对比文件名称：2014-05-21_CN103814445A_发明公开_CN103814445A 场效应晶体管装置、用于感测变形的设备和方法
目标专利名称：1028包括纳米膜的装置和相关方法CN107923868B
本次调用的模型名称：本回答由AI模型生成
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括支撑衬底（直接公开） | [0021]“该装置可以包括衬底。衬底可以是能够可逆变形的。衬底可以包括弹性体。衬底可以包括聚二甲基硅氧烷（PDMS）和聚对苯二甲酸乙二酯（PET）中的至少一个。” | 对比文件明确公开了装置包括支撑衬底，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：直接在所述支撑衬底上的纳米膜（未公开） | 对比文件未公开在支撑衬底上直接形成纳米膜。其公开了在衬底上沉积第一层（沟道），但该第一层不是纳米膜；第三层（屏蔽层）是导电纳米颗粒层，但位于第一层之上，而非直接在衬底上。 | 对比文件未提及任何位于支撑衬底表面上的纳米膜结构，本领域技术人员不能直接或合理推断出该特征，故未公开。 |
| 技术特征C：在所述纳米膜上的沟道构件（未公开） | 对比文件未公开纳米膜，也未公开在纳米膜上形成沟道构件。 | 由于对比文件未公开纳米膜，故不存在在纳米膜上的沟道构件，因此未公开。 |
| 技术特征D：在所述沟道构件上的第一电极和第二电极（隐含公开） | [0022]“每个沟道被配置为实现从源极电极向漏极电极的电荷载流子流动”；[0023]“源极电极和漏极电极可以包括铂、钛、金和石墨烯中的一个或多个”。 | 对比文件虽未明确描述源极和漏极电极的具体位置，但本领域技术人员根据FET的基本结构，可以合理推断出源极和漏极电极必然设置在沟道构件之上或与其直接接触以实现电荷载流子流动。因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征E：所述第一电极和第二电极被配置为使电流能够从所述第一电极通过所述沟道构件流到所述第二电极（直接公开） | [0022]“每个沟道被配置为实现从源极电极向漏极电极的电荷载流子流动”；[0077]“通过跨半导体施加电势差105而分别经由源极电极和漏极电极注入和收集电流”。 | 对比文件明确描述了源极和漏极电极之间通过沟道实现电流流动的功能，因此技术特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：其中，所述沟道构件通过所述纳米膜而与所述支撑衬底分离（未公开） | 对比文件未公开沟道构件与支撑衬底之间通过纳米膜分离的结构。对比文件中沟道构件直接形成于衬底上或通过绝缘层，但不存在纳米膜。 | 对比文件未公开纳米膜，故不存在沟道构件通过纳米膜与支撑衬底分离，因此未公开。 |
| 技术特征G：所述纳米膜被配置为通过抑制所述沟道构件与所述支撑衬底之间的相互作用来便于电流流过所述沟道构件；并且所述纳米膜包括碳纳米膜（未公开） | 对比文件未公开碳纳米膜或类似纳米膜，也未公开抑制沟道与衬底相互作用的功能。其屏蔽层（第三层）是导电纳米颗粒层，位于沟道和栅极之间，用于屏蔽栅极电场并传感变形。 | 对比文件未公开碳纳米膜，也未公开纳米膜抑制沟道与衬底相互作用的功能，因此未公开。 |
| 技术特征H：所述沟道构件包括石墨烯（直接公开） | [0016]“第一层和/或第二层可以由石墨烯的至少一个层或多个层形成”。第一层为导电沟道。 | 对比文件明确公开了沟道（第一层）可以由石墨烯形成，因此技术特征H被直接公开。 |
| 技术特征I：所述支撑衬底包括聚酰亚胺、聚酯、聚氨酯和聚二甲基硅氧烷中的一种或多种（直接公开） | [0021]“衬底可以包括弹性体。衬底可以包括聚二甲基硅氧烷（PDMS）和聚对苯二甲酸乙二酯（PET）中的至少一个”。 | 对比文件公开了支撑衬底可以包括PDMS（聚二甲基硅氧烷）和PET（聚酯），属于特征I所述材料中的两种，因此直接公开。 |
| 技术特征J：其中所述纳米膜具有预定厚度以在所述沟道构件与所述支撑衬底之间提供足以减小它们之间的电磁相互作用的间隔，从而便于电流流过所述沟道构件（未公开） | 对比文件未公开纳米膜的厚度与电磁相互作用的关系。 | 对比文件没有公开纳米膜，更没有公开其厚度用于减小电磁相互作用的特征，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中所述纳米膜为足够厚和可变形中的一种或多种，以减小由所述支撑衬底的表面处的粗糙度引起的所述沟道构件处的起伏以及相关联的载荷子迁移率的降低，从而便于电流流过所述沟道构件（未公开） | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开纳米膜，也未涉及通过纳米膜减小粗糙度影响，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中所述碳纳米膜被配置为抑制电流从所述沟道构件泄漏到所述支撑衬底，从而便于电流流过所述沟道构件（未公开） | 对比文件未公开碳纳米膜或泄漏抑制功能。 | 对比文件未公开碳纳米膜，也未公开抑制泄漏的功能，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由所述支撑衬底上的带电物质产生的电场影响，从而便于电流流过所述沟道构件（未公开） | 对比文件公开了屏蔽层（第三层）包括导电纳米颗粒，用于屏蔽沟道免受栅极电场影响（[0078]），但未涉及屏蔽来自支撑衬底的带电物质。 | 对比文件的屏蔽层位于沟道和栅极之间，屏蔽对象是栅极电场，而非支撑衬底上的带电物质；目标专利的纳米膜位于沟道和衬底之间，功能不同。对比文件未公开在沟道和衬底之间设置导电屏蔽层以屏蔽衬底带电物质，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由通过所述支撑衬底上的电互连传播的电信号所产生的电磁场影响，从而便于电流流过所述沟道构件（未公开） | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开纳米膜用于屏蔽来自支撑衬底电互连的电磁场，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述纳米膜包括一种或多种掺杂剂，所述一种或多种掺杂剂被配置为引起通过所述沟道构件的电流的变化（未公开） | 对比文件未公开纳米膜包含掺杂剂。 | 对比文件未公开纳米膜，也没有公开掺杂剂层，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中所述装置包括位于所述纳米膜与所述支撑衬底之间的导电材料层，并且其中所述碳纳米膜被配置为充当所述沟道构件与所述导电材料层之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述导电材料层的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流（未公开） | 对比文件没有公开位于纳米膜与支撑衬底之间的导电材料层，也没有碳纳米膜作为电介质间隔物。其公开了栅极电极（导电层）位于屏蔽层之上（即沟道和栅极之间是屏蔽层）。 | 对比文件未公开位于纳米膜与衬底之间的导电材料层，且没有碳纳米膜，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述装置包括通过另外的纳米膜而与所述沟道构件分离的第三电极，所述另外的纳米膜包括电介质材料，所述电介质材料被配置为充当所述第三电极与所述沟道构件之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述第三电极的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流（未公开） | 对比文件公开了栅极电极（第三电极）与沟道之间设有屏蔽层（导电纳米颗粒层）和可能的隔离层（[0082]），但隔离层不是纳米膜，且不是主要的电介质间隔物（屏蔽层是导电的）。 | 对比文件中栅极电极与沟道之间不是通过电介质纳米膜分离，而是通过导电纳米颗粒层（屏蔽层）分离；隔离层是附加的且未明确为纳米膜，因此特征Q未公开。 |
| 技术特征R：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括受体物质，所述受体物质被配置为与来自周围环境的带电物质进行特异性结合，所述受体物质与所述带电物质的结合将所述带电物质定位在足够靠近所述沟道构件的位置，以引起通过所述沟道构件的电流的变化（未公开） | 对比文件没有公开受体物质或相关的传感结构。 | 对比文件未公开这种用于特异性结合带电物质的纳米膜，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括一个或多个孔，所述一个或多个孔被配置为允许来自周围环境的特定分析物物质通过以与所述沟道构件相互作用，所述分析物物质与所述沟道构件的相互作用引起通过所述沟道构件的电流的变化（未公开） | 对比文件没有公开多孔纳米膜。 | 对比文件未公开具有孔的纳米膜用于分析物过滤，因此未公开。 |
| 技术特征T：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜被配置为保护所述沟道构件和所述电极免受周围环境的影响（未公开） | 对比文件没有公开保护性纳米膜。 | 对比文件未公开用于保护的纳米膜，因此未公开。 |
| 技术特征U：其中所述纳米膜、所述沟道构件、所述电极和所述支撑衬底中的至少一者被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种（直接公开） | [0081]“导电沟道、栅极电极、屏蔽层和支撑衬底中的一个或多个由能够可逆地变形的材料制成”。 | 对比文件明确公开了沟道、栅极电极（电极）、支撑衬底可以由可逆变形的材料制成，满足“至少一者”的条件，因此技术特征U直接被公开。 |
| 技术特征V：其中所述导电材料层被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种（未公开） | 对比文件没有公开特征P中所述的导电材料层。 | 对比文件未公开位于纳米膜与支撑衬底之间的导电材料层，故未公开其可变形性，因此未公开。 |
| 技术特征W：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种（未公开） | 对比文件没有公开另外的纳米膜。 | 对比文件未公开特征Q、R、S、T中的任意一种另外的纳米膜，故未公开其可变形性，因此未公开。 |
| 技术特征X：与特征W描述相同（未公开） | 同上 | 同上 |
| 技术特征Y：与特征W描述相同（未公开） | 同上 | 同上 |
| 技术特征Z：与特征W描述相同（未公开） | 同上 | 同上 |
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