本次评估的对比文件名称：2002-12-20_JP2002368020A_发明专利_JP2002368020A Submount and semiconductor device
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：未指定（由用户提供，此处未明确）
以下为特征比对表格，严格按目标专利权利要求的技术特征划分，每行对应一个特征，并基于对比文件内容进行公开性判断。
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) | **未公开** | 对比文件仅记载“半導体発光素子としてのレーザーダイオード”（[0003]），未提及生长基板，也未涉及半导体结构在生长基板上生长后再转移的工艺。对比文件中的激光二极管是预制好的独立元件，直接通过焊料安装到基座，不涉及生长基板。因此本特征未被公开。 |
| **技术特征B**：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 | **隐含公开** | 对比文件记载“半導体発光素子”（[0001]）及“発光部”（[0031]），本领域技术人员公知激光二极管必然具有p型区、n型区和位于两者之间的发光层。对比文件虽未明确写明三层结构，但基于所公开的“半导体发光元件”这一概念，可合理推断其包含上述基本结构，因此本特征被隐含公开。 |
| **技术特征C**：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) | **直接公开** | 对比文件[0003]记载：“サブマウントのはんだを加熱溶融し、半導体発光素子としてのレーザーダイオードをはんだ上の所定の位置に搭載する”；[0019]记载：“サブマウント３に半導体発光素子としてのレーザーダイオード２が搭載された構造”。其中焊料层（はんだ層）作为导电互连，基座（サブマウント）作为载体，明确公开了通过导电互连将半导体发光元件附着到载体。 |
| **技术特征D**：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) | **未公开** | 对比文件全文未提及空腔、底部填料或任何绝缘填充材料。焊料层直接连接半导体结构和载体，无空腔存在，也无引入绝缘材料的步骤或结构。 |
| **技术特征E**：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 | **未公开** | 对比文件无底部填料，亦无填充间隙提供刚性支撑的教导。焊料层提供连接但不涉及填料支撑。 |
| **技术特征F**：通过激光解离移除该生长基板(10) | **未公开** | 对比文件未涉及任何生长基板的移除，更未提及激光解离技术。整个工艺为将预制激光二极管安装到基座，不涉及生长基板处理。 |
| **技术特征G**：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体 and 半导体结构之间 | **未公开** | 对比文件无底部填料，无液态材料引入步骤。 |
| **技术特征H**：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 | **未公开** | 对比文件无相关固化步骤。 |
| **技术特征I**：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 | **未公开** | 对比文件无预形成刚性填料层的内容。 |
| **技术特征J**：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 | **未公开** | 对比文件无底部填料层，亦无形成开口的步骤。 |
| **技术特征K**：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 | **未公开** | 对比文件未涉及半导体结构的蚀刻工艺，未提及暴露n型区。 |
| **技术特征L**：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 | **隐含公开** | 对比文件[0032]记载：“レーザーダイオードの表面にはシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）などの絶縁層および電極層などのメタライズ層が形成される”。本领域技术人员公知激光二极管需分别形成n接触和p接触以实现电气连接，所公开的“电极层”必然包含用于n型区和p型区的接触结构。因此可合理推断本特征被隐含公开。 |
| **技术特征M**：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 | **隐含公开** | 对比文件[0019]记载基座上形成有“金（Ａｕ）膜６”作为电极层，并通过焊料层8连接激光二极管。本领域技术人员知悉焊料层必然连接激光二极管的某一电极（n接触或p接触），从而将载体上的金属层连接到该电极。因此可合理推断本特征被隐含公开。 |
| **技术特征N**：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 | **未公开** | 对比文件未记载互连与半导体结构底表面的耦合关系，也未提及顶部表面与载体顶部表面的距离数值。 |
| **技术特征O**：其中该底部填料包括有机材料 | **未公开** | 对比文件无底部填料，无有机材料相关内容。 |
| **技术特征P**：其中该底部填料包括无机材料 | **未公开** | 对比文件无底部填料，无无机材料相关内容。 |
| **技术特征Q**：其中该底部填料包括环氧树脂 | **未公开** | 对比文件无环氧树脂相关内容。 |
| **技术特征R**：其中该底部填料包括硅树脂 | **未公开** | 对比文件无硅树脂相关内容。 |
| **技术特征S**：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 | **未公开** | 对比文件无硅树脂及无机颗粒相关内容。 |
| **技术特征T**：其中该至少一个互连包括金 | **直接公开** | 对比文件[0003]记载基座上形成有“金（Ａｕ）膜６”作为电极层；[0028]记载“金錫（ＡｕＳｎ）系はんだ”作为焊料层。金膜和焊料中的金均构成导电互连的一部分，因此本特征被直接公开。 |
| **技术特征U**：附着包括通过超声焊接进行附着 | **未公开** | 对比文件仅记载通过加热熔融焊料进行附着（[0003]），未提及超声焊接工艺。 |
| **技术特征V**：其中该至少一个互连包括焊料 | **直接公开** | 对比文件多处记载“はんだ層”（焊料层），如[0003]、[0019]、[0028]等，明确公开互连包含焊料。 |
| **技术特征W**：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 | **未公开** | 对比文件[0031]记载半导体发光元件材料可为GaAs、InP等，未提及III-氮化物（如GaN）及蓝宝石基板。 |
| **技术特征X**：移除包括通过激光解离进行移除 | **未公开** | 同特征F，对比文件无任何移除生长基板的步骤，更无激光解离。 |
| **技术特征Y**：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 | **未公开** | 对比文件无激光扫描相关内容。 |
| **技术特征Z**：其中移除包括通过蚀刻进行移除 | **未公开** | 对比文件无蚀刻移除生长基板的内容。 |
**综合结论**：
对比文件直接公开了技术特征C、T、V；隐含公开了技术特征B、L、M；其余技术特征A、D、E、F、G、H、I、J、K、N、O、P、Q、R、S、U、W、X、Y、Z均未被公开（包括直接或隐含）。
根据输出格式要求，在回答结尾插入对应代码：
直接公开：<<<C>>><<<T>>><<<V>>>
隐含公开：<<<b>>><<<l>>><<<m>>>
<<<C>>><<<T>>><<<V>>><<<b>>><<<l>>><<<m>>>