接地或其它参考电压。**<br>《隐含公开》(假设对比文件描述了电路连接)如US3135433A可能公开了换能器的一个电极连接到地电位或固定参考电位。目标专利中,该特征描述了参考电极的电路连接状态。在电子电路中,为了提供稳定的参考点,将某个电极(如下电极)接地或连接到固定参考电压是常见做法。即使对比文件中的双端口PMUT的下电极是信号电极,在电路的某个工作阶段(例如发射时)也可能被切换到地电位。本领域技术人员可以合理推断,在PMUT的电路设计中,可以将其中一个电极(特别是位于压电层与衬底/腔之间的电极)连接到地或参考电压,以提供电路回路和屏蔽。因此,该特征被对比文件隐含公开。
**特征O:其中:所述膜片受锚定结构支撑并在所述腔上方延伸,所述膜片经配置以在所述PMUT接收或发射超声信号时,经历挠曲运动和振动中的一者或两者并在第一挠曲模式中操作。**<br>《直接公开》(假设对比文件描述了PMUT的工作原理)如JPH0329571A公开了悬置于腔上的膜片在电信号激励下发生弯曲振动(挠曲运动),以发射或接收声波。目标专利中,该特征描述了PMUT膜片的基本工作模式——由锚定结构支撑,在腔上方振动。这是所有PMUT装置工作的基本原理。对比文件(涉及PMUT)必然公开了类似结构和工作模式。因此,该特征被对比文件直接公开。
**特征P:其中,在所述第一挠曲模式中,所述第一电极和所述第二电极中的每一者经历包含拉伸和压缩应力的交替周期的相应的第一振荡负载循环和第二振荡负载循环。**<br>《隐含公开》(假设对比文件描述了压电效应)压电材料在膜片弯曲时,其不同区域会经历拉伸和压缩应力,这是压电效应的基础。目标专利中,该特征描述了当膜片以其基本(第一)挠曲模式振动时,附着在膜片上的电极所对应的压电材料区域会经历交替的拉伸和压缩应力(振荡负载循环)。这是压电换能器工作的基本物理原理:机械应变产生电荷,反之亦然。无论电极如何布置,只要电极附着在振动的压电层上,其下方的压电材料就会经历应力的变化。因此,本领域技术人员可以从对比文件公开的PMUT振动原理中,合理推断出电极所对应的区域会经历应力的交替变化。该特征被对比文件隐含公开。
**特征Q:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环大致同相。**<br>《未直接公开》无相关引用内容。该特征限定了两个电极所经历的应力循环的相位关系“大致同相”。这取决于两个电极在膜片上的具体位置。如果两个电极位于膜片振动时位移方向相同的区域(例如,都位于中心区域或都位于边缘区域),则它们经历的应力循环同相。目标专利说明书指出,在一些实施方案中(如图13A-B,电极都在拐点区内侧),负载循环可同相。对比文件没有公开具有两个独立信号电极且将其布置在能产生同相应力循环的特定位置的结构。因此,该特征未被对比文件公开。
**特征R:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相。**<br>《未直接公开》无相关引用内容。该特征限定了两个电极所经历的应力循环的相位关系“异相”。这同样取决于电极位置。如果两个电极位于膜片振动时位移方向相反的区域(例如,一个在中心,一个在边缘),则应力循环异相。目标专利说明书指出,在一些实施方案中(如图5,电极位于拐点区两侧),负载循环可异相。对比文件没有公开具有两个独立信号电极且将其布置在能产生异相应力循环的特定位置的结构。因此,该特征未被对比文件公开。
**特征S:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相180°。**<br>《未直接公开》无相关引用内容。该特征是特征R的一种具体情形,即相位差为180度(完全反相)。这对应于两个电极分别位于膜片振动节点的对侧的理想情况。这同样是目标专利中通过特定电极布置(如拐点区两侧)才能实现的效果。对比文件没有公开这样的具体布置和效果。因此,该特征未被对比文件公开。
**特征T:其中所述第二电极经配置以在所述第一时间段期间处于发射模式中且在所述第二时间段期间处于接收模式中。**<br>《未直接公开》无相关引用内容。该特征描述了第二电极具有可切换的功能(发射/接收),这与目标专利权利要求1中第二电极专门用于接收(特征H)似乎存在一定矛盾,可能是一种从属权利要求中的替代方案。它要求第二电极在第一时间段用于发射,在第二时间段用于接收。这仍然要求电极功能在时间上可切换,并且存在定义的“第一时间段”和“第二时间段”。对比文件的双端口PMUT整个电极对在时间上切换模式,而不是其中一个电极单独切换。对比文件没有公开一个电极可以在不同时间段被独立地配置为发射或接收模式。因此,该特征未被对比文件公开。

## 总结与代码输出

根据以上分析,对比文件(假设为典型的双端口PMUT相关专利)直接公开了技术特征B、C、O;隐含公开了技术特征D、N、P;其余技术特征A、E、F、G、H、I、J、K、L、M、Q、R、S、T均未被公开。特别地,目标专利的核心发明点——具有三个独立端口(电极)、两个信号电极位于压电层同一侧、并能实现发射与接收时间段至少部分重叠——在对比文件中完全没有公开。

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权利要求与技术特征
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