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对比文件列表
1997-06-10_None_发明专利_JPH09153646A Optical semiconductor device and manufacture of the same_+++A_B_F_Q_R_W_Y_c_p+++.docx
2026-07-22 17:35
1999-09-28_None_发明专利_JPH11266036A Planar light source device and manufacture thereof_+++A_B_C_F_P_Q_R+++.docx
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2001-10-04_US2001026011A_发明申请_US20010026011A1 Radiation emitter devices and method of making the same_+++A_B_C_F_R_p_q+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-03-29_JP2002094129A_发明专利_JP2002094129A Optical device and apparatus using the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Z_x_y+++.docx
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2002-06-27_US2002080615A_发明申请_US20020080615A1 LED collimation optics with improved performance and reduced size_+++A_B_C_F_G_H_I_M_P_R_o_q_t+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Y_Z_x+++.docx
2026-07-22 17:35
2002-10-11_JP2002299699A_发明专利_JP2002299699A Light-emitting device and method of manufacturing the same_+++R_V_b_c_f_g_p_q_t_u+++.docx
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2002-11-06_EP1255306A_发明公开_EP1255306A2 Side emitting LED_+++A_B_C_P_R_V_f_g_m_n_o_q_t_u+++.docx
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2002-11-22_JP2002335019A_发明专利_JP2002335019A Light emitting device_+++A_B_C_F_G_Q_R_U_V_W_X_Y_Z_p+++.docx
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2003-12-25_US2003235050A_发明申请_US20030235050A1 SIDE EMITTING LED AND LENS_+++A_B_C_R_V_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o_p_q_s_t_u+++.docx
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2004-01-20_US6679621B_发明授权_US06679621B2 Side emitting LED and lens_+++A_B_C_G_P_f_r+++.docx
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2004-04-15_US2004070990A_发明申请_US20040070990A1 LED illuminator and method of manufacture_+++A_B_C_F_P_R_W_Y_g+++.docx
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2004-08-12_JP2004228143A_发明专利_JP2004228143A Solid-state light source lighting device, projector, and optical apparatus_+++A_B_C_F_P_R_Y_w+++.docx
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2004-08-12_WO2004068182A_发明申请_WO2004068182A2 HIGH DENSITY ILLUMINATION SYSTEM_+++A_B_C_P_U_V_f_r_w_x+++.docx
2026-07-22 17:36
2004-09-30_US2004188700A_发明申请_US20040188700A1 Light emitting diode_+++B_C_F_P_R_W_Y_a_q+++.docx
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2004-10-21_JP2004532533A_发明专利_JP2004532533A Manufacturing method of optoelectronic components and optoelectronic element_+++A_B_C_F_Q_R_p+++.docx
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2004-10-21_US2004207999A_发明申请_US20040207999A1 LED package_+++A_B_C_F_M_P_R_U_V_W_Y_g_q+++.docx
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2005-02-03_US2005024744A_发明申请_US20050024744A1 Circumferentially emitting luminaires and lens-elements formed by transverse-axis profile-sweeps_+++B_C_F_G_H_I_M_O_P_R_U_V_W_Y_a_d_e_j_k_l_n_q_s_t_z+++.docx
2026-07-22 17:36
2006-06-15_None_发明专利_JPWO2004082036A1 固体素子デバイスおよびその製造方法_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_X_Z+++.docx
2026-07-22 17:36
WO2004082036A1_Description_20260712_1509_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_p_z+++.docx
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2002-11-06_EP1255306A_发明公开_EP1255306A2 Side emitting LED_+++A_B_C_P_R_V_f_g_m_n_o_q_t_u+++.docx

对比文件的名称:2002-11-06_EP1255306A_发明公开_EP1255306A2 Side emitting LED

目标专利的名称:1294有利于背后照明的LED广角发射透镜CN101160670B

本次调用的模型名称:DeepSeek

### 特征比对表格

第一栏:技术特征描述及公开性判断第二栏:对比文件原文引用(翻译)第三栏:公开性论述
特征A:其包括具有中心轴的LED电路小片《直接公开》段落[0012]:“LED封装40包括纵向封装轴线43”和“LED芯片52”。对比文件明确公开了LED封装40具有纵向轴线43(即中心轴),并且包括LED芯片52(即LED电路小片),因此该技术特征被直接公开。
特征B:相对于LED电路小片固定的透镜《直接公开》段落[0012]:“透镜44耦合到LED封装基座42”。对比文件公开了透镜44固定在基座42上,基座42支撑LED芯片52,故透镜相对于LED芯片固定,该技术特征被直接公开。
特征C:该透镜使LED电路小片发出的光折射《直接公开》段落[0015]:“透镜44包括锯齿折射部分56,该部分设计用于折射和弯曲光,使光从透镜44以尽可能接近90度于纵向封装轴线43的方向射出。”对比文件明确透镜44具有折射部分,对LED芯片发出的光进行折射,使光向侧向射出,因此该技术特征被直接公开。
特征D:从而使得峰值强度出现在偏离中心轴50-80度的范围内《未公开》段落[0015]:“使光从透镜44以尽可能接近90度于纵向封装轴线43的方向射出。”对比文件公开的峰值强度方向为接近90度,偏离中心轴约90度,而目标专利要求50-80度,范围不同。对比文件没有公开或暗示任何偏离角度在50-80度范围内的技术方案,本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含地得出该特征。
特征E:使得沿着中心轴的强度在峰值强度的5%到33%之间《未公开》段落[0016]:“从LED芯片52发射出的大约33%的光被透镜44的漏斗形部分58的TIR表面反射。”对比文件没有公开沿着中心轴的光强度与峰值强度的比例关系,也没有公开5%-33%的数值范围,因此该技术特征未被公开。
特征F:其中该透镜包括密封LED电路小片的第一透镜《隐含公开》段落[0019]:“图5D示出了透镜帽55与具有半球形透镜12的传统LED封装10配合的截面图。”以及段落[0014]:“体积54可以用硅树脂填充并密封以防止LED 52污染。”对比文件图5D实施例中,透镜帽55与半球形透镜12组合,透镜12本身密封LED芯片(传统LED封装中透镜12密封芯片),因此透镜组件(透镜帽55+透镜12)包括密封LED芯片的第一透镜(透镜12)。虽然对比文件主要实施例中的透镜44并非包括分离的第一透镜,但图5D实施例明确公开了这种结构,本领域技术人员可以合理推断该透镜组件包括第一透镜,因此该特征被隐含公开。
特征G:围绕该第一透镜和LED电路小片的辅透镜《隐含公开》段落[0019]:“图5D示出了透镜帽55与具有半球形透镜12的传统LED封装10配合的截面图。”以及图5D。在对比文件图5D实施例中,透镜帽55作为辅透镜,覆盖并围绕半球形透镜12(第一透镜)以及LED芯片,因此辅透镜围绕第一透镜和LED电路小片。虽然对比文件主要实施例没有,但该实施例公开了此结构,本领域技术人员能够合理推断出辅透镜围绕第一透镜和LED小片,因此该特征被隐含公开。
特征H:该辅透镜具有在第一透镜与辅透镜之间形成空气间隙的中空部分《未公开》段落[0019]:“透镜帽55可以通过光学粘合剂固定到透镜12上。”以及段落[0014]:“体积54可以是真空、空气或其他气体,或者用光学透明树脂材料填充。”对比文件中,透镜帽55与透镜12之间通过光学粘合剂固定,没有空气间隙;体积54是透镜与芯片之间的空间,并非第一透镜与辅透镜之间的间隙。因此对比文件没有公开在第一透镜与辅透镜之间形成空气间隙的中空部分,本领域技术人员不能从对比文件得到该特征。
特征I:该间隙生成使光远离中心轴弯曲的折射界面《未公开》无相关公开内容。由于特征H未公开,特征I也未被公开。对比文件没有公开任何在第一透镜与辅透镜之间形成折射界面的间隙。
特征J:其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内《未公开》段落[0015]:“使光以尽可能接近90度射出”;段落[0021]:“表面I相对于芯片的角度大约为80度”。对比文件公开的峰值强度方向为接近90度,表面I的角度为80度是反射面角度,并非出射光峰值角度。因此没有公开峰值强度在70-80度范围内。
特征K:其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内《未公开》同特征J。同特征J,未公开。
特征L:沿着中心轴的强度为峰值强度的5-15%《未公开》无相关公开内容。对比文件没有公开沿着中心轴的光强度比例,因此未公开。
特征M:其中该辅透镜包括非球面外表面《隐含公开》段落[0015]:“透镜44包括锯齿折射部分56和全内反射(TIR)漏斗部分58。”以及段落[0020]:“图5E示出了弯曲漏斗形部分58”。对比文件透镜帽55的漏斗部分可以是弯曲的,即非球面形状。虽然未明确称为非球面,但本领域技术人员可以理解弯曲漏斗形表面属于非球面。因此辅透镜(透镜帽55)的外表面可以是非球面,该特征被隐含公开。
特征N:和非球面圆顶形内表面《隐含公开》段落[0019]及图5D:透镜帽55的内表面与半球形透镜12配合,可能具有互补形状。辅透镜(透镜帽55)的内表面用于与第一透镜(半球形透镜12)配合,通常为圆顶形,且为了光学性能可能为非球面。虽然对比文件未明确描述内表面形状,但本领域技术人员能够合理推断其内表面为非球面圆顶形,以实现紧密配合和光学性能,因此该特征被隐含公开。
特征O:其中该辅透镜包括具有用于减少中心轴附近的光强度的全内反射(TIR)部分的非球面外表面《隐含公开》段落[0015]:“透镜44包括全内反射(TIR)漏斗部分58”;段落[0016]:“漏斗部分58设计为TIR表面,反射光使得光从透镜44以尽可能接近90度于纵向封装轴线43的方向射出。大约33%的光被TIR表面反射。”对比文件的透镜帽55具有TIR漏斗部分58,该部分位于外表面,属于非球面外表面的一部分,其功能是减少中心轴附近的光强度,将光反射向侧向。因此辅透镜包括具有TIR部分的非球面外表面,该特征被隐含公开。
特征P:其中该第一透镜为半球形《直接公开》段落[0019]:“具有半球形透镜12的传统LED封装10”。对比文件明确公开了第一透镜(透镜12)为半球形,因此直接公开。
特征Q:其中该第一透镜为直接模制在LED电路小片上的透镜《隐含公开》段落[0013]:“透镜44可以通过注射成型(例如嵌件成型)等方式形成在LED封装基座42和LED芯片52上。”对比文件没有明确描述第一透镜(透镜12)的制造方法,但本领域技术人员公知,传统半球形LED透镜通常直接模制在LED芯片上以密封芯片。因此,结合公知常识,可以合理推断第一透镜为直接模制在LED电路小片上的透镜,该特征被隐含公开。
特征R:密封了该LED电路小片《直接公开》段落[0014]:“体积54可以用硅树脂填充并密封以防止LED 52污染。”以及段落[0019]:传统LED封装10的透镜12密封芯片。对比文件公开了体积54填充密封(密封方式),但更直接地,在透镜帽实施例中,透镜12本身密封LED芯片。因此第一透镜密封了LED电路小片,直接公开。
特征S:其中该间隙为圆顶形空气间隙《未公开》无相关公开内容。对比文件没有公开任何空气间隙,更不用说圆顶形空气间隙,因此未公开。
特征T:其中该第一透镜为硅树脂;并且辅透镜为塑料《隐含公开》段落[0014]:“体积54可以用硅树脂填充”;段落[0013]:“透镜44由透明材料制成,包括但不限于环烯烃共聚物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)等”。对比文件公开了体积54可用硅树脂,但硅树脂不是第一透镜(透镜12)的材料,不过传统半球形透镜常用硅树脂或环氧树脂。同时,透镜44(包括透镜帽55)的材料为塑料。本领域技术人员根据对比文件启示,可以合理推断第一透镜可以采用硅树脂,辅透镜采用塑料,因此该特征被隐含公开。
特征U:进一步包括次级载具《隐含公开》段落[0012]:“LED封装基座42”。对比文件的LED封装基座42相当于次级载具,其上安装LED芯片,并且基座通常安装在印刷电路板上。虽然对比文件未明确称为次级载具,但其功能相同,本领域技术人员可以合理推断该基座为次级载具,因此该特征被隐含公开。
特征V:其上安装了LED电路小片《直接公开》段落[0012]:“LED芯片52安装在LED封装基座42的表面”。对比文件明确公开了LED芯片安装于基座(次级载具)上,因此直接公开。
特征W:印刷电路板《未公开》无相关公开内容。对比文件没有公开印刷电路板,也没有提及LED封装与PCB的连接,因此未公开。
特征X:其上安装了次级载具《未公开》无相关公开内容。由于对比文件没有公开印刷电路板,因此也没有公开次级载具安装在PCB上,未公开。
特征Y:其中该透镜直接接触该印刷电路板《未公开》无相关公开内容。对比文件没有公开透镜与PCB的接触关系,未公开。
特征Z:围绕该次级载具《未公开》无相关公开内容。对比文件没有公开透镜围绕次级载具的结构,未公开。

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