对比文件的名称：2010-12-22_CN101923065A_发明公开_CN101923065A 场效应晶体管手性传感器及其制备方法
目标专利的名称：1028包括纳米膜的装置和相关方法CN107923868B
本次调用的模型名称：AI模型（未指定）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括支撑衬底 《直接公开》 | [0009]：“场效应晶体管手性传感器，包括基底、栅绝缘层、有源层、栅电极、源电极、漏电极的场效应晶体管基本结构”。 | 对比文件明确公开了“基底”，该基底用于支撑整个器件，相当于本专利中的支撑衬底。本领域技术人员从该内容可以毫无疑义地确定基底即为支撑衬底，因此直接公开。 |
| 技术特征B：直接在所述支撑衬底上的纳米膜 《未公开》 | 对比文件全文未提及“纳米膜”或与之等效的层结构。 | 对比文件的结构为基底/栅电极/栅绝缘层/有源层，不存在直接在基底上的纳米膜。栅绝缘层虽为薄膜但位于栅电极上，且材料并非本专利定义的纳米膜（如碳纳米膜），也未公开纳米膜的直接形成方式。因此未公开。 |
| 技术特征C：在所述纳米膜上的沟道构件 《未公开》 | 对比文件全文未提及“纳米膜”及在其上形成沟道构件。 | 对比文件有源层（量子点层）形成在栅绝缘层上，但栅绝缘层不是本专利的纳米膜，且无纳米膜概念。因此未公开。 |
| 技术特征D：在所述沟道构件上的第一电极和第二电极 《直接公开》 | [0009]公开了源电极、漏电极；[0024]结合图1、2示出了顶接触型结构（源/漏电极在有源层上）。 | 对比文件顶接触型场效应晶体管中，源电极和漏电极直接形成在有源层（相当于沟道构件）上，其功能等同于本专利的第一电极和第二电极。因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述第一电极和第二电极被配置为使电流能够从所述第一电极通过所述沟道构件流到所述第二电极 《直接公开》 | [0023]：“通过外加电压，导致载流子迁移率、阈值电压、电流开关比和亚阈值斜率发生变化”；以及场效应晶体管的基本工作原理（源漏电流通过有源层）。 | 对比文件明确为场效应晶体管结构，源极和漏极之间的电流必然通过有源层（沟道）流动，该配置是晶体管固有功能。本领域技术人员可直接得出该技术特征。因此直接公开。 |
| 技术特征F：其中，所述沟道构件通过所述纳米膜而与所述支撑衬底分离 《未公开》 | 对比文件全文未公开纳米膜，也未公开沟道构件通过纳米膜与基底分离的结构。 | 对比文件中沟道构件（有源层）与基底之间依次有栅电极和栅绝缘层，不存在纳米膜，也无分离功能。因此未公开。 |
| 技术特征G：所述纳米膜被配置为通过抑制所述沟道构件与所述支撑衬底之间的相互作用来便于电流流过所述沟道构件；并且中，所述纳米膜包括碳纳米膜 《未公开》 | 对比文件全文未涉及纳米膜、碳纳米膜，也无抑制相互作用的相关描述。 | 对比文件未公开任何纳米膜，更未公开碳纳米膜，也未提及通过抑制沟道与基底间相互作用来便于电流流动。因此未公开。 |
| 技术特征H：所述沟道构件包括石墨烯 《未公开》 | [0009]及具体实施方式中公开有源层为量子点材料（如CdTe等II-VI族或III-V族化合物），未提及石墨烯。 | 对比文件沟道材料为量子点，并非石墨烯。因此未公开。 |
| 技术特征I：所述支撑衬底包括聚酰亚胺、聚酯、聚氨酯和聚二甲基硅氧烷中的一种或多种 《未公开》 | 对比文件全文未提及这些聚合物材料。 | 对比文件基底通常为硅、玻璃等，未公开聚酰亚胺、聚酯、聚氨酯或聚二甲基硅氧烷。因此未公开。 |
| 技术特征J：其中所述纳米膜具有预定厚度以在所述沟道构件与所述支撑衬底之间提供足以减小它们之间的电磁相互作用的间隔，从而便于电流流过所述沟道构件 《未公开》 | 对比文件全文未涉及纳米膜厚度及间隔作用。 | 对比文件无纳米膜，也无预定厚度提供间隔以减小电磁相互作用的任何描述。因此未公开。 |
| 技术特征K：其中所述纳米膜为足够厚和可变形中的一种或多种，以减小由所述支撑衬底的表面处的粗糙度引起的所述沟道构件处的起伏以及相关联的载荷子迁移率的降低，从而便于电流流过所述沟道构件 《未公开》 | 对比文件全文未涉及纳米膜的厚度或变形能力用于减小起伏。 | 对比文件无纳米膜，也无相关作用描述。因此未公开。 |
| 技术特征L：其中所述碳纳米膜被配置为抑制电流从所述沟道构件泄漏到所述支撑衬底，从而便于电流流过所述沟道构件 《未公开》 | 对比文件公开了栅绝缘层（如SiO2等），但其作用是隔离栅极与沟道，并非专门抑制沟道向基底泄漏。 | 对比文件无碳纳米膜，且栅绝缘层位于栅电极与有源层之间，不同于本专利的碳纳米膜位于沟道与支撑衬底之间并抑制泄漏。因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由所述支撑衬底上的带电物质产生的电场影响，从而便于电流流过所述沟道构件 《未公开》 | 对比文件全文未公开导电纳米膜屏蔽电场的功能。 | 对比文件无导电纳米膜，也无屏蔽电场相关教导。因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由通过所述支撑衬底上的电互连传播的电信号所产生的电磁场影响，从而便于电流流过所述沟道构件 《未公开》 | 对比文件全文未公开导电纳米膜屏蔽电磁场的功能。 | 对比文件无导电纳米膜，也无屏蔽电磁场相关教导。因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述纳米膜包括一种或多种掺杂剂，所述一种或多种掺杂剂被配置为引起通过所述沟道构件的电流的变化 《未公开》 | 对比文件有源层为手性分子修饰的量子点，手性分子可视为掺杂剂并影响电流，但该有源层本身是沟道层，并非纳米膜。 | 对比文件中的掺杂剂（手性分子）存在于有源层（沟道层）中，而非单独的纳米膜中。本专利明确纳米膜为位于沟道与基底之间的层，包含掺杂剂以改变沟道电流。对比文件未公开该结构。因此未公开。 |
| 技术特征P：其中所述装置包括位于所述纳米膜与所述支撑衬底之间的导电材料层，并且其中所述碳纳米膜被配置为充当所述沟道构件与所述导电材料层之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述导电材料层的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流 《未公开》 | 对比文件公开了基底/栅电极/栅绝缘层/有源层的结构，栅电极对应导电材料层，栅绝缘层对应电介质间隔物，但栅绝缘层并非碳纳米膜。 | 对比文件虽具有类似“导电材料层（栅电极）位于电介质层（栅绝缘层）与基底之间”的结构，但电介质层为常规绝缘材料（如SiO2），并非本专利的碳纳米膜，且本专利明确要求碳纳米膜作为电介质间隔物。因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述装置包括通过另外的纳米膜而与所述沟道构件分离的第三电极，所述另外的纳米膜包括电介质材料，所述电介质材料被配置为充当所述第三电极与所述沟道构件之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述第三电极的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流 《未公开》 | 对比文件公开了栅电极（第三电极）通过栅绝缘层与有源层分离，但栅绝缘层并非本专利的“另外的纳米膜”。 | 对比文件无“另外的纳米膜”概念，栅绝缘层虽起电介质间隔作用，但材料及厚度与本专利的纳米膜不同。因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括受体物质，所述受体物质被配置为与来自周围环境的带电物质进行特异性结合，所述受体物质与所述带电物质的结合将所述带电物质定位在足够靠近所述沟道构件的位置，以引起通过所述沟道构件的电流的变化 《未公开》 | 对比文件公开了有源层（沟道）经手性分子修饰，可结合手性分子，但该修饰直接作用于有源层本身，并非通过另外的纳米膜。 | 对比文件中手性分子直接修饰量子点（沟道材料），不存在单独的“另外的纳米膜”承载受体物质。结构与本专利不同。因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括一个或多个孔，所述一个或多个孔被配置为允许来自周围环境的特定分析物物质通过以与所述沟道构件相互作用，所述分析物物质与所述沟道构件的相互作用引起通过所述沟道构件的电流的变化 《未公开》 | 对比文件全文未公开具有孔的纳米膜。 | 对比文件无任何关于多孔纳米膜的描述。因此未公开。 |
| 技术特征T：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜被配置为保护所述沟道构件和所述电极免受周围环境的影响 《未公开》 | 对比文件全文未公开保护性纳米膜。 | 对比文件无保护层描述。因此未公开。 |
| 技术特征U：其中所述纳米膜、所述沟道构件、所述电极和所述支撑衬底中的至少一者被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种 《未公开》 | 对比文件全文未提及可变形、柔性、可拉伸或可压缩特性。 | 对比文件未公开任何部件的柔性或可变形性。因此未公开。 |
| 技术特征V：其中所述导电材料层被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种 《未公开》 | 对比文件全文未提及导电材料层的可变形性等。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| 技术特征W：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种 《未公开》 | 对比文件全文未提及另外的纳米膜及可变形性。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| 技术特征X：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种 《未公开》 | 对比文件全文未提及。 | 同上。 |
| 技术特征Y：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种 《未公开》 | 对比文件全文未提及。 | 同上。 |
| 技术特征Z：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种 《未公开》 | 对比文件全文未提及。 | 同上。 |
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