对比文件名称：2003-10-16_WO2003085728A_发明申请_WO2003085728A1 CARRIER, METHOD OF MANUFACTURING A CARRIER AND AN ELECTRONIC DEVICE
目标专利名称：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述载体能够使得光学元件(45)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤（未公开） | 对比文件未涉及光学元件或光学半导体元件，无相关引用。 | 对比文件涉及电子元件（如半导体元件），但未公开任何光学元件或光学半导体元件，也未公开载体用于光学定位的功能。因此未公开。 |
| 技术特征B：61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤（未公开） | 同上。 | 同上，对比文件未公开光学半导体元件定位。 |
| 技术特征C：提供(201)导电多层载体基片(10)（直接公开） | [p0002]：“一种制造电子器件的方法，该电子器件设有电子元件和具有第一侧和第二侧的载体，包括第一图案化金属层、图案化中间层和第二金属层的堆叠。” | 对比文件直接公开了提供导电多层载体基片（金属层堆叠），该基片用于后续加工。 |
| 技术特征D：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)（直接公开） | [p0020]：“载体包括第一金属层、中间层、第二金属层的堆叠。” | 对比文件公开了载体由第一金属层（相当于上部载体层）、中间层（相当于中间载体层）和第二金属层（相当于下部载体层）构成。 |
| 技术特征E：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)（直接公开） | [p0032]：“通过第一蚀刻掩模从第一侧图案化载体，形成开口15和连接导体31-35；首先蚀刻第一金属层11，随后蚀刻中间层12。” | 对比文件公开了通过蚀刻第一金属层（上部载体层）和中间层形成连接导体（上部导体结构），与目标专利的步骤一致。 |
| 技术特征F：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)（未公开） | 对比文件未公开图案化的绝缘间隔层。 | 对比文件在载体上提供的是光致抗蚀剂掩模或包封体，但未提供永久性图案化的绝缘间隔层。目标专利的绝缘间隔层是用于形成腔并限定光学元件位置的独立层，对比文件无此结构。 |
| 技术特征G：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)（未公开） | 对比文件未公开由绝缘间隔层形成的腔。 | 对比文件虽有“cavity in a substrate”的描述（[p0015]），但该腔位于衬底中而非由绝缘间隔层形成，且衬底非绝缘间隔层。因此未公开。 |
| 技术特征H：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)（未公开） | 对比文件未公开光学半导体元件在腔中连接。 | 对比文件中的电子元件连接在载体表面或包封体中，无由绝缘间隔层形成的腔。 |
| 技术特征I：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度（未公开） | 对比文件未公开腔的深度与元件高度的关系。 | 对比文件无相关腔结构，故未公开。 |
| 技术特征J：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(4561)相对于所述光学半导体元件(41)的位置（未公开） | 对比文件未公开用于光学定位的腔。 | 对比文件未涉及光学元件定位，且无腔结构。 |
| 技术特征K：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的（直接公开） | [p0025]：“中间层优选由相对于第一金属层可选择性蚀刻的材料制成，优选金属，例如Al或Al合金，第一和第二金属层为Cu。” [p0026]：“使用Al或Al合金作为中间层，第一和第二金属层为Cu可取得特别有利的结果。” | 对比文件明确公开中间层（Al）与第一、第二金属层（Cu）为不同金属，且通过材料选择实现选择性蚀刻。 |
| 技术特征L：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻（直接公开） | [p0010]：“中间层优选通过蚀刻图案化，使用对第一金属层具有选择性的蚀刻剂。” | 对比文件公开了中间层被蚀刻剂蚀刻，且蚀刻剂对中间层有效。 |
| 技术特征M：所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样（直接公开） | [p0010]：“蚀刻剂对第一金属层具有选择性。” [p0028]：“使用对第一和第三金属层具有选择性的蚀刻剂蚀刻中间层。” | 对比文件公开了蚀刻剂对第一金属层（上部载体层）和第三金属层（下部载体层）具有选择性，可使它们基本保持原样。 |
| 技术特征N：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固（直接公开） | [p0010]：“导致第一金属层的一定程度的钻蚀，足以实现机械锚固。” [p0032]：“在连接导体侧壁形成凹槽16，包封体40延伸入凹槽实现机械锚固。” | 对比文件公开了通过选择性蚀刻中间层导致第一金属层钻蚀，形成凹槽，这些凹槽用于包封体的机械锚固，与目标专利的凹槽功能相同。 |
| 技术特征O：还包括以下步骤（过渡，无实质内容） | 对比文件涉及后续步骤，但无对应特征。 | 该特征为过渡性描述，不单独判断公开性。 |
| 技术特征P：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层（未公开） | 对比文件未公开图案化的绝缘间隔层，故无中间绝缘层位于其下。 | 对比文件虽有可液化层（[p0018]），但该层直接施加在载体第一侧，且无绝缘间隔层存在，因此不满足特征P的层间关系。 |
| 技术特征Q：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22（未公开） | 对比文件未公开中间绝缘层的上述配置。 | 特征P未公开，故特征Q无法成立。对比文件的可液化层作用为防止凸块变形，未明确实现通过该层形成电连接，且无绝缘间隔层。 |
| 技术特征R：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接（未公开） | 对比文件公开了凸块连接（[p0032]），但未涉及通过中间绝缘层实现。 | 特征Q未公开，故特征R也不成立。 |
| 技术特征S：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22（未公开） | 对比文件公开了凸块对应连接导体（[p0032]），但无中间膜。 | 因无中间绝缘层，特征S不成立。 |
| 技术特征T：43)。（未公开） | 同上。 | 特征S的延续，未公开。 |
| 技术特征U：还包括以下步骤（过渡，无实质内容） | 对比文件涉及后续步骤，但无对应特征。 | 过渡性特征，不单独判断。 |
| 技术特征V：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线（直接公开） | [p0008]：“从载体第二侧根据蚀刻掩模定义的图案蚀刻第二金属层。” [p0033]：“第二金属层13具有与第二粘合层17相同的图案，用作焊料粘合层，可将器件10置于PCB上。” | 对比文件公开了蚀刻第二金属层（下部载体层）形成接触面/引线，用于电连接外部器件，与目标专利的下部导体结构功能一致。 |
| 技术特征W：所述引线彼此电隔离（直接公开） | [p0032]：“通过形成开口15使连接导体31-35彼此隔离。” [p0040]：“图案化第二金属层后，沿分离线切割，形成独立器件。” | 对比文件通过蚀刻形成分离的金属区域，实现引线电隔离，直接公开。 |
| 技术特征X：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)（直接公开） | [p0032]：“半导体元件20通过连接装置22（在此为Au凸块）连接到连接导体31-35。” | 对比文件公开了通过凸块将半导体元件连接到上部导体结构（连接导体），凸块与焊盘对应，连接方式相同。 |
| 技术特征Y：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)（直接公开） | 同上。 | 同上，直接公开。 |
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