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对比文件列表
2005-04-07_发明申请_US20050075572A1 Focusing micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture_+++B_a_c_e_g_l_o_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2008-05-29_发明申请_US20080122317A1 MULTI-LAYER TRANSDUCERS WITH ANNULAR CONTACTS_+++B_N_c_d_e_f_g_j_l_m_o_p_q_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2010-07-01_发明申请_US20100168583A1 ENHANCED ULTRASOUND IMAGING PROBES USING FLEXURE MODE PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS_+++B_C_G_O_a+++.docx
2026-03-10 19:01
2012-06-19_发明授权_US08203912B2 CMUTs with a high-k dielectric_+++A_B_E_G_O_f_j+++.docx
2026-03-10 19:01
2012-07-26_发明申请_US20120188849A1 ULTRASONIC SENSOR AND ELECTRONIC DEVICE_+++A_B_C_D_E_F_G_o_p_t+++.docx
2026-03-10 19:01
2012-09-27_发明申请_US20120245408A1 METHODS AND SYSTEMS FOR IMPROVING ACTUATOR PERFORMANCE BY REDUCING TENSILE STRESSES IN PIEZOELECTRIC THIN FILMS_+++B_C_D_F_G_L_O_S_a_e_j_p_r+++.docx
2026-03-10 19:01
2013-05-30_发明申请_US20130134838A1 PIEZOELECTRIC MEMS TRANSFORMER_+++B_C_D_F_G_L_M_N_O_e_p+++.docx
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2013-07-11_发明专利_JP2013135793A Ultrasonic probe and ultrasonic inspection apparatus_+++A_B_C_D_E_F_G_L_M_N_O_P_R_s+++.docx
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2014-08-21_发明申请_US20140232241A1 PIEZOELECTRIC ARRAY EMPLOYING INTEGRATED MEMS SWITCHES_+++B_C_E_L_M_N_O_a_g_t+++.docx
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2014-12-04_发明申请_US20140354608A1 DEVICES AND METHODS OF SENSING_+++C_D_E_F_a_b_g+++.docx
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2016-04-21_发明申请_US20160107194A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
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2016-04-21_发明申请_WO2016061406A1 SUPERPIXEL ARRAY OF PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCERS FOR 2-D BEAMFORMING_+++A_B_C_D_E_G_H_I_f_l_m_o+++.docx
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2016-04-21_发明申请_WO2016061410A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_US20170110504A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_b_e_k_q_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_WO2017066612A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_G_H_I_L_M_N_e_f_j_o_p_r_s+++.docx
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2018-06-08_发明公开_CN108140115A 集成的压电微机械超声换能器像素和阵列_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_M_N_O_f_p_r_s+++.docx
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2018-06-18_发明公开_KR20180066096A 통합된 압전 마이크로기계식 초음파 트랜스듀서 픽셀 및 어레이_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_Q_R_S+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-19_发明授权_US10001552B2 Three-port piezoelectric ultrasonic transducer_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
EP3362943A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_P_k_o+++.docx
2026-03-10 19:01
WO2016061410A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_F_G_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_e_h+++.docx
2026-03-10 19:01
WO2016061410A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_F_G_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_e_h+++.docx

**对比文件名称**:WO2016061410A1_Description_20260304_2047

**目标专利名称**:217三端口压电超声换能器CN107107114B

**模型名称**:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A《直接公开》**<br>在第一时间段期间,响应于来自收发器电路的信号,借助于压电微机械超声换能器PMUT的第一电极发射第一超声信号,[0007] “...transmitting, during a first time period, responsive to signals from transceiver circuitry, first ultrasonic signals by way of a first electrode of a piezoelectric micromechanical ultrasonic transducer (PMUT)...”对比文件第[0007]段明确记载了在第一时间段期间,响应于来自收发器电路的信号,通过PMUT的第一电极发射第一超声信号。该内容与目标专利技术特征A的描述完全相同,其作用同样是用于启动超声信号的发射。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地直接得出该技术方案。
**技术特征B《直接公开》**<br>所述PMUT包含安置于腔上方的膜片,[0003] “...PMUTs configured as a multilayer stack that includes... a diaphragm disposed over a cavity.”对比文件第[0003]段明确公开了PMUT包含安置于腔(cavity)上方的膜片(diaphragm)。该结构是PMUT的基本组成部分,在对比文件中用于形成可振动的结构以发射和接收声波,与目标专利中的作用相同。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征C《直接公开》**<br>所述膜片包含压电层堆叠,[0003] “...the diaphragm including a piezoelectric layer stack...”对比文件第[0003]段明确指出膜片包含压电层堆叠(piezoelectric layer stack)。该堆叠是实现机电转换的核心部件,其作用与目标专利中一致。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征D《直接公开》**<br>所述压电层堆叠包含压电层、所述第一电极和第二电极,[0007] “...the piezoelectric layer stack including a piezoelectric layer, the first electrode and a second electrode...”对比文件第[0007]段明确记载了压电层堆叠包含压电层、第一电极和第二电极。该描述与目标专利技术特征D完全一致,这些部件共同构成换能器的基本电学结构。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征E《隐含公开》**<br>所述第一电极与所述收发器电路的第一部分电耦合,[0007] “...each of the first electrode and the second electrode being electrically coupled with the transceiver circuitry...”对比文件第[0007]段公开了第一电极与收发器电路电耦合。虽然未明确使用“第一部分”的表述,但“电耦合(electrically coupled)”必然意味着电极需要连接到收发器电路的某个具体部分(端口或电路模块)以实现信号传输。本领域技术人员根据该描述,能够毫无疑义地推理出第一电极必然与收发器电路的某个特定部分(可理解为“第一部分”)连接。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征F《直接公开》**<br>且所述第一电极和所述第二电极中的每一者安置于所述压电层的第一表面上或附近,[0009] “...each of the first electrode and the second electrode is disposed on or proximate to a first surface of the piezoelectric layer...”对比文件第[0009]段明确公开了第一电极和第二电极都安置于压电层的第一表面上或附近。该描述与目标专利技术特征F完全相同,涉及电极在压电层上的物理位置,是形成多端口结构的关键。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征G《直接公开》**<br>所述第一表面与所述腔对置[0009] “...the first surface being opposite from the cavity.”对比文件第[0009]段在描述电极位于压电层第一表面上时,明确指出该第一表面与腔相对(opposite from the cavity)。这明确了膜片结构的空间方位,与目标专利中的作用相同。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征H《隐含公开》**<br>和在第二时间段期间,借助于所述第二电极接收第二超声信号,所述第二电极与所述收发器电路的第二且不同的部分电耦合,其中所述第一时间段和所述第二时间段至少部分地重叠。[0007] “...and receiving, during a second time period, second ultrasonic signals by way of the second electrode... The first time period and the second time period are at least partially overlapping.”对比文件第[0007]段明确记载了在第二时间段期间通过第二电极接收第二超声信号,并且第一时间段与第二时间段至少部分重叠。关于“第二电极与收发器电路的第二且不同的部分电耦合”,虽然对比文件未使用“第二且不同的部分”这一措辞,但第[0007]段已记载第一电极和第二电极均与收发器电路电耦合,且第[0064]段(对应图5描述)进一步说明三个电极分别连接到收发器电路的三个不同端口。本领域技术人员结合三端口PMUT需要独立控制发射和接收的基本原理,能够合理推断出发射电极和接收电极必然需要连接到收发器电路中功能不同、彼此独立的电路部分(即“第二且不同的部分”),以实现信号的同时或重叠时段操作。因此,该技术特征整体被隐含公开。
**技术特征I《直接公开》**<br>其进一步包括同时地借助于所述第一电极发射所述第一超声信号并借助于所述第二电极接收所述第二超声信号。[0008] “...the PMUT may be configured to simultaneously transmit first ultrasonic signals by way of the first electrode and to receive second ultrasonic signals by way of the second electrode.”对比文件第[0008]段明确公开了PMUT可被配置为同时通过第一电极发射第一超声信号并通过第二电极接收第二超声信号。该描述与目标专利技术特征I完全一致,是三端口PMUT的核心功能之一。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征J《直接公开》**<br>其中:所述第一电极安置于所述膜片的内部部分中,且所述第二电极安置于所述膜片的外部部分中,所述外部部分接近于所述腔的壁且处在所述壁与所述第一电极之间。[0009] “The first electrode may be disposed in an inner portion of the diaphragm and the second electrode is disposed in an outer portion of the diaphragm, the outer portion being proximal to a wall of the cavity and between the wall and the first electrode.”对比文件第[0009]段明确且完整地公开了该技术特征,描述了第一电极在膜片内部部分、第二电极在外部部分,且外部部分靠近腔壁并位于壁与第一电极之间的具体位置关系。该布置用于优化应力和效率,作用与目标专利相同。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征K《直接公开》**<br>其中所述第二电极的一部分延伸超出所述腔的所述壁。[0009] “In some examples, a portion of the second electrode may extend beyond the wall of the cavity.”对比文件第[0009]段明确记载了第二电极的一部分可以延伸超出腔的壁。这是一种具体的电极布局选项,其作用与目标专利中描述的一致。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征L《直接公开》**<br>其中所述膜片包含第三电极,所述第三电极安置于所述压电层与所述腔之间。[0009] “In some examples, the diaphragm includes a third electrode, the third electrode being disposed between the piezoelectric layer and the cavity.”对比文件第[0009]段明确公开了膜片包含第三电极,且该第三电极位于压电层与腔之间。这是构成三端口PMUT的第三个电极的典型位置。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征M《直接公开》**<br>其中所述第三电极被配置为与所述第一电极和所述第二电极中的每一者一样的参考电极。[0009] “In some examples, the third electrode may be configured as a reference electrode in common with each of the first electrode and the second electrode.”对比文件第[0009]段明确记载了第三电极可被配置为与第一电极和第二电极共同的参考电极。这与目标专利技术特征M的描述完全一致。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征N《直接公开》**<br>其中所述参考电极的电压箝位到接地或其它参考电压。[0009] “In some examples, a voltage of the reference electrode may be clamped to ground or other reference voltage.”对比文件第[0009]段明确公开了参考电极的电压可被箝位到接地或其它参考电压。这定义了参考电极的电学状态,作用与目标专利相同。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征O《直接公开》**<br>其中:所述膜片受锚定结构支撑并在所述腔上方延伸,所述膜片经配置以在所述PMUT接收或发射超声信号时,经历挠曲运动和振动中的一者或两者并在第一挠曲模式中操作。[0010] “...the diaphragm may be supported by an anchor structure and may extend over the cavity, the diaphragm being configured to undergo one or both of flexural motion and vibration and operate in a first flexural mode when the PMUT receives or transmits ultrasonic signals.”对比文件第[0010]段完整地公开了该技术特征,描述了膜片由锚定结构支撑、在腔上方延伸,并在操作时经历挠曲运动/振动以及在第一挠曲模式中工作。这些是PMUT膜片的基本机械特性和工作模式。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征P《直接公开》**<br>其中,在所述第一挠曲模式中,所述第一电极和所述第二电极中的每一者经历包含拉伸和压缩应力的交替周期的相应的第一振荡负载循环和第二振荡负载循环。[0010] “...in the first flexural mode, each of the first and second electrodes may experience a respective first and second oscillating load cycle that includes alternating periods of tensile and compressive stress.”对比文件第[0010]段明确描述了在第一挠曲模式中,第一和第二电极分别经历包含拉伸和压缩应力交替周期的振荡负载循环。这描述了电极在振动时的机械应力状态。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征Q《直接公开》**<br>其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环大致同相。[0010] “In some examples, the first and second oscillating load cycles may be approximately in phase.”对比文件第[0010]段明确提到了第一和第二振荡负载循环可以大致同相的可能性。这是一种具体的相位关系。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征R《直接公开》**<br>其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相。[0010] “In some examples, the first and second oscillating load cycles may be out of phase.”对比文件第[0010]段明确提到了第一和第二振荡负载循环可以异相的可能性。这是另一种具体的相位关系。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征S《直接公开》**<br>其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相180°。[0010] “In some examples, the first and second oscillating load cycles may be 180° out of phase.”对比文件第[0010]段明确提到了第一和第二振荡负载循环可以异相180°的可能性。这是一种特定的异相关系。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征T《直接公开》**<br>其中所述第二电极经配置以在所述第一时间段期间处于发射模式中且在所述第二时间段期间处于接收模式中。[0011] “In some examples, the second electrode may be configured to be in a transmit mode during the first time period and in a receive mode during the second time period.”对比文件第[0011]段明确记载了第二电极可被配置为在第一时间段处于发射模式,在第二时间段处于接收模式。这描述了第二电极的一种可切换的工作模式。因此,该技术特征被直接公开。

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