对比文件名称：JPH04372168A_Description_20260309_1930
目标专利名称：共享扩散标准单元架构CN104769718B
模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **A: 包括：跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的N型扩散区域** 《直接公开》 | 【0004】图6是内部游戏区域3的基本单元...P型扩散区域6和N型扩散区域7被相对设置...图10中显示了N型扩散区域7a, 7b, 7c, 7d, 7e。结合【0012】“N型扩散领域７ｅは、...ポリシリコンゲート５ｄにより分離され...”及图3、10、14可知，N型扩散区域（如7a, 7e）在多个基本单元（セル）之间是连续的，延伸跨越了图10、14中所示的“セル枠14”（单元边界）。 | 对比文件图10、14明确公开了N型扩散区域（如7a, 7b, 7c, 7d, 7e）。根据【0012】及图3、14的描述和图示，这些N型扩散区域在相邻单元（セル枠）之间是连续的，即从一个单元延伸到了另一个单元之外（跨越了单元边界“セル枠14”）。这与目标专利中技术特征A的作用相同，都是提供形成晶体管的半导体区域，且跨越单元边界。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **B: 跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的P型扩散区域** 《直接公开》 | 【0004】图6是内部游戏区域3的基本单元...P型扩散区域6和N型扩散区域7被相对设置...图10中显示了P型扩散区域6a, 6b, 6c, 6d, 6e。结合【0012】“Ｐ型拡散領域６ｅは、...ポリシリコンゲート４ｄにより分離され...”及图3、10、14可知，P型扩散区域（如6a, 6e）在多个基本单元之间是连续的，延伸跨越了图10、14中所示的“セル枠14”（单元边界）。 | 对比文件图10、14明确公开了P型扩散区域（如6a, 6b, 6c, 6d, 6e）。根据【0012】及图3、14的描述和图示，这些P型扩散区域在相邻单元（セル枠）之间是连续的，即从一个单元延伸到了另一个单元之外（跨越了单元边界“セル枠14”）。这与目标专利中技术特征B的作用相同，都是提供形成晶体管的半导体区域，且跨越单元边界。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **C: 在每个扩散区域之上的至少一个导电栅极，以创建半导体器件** 《直接公开》 | 【0004】...各々の拡散領域上にはゲートポリシリコン４及びゲートポリシリコン５が配設されている。配線工程以降でゲートポリシリコン４をゲート電極とし、Ｐ型拡散領域６をソース領域，ドレイン領域とすることにより、１個のＰチャネルトランジスタ８が構成可能であり、また、ゲートポリシリコン５をゲート電極とし、Ｎ型拡散領域７をソース領域，ドレイン領域とすることにより、１個のＮチャネルトランジスタ９が構成可能となっている。【0010】...ポリシリコン４ｂ，４ｃ，５ｂ，５ｃ...第１層アルミ信号配線１０ｃと電気的に接続... | 对比文件【0004】明确公开了在P型和N型扩散区域上设置有栅极多晶硅（ゲートポリシリコン4,5），并通过后续布线形成P沟道和N沟道晶体管，即创建了半导体器件。图10中的4b, 4c, 5b, 5c即为形成有效晶体管的导电栅极。这与目标专利中技术特征C的作用相同，都是利用栅极和扩散区域形成功能性半导体器件。因此被直接公开。 |
| **D: 虚设栅极对，每个虚设栅极布置在所述N型扩散区域和所述P型扩散区域之上以至少创建虚设器件对，该对虚设栅极布置在所述单元的相对的边缘处** 《直接公开》 | 【0012】即ちＰ型拡散領域６ａは、コンタクトホール１２を介して第１層アルミＶＤＤ配線１０ａと電気的に接続されたポリシリコンゲート４ａにより分離され、Ｐ型拡散領域６ｅは、コンタクトホール１２を介して第１層アルミＶＤＤ配線１０ａと電気的に接続されたポリシリコンゲート４ｄにより分離され、Ｎ型拡散領域７ａは、コンタクトホール１２を介して第１層アルミＧＮＤ配線１０ｂと電気的に接続されたポリシリコンゲート５ａにより分離され、Ｎ型拡散領域７ｅは、コンタクトホール１２を介して第１層アルミＧＮＤ配線１０ｂと電気的に接続されたポリシリコンゲート５ｄにより分離されている。图10中，4a/5a位于单元左侧边缘，4d/5d位于单元右侧边缘。 | 对比文件【0012】及图10明确公开了位于单元（セル枠14）左右两侧边缘的“分離用”栅极对（4a与5a为一对，4d与5d为另一对）。这些栅极（4a, 4d, 5a, 5d）均布置在跨越单元边界的P型和N型扩散区域（6a/6e, 7a/7e）之上。虽然其主要描述为用于“分離”（隔离），但其物理结构（栅极覆盖扩散区）客观上构成了虚设器件（dummy device）对。这与目标专利中位于单元相对边缘、覆盖两种扩散区域的虚设栅极对在结构上相同，作用均为在单元边界处形成结构（虽然目标专利强调“禁用”，对比文件强调“隔离”，但结构本质一致）。因此被直接公开。 |
| **E: 以及至少一个第一导线，所述至少一个第一导线被配置成将所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到供电源以禁用所述至少一个虚设器件** 《直接公开》 | 【0012】...Ｐ型拡散領域６ａは、...第１層アルミＶＤＤ配線１０ａと電気的に接続されたポリシリコンゲート４ａにより分離され、...Ｎ型拡散領域７ａは、...第１層アルミＧＮＤ配線１０ｂと電気的に接続されたポリシリコンゲート５ａにより分離され...图10中，左侧的栅极4a通过接触孔12连接到VDD配线10a，栅极5a通过接触孔12连接到GND配线10b；右侧的栅极4d、5d同理。 | 对比文件【0012】及图10明确公开了导线（第一层铝配线10a/VDD、10b/GND）通过接触孔12连接到虚设（分离用）栅极（4a, 4d, 5a, 5d）。连接到VDD（电源）或GND（地）的固定电位使得这些栅极下方的沟道被固定，从而使该“器件”不能作为开关晶体管工作，即被“禁用”（在对比文件中表述为“分離”作用）。这与目标专利中技术特征E的作用相同，都是通过将栅极连接到固定电位来确保该边缘器件不发挥有源作用。因此被直接公开。 |
| **F: 其中所述供电源在所述单元的一侧上** 《直接公开》 | 图10所示单元（セル枠14内）的布局图。图中明确显示，VDD配线10a和GND配线10b均位于单元的上方（同一侧），并未在单元的下方或另一侧示出其他电源/地线。 | 对比文件图10明确显示了供电源（VDD配线10a）和接地（GND配线10b）的布线位于所示单元区域的同一侧（上方）。这与目标专利中技术特征F“供电源在所述单元的一侧上”的描述完全一致。本领域技术人员能从图10中毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **G: 其中耦合到所述至少一个第一导线的所述至少一个虚设器件布置在所述单元的仅一个边缘上** 《未公开》 | 【0012】及图10显示，单元左侧边缘的虚设栅极（4a, 5a）和右侧边缘的虚设栅极（4d, 5d）均通过导线（10a, 10b）连接到固定电位（VDD或GND）。 | 目标专利此特征限定了“仅一个边缘”上的虚设器件被耦合（结扎）到电源。这是其“不对称”架构（如一指单元）的关键，使得另一边缘的虚设器件不被结扎，需依靠邻接单元来结扎（见图2，图4A）。对比文件中，单元左右两侧边缘的虚设（分离用）栅极均被连接到固定电位（见图10），即两个边缘的虚设器件均被“耦合到导线以禁用”。因此，对比文件公开的是两侧边缘虚设器件均被连接/禁用的“对称”结构，并未公开“仅一个边缘”被连接的技术方案。 |
| **H: 并且在所述单元的所述边缘的相对边缘上的至少一个虚设器件不耦合至在所述单元的所述一侧上的所述供电源** 《未公开》 | 【0012】及图10显示，单元左侧边缘的虚设栅极（4a, 5a）和右侧边缘的虚设栅极（4d, 5d）均通过导线（10a, 10b）连接到固定电位（VDD或GND）。 | 如特征G所述，目标专利此特征与特征G、F共同定义了不对称结扎方案：供电源在单元一侧（F），仅该侧边缘的虚设器件被结扎（G），而相对边缘的虚设器件不被结扎（H）。对比文件中，如特征F所述，电源在单元一侧，但该侧电源线通过布线连接到了**两个边缘**的虚设栅极（见图10中10a, 10b的走向和接触孔12），即相对边缘的虚设器件也被耦合到了同一侧的电源/地线上。因此，对比文件未公开“相对边缘上的至少一个虚设器件不耦合至...供电源”这一技术特征。 |
| **I: 其特征在于，所述至少一个第一导线与所述至少一个虚设器件的虚设栅极以及限定在所述至少一个导电栅极与所述至少一个虚设器件的虚设栅极之间的扩散区域部分接触** 《直接公开》 | 图10中，左侧的VDD配线10a通过接触孔12同时与栅极4a以及其右侧的P型扩散区域6b接触；GND配线10b通过接触孔12同时与栅极5a以及其右侧的N型扩散区域7b接触。右侧的VDD配线10a通过接触孔12同时与栅极4d以及其左侧的P型扩散区域6d接触；GND配线10b通过接触孔12同时与栅极5d以及其左侧的N型扩散区域7d接触。 | 对比文件图10清晰地显示，导线（10a, 10b）通过接触孔12与虚设栅极（4a, 5a, 4d, 5d）接触，同时也与位于该虚设栅极和相邻的有效栅极（如4b, 5b）之间的扩散区域部分（6b, 7b, 6d, 7d）接触。例如，左侧VDD线10a接触栅极4a和扩散区6b，其中扩散区6b位于有效栅极4b和虚设栅极4a之间。这与目标专利说明书附图2中栅极结扎214同时接触虚设栅极208和扩散区域202的描述及图示完全对应。因此被直接公开。 |
| **J: 其特征在于，所述至少一个导电栅极包括在每个扩散区域之上的多个导电栅极** 《直接公开》 | 图10中，在P型扩散区域6之上，有多个栅极（4b, 4c）；在N型扩散区域7之上，有多个栅极（5b, 5c）。【0010】也提到了多个栅极（ポリシリコン４ｂ，４ｃ，５ｂ，５ｃ）。 | 对比文件图10明确公开了在每个扩散区域（P型6和N型7）之上设置有多个导电栅极（例如4b, 4c在P区，5b, 5c在N区），用于形成多个晶体管（如8a, 8b, 9a, 9b）。这与目标专利技术特征J的描述完全一致。因此被直接公开。 |
| **K: 并且所述单元进一步包括布置在所述多个导电栅极之间的输出接头** 《隐含公开》 | 【0011】Ｐチャネルトランジスタ８ａ及び８ｂのドレイン電極を形成するＰ型拡散領域６ｃは、コンタクトホール１２，第１層アルミ信号配線１０ｄ，スルーホール１３を介して、出力端子Ｙを構成している第２層アルミ信号配線１１ｂと電気的に接続されている。Ｎチャネルトランジスタ９ａ及び９ｂのドレイン電極を形成しているＮ型拡散領域７ｃも...第２層アルミ信号配線１１ｂと電気的に接続されている。图10中，输出信号Y通过接触孔12、第一层铝线10d/10e、通孔13连接到第二层铝线11b。 | 目标专利的“输出接头”（output tab）如附图2中的204所示，是连接内部扩散区（晶体管漏极）与上层金属（输出线）的局部连接结构。对比文件【0011】及图10描述了输出端子Y的形成：晶体管8a/8b的漏极（P型扩散区6c）和晶体管9a/9b的漏极（N型扩散区7c）通过接触孔12、第一层铝配线10d/10e、通孔13连接到第二层铝配线11b（输出端子）。其中，第一层铝配线10d/10e及其接触孔12位于多个有效栅极（4b/4c, 5b/5c）之间，构成了从扩散区到输出线的连接点，即“输出接头”。虽然对比文件未明确使用“tab”一词，但本领域技术人员能够理解，该连接结构在布局中即位于多个栅极之间并实现输出功能，与目标专利中“输出接头”的作用和位置实质相同。因此，该特征被隐含公开。 |
| **L: 其特征在于，每个虚设栅极包括经切割的虚设栅极对，每个经切割的虚设栅极或是与所述P型扩散区域相关联或是与所述N型扩散区域相关联** 《未公开》 | 图10中，位于单元边缘的虚设（分离用）栅极（4a, 4d, 5a, 5d）在图中显示为连续的多晶硅条，分别横跨P型和N型扩散区域。说明书文字未提及对这些栅极进行“切割”。 | 目标专利说明书【0024】明确提及“多晶线切割掩模212把该单元（包括虚设栅极208）分成PMOS区和NMOS区”，使得一个连续的虚设栅极被切割成分别与P型和N型扩散区域相关联的两部分。对比文件的图10中，虚设栅极（如4a, 5a）显示为完整的条状，并未被切割成两个独立的部分。对比文件全文也未提及任何对单元边缘分离用栅极进行切割的技术内容。因此，对比文件没有公开“经切割的虚设栅极对”这一特征。 |
| **M: 其特征在于，每个经切割的虚设栅极形成P型虚设器件或N型虚设器件的一部分** 《未公开》 | 如特征L所述，对比文件未公开“经切割的虚设栅极”。图10中的虚设栅极（4a, 5a等）是完整的，各自覆盖P型和N型扩散区，并未被切割成分别只与一种扩散类型相关联的部分。 | 该特征是基于特征L“经切割的虚设栅极对”的进一步限定。由于对比文件未公开“切割”这一步骤或结构，因此也不可能公开切割后形成的、分别与P型或N型扩散区域相关联的虚设器件部分。目标专利中，经切割后，虚设栅极的一部分仅覆盖P型扩散区形成P型虚设器件，另一部分仅覆盖N型扩散区形成N型虚设器件（见说明书【0024】）。对比文件中的虚设栅极是横跨两种扩散区的单一结构。因此，该特征未被公开。 |
| **N: 其特征在于，进一步包括至少一个第二导线，所述至少一个第二导线被配置将所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到接地，以禁用所述至少一个虚设器件** 《直接公开》 | 【0012】...Ｎ型拡散領域７ａは、コンタクトホール１２を介して第１層アルミＧＮＤ配線１０ｂと電気的に接続されたポリシリコンゲート５ａにより分離され、Ｎ型拡散領域７ｅは、コンタクトホール１２を介して第１層アルミＧＮＤ配線１０ｂと電気的に接続されたポリシリコンゲート５ｄにより分離されている。图10中，GND配线10b即为接地导线。 | 对比文件明确公开了接地导线（第一层铝GND配线10b）通过接触孔12连接到虚设栅极（5a, 5d），从而将对应的虚设器件（由栅极5a/5d与N型扩散区形成）耦合到接地（GND），以实现禁用（隔离）作用。这与目标专利中技术特征N的作用完全相同。因此被直接公开。 |
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