对比文件名称：2011-04-20_CN102024846A_发明公开_CN102024846A 3端子电子器件和2端子电子器件
目标专利名称：1028包括纳米膜的装置和相关方法CN107923868B
本次调用的模型名称：专利对比分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：包括：支撑衬底（直接公开） | [0061]：“基体(或支撑体)的实施例还包括各种玻璃基板或石英基板…”；实施例中使用的玻璃基板11和绝缘膜12作为支撑体。 | 对比文件明确公开了支撑体（基底）结构，对应于目标专利的支撑衬底，用于支撑沟道构件和电极，功能相同，因此直接公开。 |
| B：直接在所述支撑衬底上的纳米膜（未公开） | 无直接对应内容 | 对比文件未公开在支撑衬底上直接设置纳米膜。其有源层20（纳米片集合体）是沟道构件本身，并非额外的纳米膜；目标专利的纳米膜是独立于沟道构件且位于其与支撑衬底之间的层，对比文件没有公开这种结构或功能，因此未公开。 |
| C：在所述纳米膜上的沟道构件（未公开） | 无 | 由于对比文件没有纳米膜，不存在在纳米膜上的沟道构件；其沟道构件（有源层）直接设置在基体（如栅绝缘膜）上，因此未公开。 |
| D：在所述沟道构件上的第一电极和第二电极（直接公开） | [0119]：“在沟道形成区域组成层18上形成源/漏电极16” | 对比文件实施例2（底栅/顶接触型FET）明确公开了源/漏电极（第一和第二电极）形成在沟道形成区域组成层（包含有源层，即沟道构件）上，与目标专利特征D一致，因此直接公开。 |
| E：所述第一电极和第二电极被配置为使电流能够从所述第一电极通过所述沟道构件流到所述第二电极（直接公开） | [0107]：“将预定电压施加至第一电极和第二电极(源/漏电极16)，并且另外将电压施加至控制电极(栅电极14)，结果可以控制(或调制)流入有源层20的电流。” | 对比文件公开了源/漏电极的功能是施加电压使电流流过有源层（沟道构件），与目标专利特征E相同，因此直接公开。 |
| F：其中，所述沟道构件通过所述纳米膜而与所述支撑衬底分离（未公开） | 无 | 对比文件没有纳米膜，沟道构件通过栅绝缘膜与支撑体分离，但栅绝缘膜不是纳米膜，且作用不同；目标专利的纳米膜专门用于抑制相互作用，对比文件未公开该分离结构，因此未公开。 |
| G：所述纳米膜被配置为通过抑制所述沟道构件与所述支撑衬底之间的相互作用来便于电流流过所述沟道构件；并且中，所述纳米膜包括碳纳米膜（未公开） | 无 | 对比文件没有公开纳米膜，更没有碳纳米膜，也未公开抑制沟道构件与支撑衬底之间相互作用的特征，因此未公开。 |
| H：所述沟道构件包括石墨烯（直接公开） | [0004]：“由石墨烯(grapheme)或还原石墨烯氧化物(RGO)制成的纳米片”；[0077]使用RGO纳米片形成有源层；[0036]提到石墨烯纳米片。 | 对比文件明确公开沟道形成区域由石墨烯或RGO纳米片构成，即沟道构件包括石墨烯，因此直接公开。 |
| I：所述支撑衬底包括聚酰亚胺、聚酯、聚氨酯和聚二甲基硅氧烷中的一种或多种（直接公开） | [0061]：“有机聚合物(具有高聚物材料的形式，诸如由高聚物材料形成的柔性塑料膜、塑料板和塑料基板)，所述有机聚合物包括…聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)”。 | 对比文件公开了聚酰亚胺和聚酯（PET）作为支撑体或基体的材料，属于目标专利所列材料中的两种，满足“一种或多种”，因此直接公开。 |
| J：其中所述纳米膜具有预定厚度以在所述沟道构件与所述支撑衬底之间提供足以减小它们之间的电磁相互作用的间隔，从而便于电流流过所述沟道构件（未公开） | 无 | 对比文件没有纳米膜，也未公开通过厚度间隔减小电磁相互作用的功能，因此未公开。 |
| K：其中所述纳米膜为足够厚和可变形中的一种或多种，以减小由所述支撑衬底的表面处的粗糙度引起的所述沟道构件处的起伏以及相关联的载荷子迁移率的降低，从而便于电流流过所述沟道构件（未公开） | 无 | 对比文件未公开纳米膜及其相关功能，因此未公开。 |
| L：其中所述碳纳米膜被配置为抑制电流从所述沟道构件泄漏到所述支撑衬底，从而便于电流流过所述沟道构件（未公开） | 无 | 对比文件未公开碳纳米膜及其防泄漏功能，因此未公开。 |
| M：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由所述支撑衬底上的带电物质产生的电场影响，从而便于电流流过所述沟道构件（未公开） | 无 | 对比文件未公开导电纳米膜及其屏蔽功能，因此未公开。 |
| N：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由通过所述支撑衬底上的电互连传播的电信号所产生的电磁场影响，从而便于电流流过所述沟道构件（未公开） | 无 | 对比文件未公开，因此未公开。 |
| O：其中所述纳米膜包括一种或多种掺杂剂，所述一种或多种掺杂剂被配置为引起通过所述沟道构件的电流的变化（未公开） | 无 | 对比文件没有纳米膜掺杂剂，因此未公开。 |
| P：其中所述装置包括位于所述纳米膜与所述支撑衬底之间的导电材料层，并且其中所述碳纳米膜被配置为充当所述沟道构件与所述导电材料层之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述导电材料层的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流（未公开） | 对比文件公开了底栅结构（栅电极、栅绝缘膜、有源层），但栅绝缘膜不是碳纳米膜。 | 对比文件虽具有导电材料层（栅电极）和绝缘层（栅绝缘膜），但绝缘层不是碳纳米膜，且结构位置不同（栅绝缘膜在栅电极与有源层之间，而非纳米膜与支撑衬底之间）；目标专利的纳米膜是电介质间隔物且为碳纳米膜，对比文件未公开，因此未公开。 |
| Q：其中所述装置包括通过另外的纳米膜而与所述沟道构件分离的第三电极，所述另外的纳米膜包括电介质材料，所述电介质材料被配置为充当所述第三电极与所述沟道构件之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述第三电极的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流（未公开） | 对比文件公开了顶栅结构（栅绝缘膜在沟道形成区域上，栅电极在栅绝缘膜上），但栅绝缘膜不是纳米膜。 | 对比文件未公开通过纳米膜作为电介质间隔物的顶栅结构，因此未公开。 |
| R：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括受体物质，所述受体物质被配置为与来自周围环境的带电物质进行特异性结合，所述受体物质与所述带电物质的结合将所述带电物质定位在足够靠近所述沟道构件的位置，以引起通过所述沟道构件的电流的变化（未公开） | 对比文件实施例5公开了化学传感器，有源层直接吸附化学物质，但没有额外的纳米膜和受体物质。 | 对比文件未公开受体物质纳米膜，因此未公开。 |
| S：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括一个或多个孔，所述一个或多个孔被配置为允许来自周围环境的特定分析物物质通过以与所述沟道构件相互作用，所述分析物物质与所述沟道构件的相互作用引起通过所述沟道构件的电流的变化（未公开） | 无 | 对比文件未公开多孔纳米膜，因此未公开。 |
| T：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜被配置为保护所述沟道构件和所述电极免受周围环境的影响（未公开） | 对比文件提到形成钝化膜，但钝化膜不是纳米膜。 | 对比文件虽可形成钝化膜，但未指明是纳米膜（厚度、结构不同）；目标专利的另外的纳米膜是纳米膜（厚度至多10nm），对比文件未公开，因此未公开。 |
| U：其中所述纳米膜、所述沟道构件、所述电极和所述支撑衬底中的至少一者被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种（隐含公开） | [0061]公开支撑体由有机聚合物形成的柔性塑料膜、塑料板，以及聚酰亚胺等柔性材料。此外，石墨烯纳米片本身具有柔性。 | 对比文件公开了支撑衬底可选自柔性塑料材料，因此支撑衬底可以被配置为可逆地可变形的/柔性的；沟道构件（石墨烯纳米片）本身也是柔性的。本领域技术人员可以合理推断这些部件具有可逆变形能力。特征U中“至少一者”满足，对比文件隐含公开了支撑衬底和沟道构件的可变形性，因此隐含公开。 |
| V：其中所述导电材料层被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种（未公开） | 无 | 对比文件未明确公开导电材料层（如栅电极）被配置为可变形。虽然理论上可用柔性导电材料，但对比文件未教导或暗示，因此未公开。 |
| W：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种（未公开） | 无 | 对比文件没有另外的纳米膜，因此未公开。 |
| X：同上（未公开） | 无 | 同W，未公开。 |
| Y：同上（未公开） | 无 | 同W，未公开。 |
| Z：同上（未公开） | 无 | 同W，未公开。 |
<<<A>>><<<D>>><<<E>>><<<H>>><<<I>>><<<u>>>