本次评估的对比文件名称：DE69406964T2_Description_20260712_1549
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《直接公开》 | “执行本发明的第一步是选择衬底30，在其上顺序生长多个LED层。”（来自“Beste Weise zum Ausführen der Erfindung”第一段） | 对比文件明确公开了在生长衬底上生长半导体结构（LED层），该步骤与目标专利的特征A完全对应，因此直接公开。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》 | “层32是n型缓冲层，层34是n型AlGaInP下限制层，层36是AlGaInP有源层，层38是p型AlGaInP上限制层。”（来自“Beste Weise zum Ausführen der Erfindung”） | 对比文件描述了n型层（32、34）、有源层（36）和p型层（38），有源层位于n型和p型层之间，与特征B相同，因此直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 《未公开》 | “可以在衬底42的上表面形成薄接触区域，并在LED结构的最下层32形成对应的接触区域……然后将衬底表面与最下层32表面接触，并在高温下退火。退火在非金属化区域实现晶圆键合，并在金属化接触处形成连接。”（来自“Beste Weise zum Ausführen der Erfindung”） | 对比文件使用晶圆键合（包括金属化接触）实现附着，但金属化接触仅为电连接，主要附着依赖于整个表面的直接键合，而非通过离散的导电互连。目标专利的互连是用于附着且形成间隙，对比文件未教导这种结构，因此既未直接公开也未隐含公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 《未公开》 | 对比文件全文未提及任何底部填料或类似绝缘填充材料。 | 目标专利的底部填料是填充空腔并提供支撑，对比文件没有记载任何引入电绝缘底部填料的内容，因此未公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 《未公开》 | 对比文件全文未提及底部填料及其支撑作用。 | 由于特征D未公开，该从属特征同样未公开。对比文件没有描述任何通过填充间隙提供刚性支撑的步骤或结构。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) 《未公开》 | “移除生长衬底可以通过化学蚀刻、研磨/抛光、反应离子蚀刻、离子铣削或它们的任何组合来实现。”（来自“Beste Weise zum Ausführen der Erfindung”） | 对比文件列举了多种移除方法，但完全未提及激光解离。激光解离是本领域的特定技术，对比文件未公开，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 《未公开》 | 对比文件全文未提及液态底部填料材料。 | 特征D未公开，该从属特征也未公开。对比文件没有涉及液态填料的使用。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 《未公开》 | 对比文件全文未提及固化步骤。 | 同特征G，未公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 《未公开》 | 对比文件全文未提及在附着前形成刚性底部填料层。 | 对比文件未公开任何与底部填料层相关的步骤，因此未公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 《未公开》 | 对比文件全文未提及在填料层中形成开口。 | 同特征I，未公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《未公开》 | 对比文件全文未提及蚀刻p型区和有源区以暴露n型区的步骤。 | 对比文件中的LED结构为垂直结构，n型层在底部，p型层在顶部，没有公开通过蚀刻暴露n型区的步骤，因此未公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 《直接公开》 | “电极44形成在上限制层38（p型）上，电极46形成在透明衬底42（导电，连接n型层）上。”（来自图7描述） | 对比文件明确形成了p接触（电极44）和n接触（电极46），与特征L一致，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 《未公开》 | 对比文件未描述互连将载体上的金属层连接到接触；载体上的金属层（电极46）直接形成在载体上，并通过载体本身与半导体结构连接。 | 特征C未公开，该从属特征也未公开。对比文件没有教导通过互连连接载体上的金属层到接触，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 《未公开》 | 对比文件未提及互连耦合到底部表面，也未提及任何距离数值。 | 对比文件中的晶圆键合导致半导体结构直接接触载体，距离为零，但未公开小于50微米的特定距离，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 《未公开》 | 对比文件全文未提及底部填料，更未提及有机材料。 | 未公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 《未公开》 | 对比文件全文未提及底部填料。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 《未公开》 | 对比文件全文未提及环氧树脂。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 《未公开》 | 对比文件全文未提及硅树脂。 | 未公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 《未公开》 | 对比文件全文未提及硅树脂或无机颗粒。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 《直接公开》 | “然后用AuGe（用于n型接触）和/或AuZn（用于p型接触）对晶圆进行金属化，并合金化。”（来自“Reduktion auf die Praxis”部分） | 对比文件中的金属化接触（可视为互连）包含金（AuGe、AuZn），因此特征T被直接公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 《未公开》 | 对比文件全文未提及超声焊接，仅描述高温退火键合。 | 未公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 《未公开》 | 对比文件全文未提及焊料。 | 未公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《未公开》 | “可接受的材料包括……GaN、AlN……”（来自“Beste Weise zum Ausführen der Erfindung”），但生长基板为GaAs，未提及蓝宝石。 | 对比文件虽然提到了III-氮化物材料（GaN、AlN），但未公开生长基板为蓝宝石，本领域技术人员不能从对比文件合理推断出蓝宝石基板，因此未公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 《未公开》 | 同特征F，对比文件未提及激光解离。 | 未公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 《未公开》 | 对比文件未提及激光解离，更未提及激光扫描。 | 未公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 《直接公开》 | “移除生长衬底可以通过化学蚀刻、研磨/抛光、反应离子蚀刻、离子铣削或它们的任何组合来实现。”（来自“Beste Weise zum Ausführen der Erfindung”） | 对比文件明确公开了通过蚀刻（化学蚀刻、反应离子蚀刻）移除生长基板，因此特征Z直接公开。 |
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