**对比文件名称：** 2004-06-01_US6744800B_发明授权_US06744800B1 Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate
**目标专利名称：** 1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
**本次调用的模型名称：** AI模型
---
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《**直接公开**》 | “一个根据本发明的实施例示于图1。图1显示了四光斑InGaAlN激光二极管结构100，典型地生长在Al₂O₃绝缘衬底215上（见图2）。”（DETAILED DESCRIPTION部分）<br>“图6显示了通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在绝缘衬底215上生长的InGaAlN异质结构晶圆600。绝缘衬底215通常是Al₂O₃。”（DETAILED DESCRIPTION部分） | 对比文件明确公开了在蓝宝石（Al₂O₃）绝缘衬底（即生长基板）上生长III-氮化物半导体结构（InGaAlN激光二极管结构），与特征A中的“提供在生长基板上生长的半导体结构”完全相同，且该生长基板为绝缘衬底，与目标专利的生长基板作用一致。因此，特征A被直接公开。 |
| **技术特征B：** 该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《**直接公开**》 | “P-GaN帽层220位于p-AlGaN包层225之上。有源区是具有多量子阱结构的InGaN层230，位于n-AlGaN包层235之上。层210是n-GaN，位于通常为Al₂O₃的绝缘衬底215上。”（DETAILED DESCRIPTION中对图2的描述） | 对比文件明确描述了半导体层结构：p-GaN（p型区）、有源区InGaN MQW（发光层）、n-GaN（n型区），发光层精确地置于p型区和n型区之间。该结构与特征B完全一致，且发光层同样起发光作用。因此，特征B被直接公开。 |
| **技术特征C：** 通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 《**不公开**》 | 对比文件未记载将半导体结构附着到载体，也未记载用于附着的导电互连。 | 对比文件中的金属接触（如p-metal, n-metal）仅用于形成电极，并无将半导体结构转移或附着到另一载体的步骤，更无作为附着手段的导电互连。因此，特征C未被对比文件公开。 |
| **技术特征D：** 在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 《**不公开**》 | 对比文件未记载任何底部填料或空腔填充。 | 对比文件未涉及半导体结构与载体之间的空腔，也未引入任何绝缘填料。因此，特征D未被公开。 |
| **技术特征E：** 其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 《**不公开**》 | 对比文件未记载底部填料及其支撑作用。 | 由于特征D不公开，特征E的附加限定也未在对比文件中出现。因此，特征E未被公开。 |
| **技术特征F：** 通过激光解离移除该生长基板(10) 《**不公开**》 | 对比文件仅记载：“然后通过机械抛光减薄衬底215，以准备晶圆600用于切割成单个器件。”（DETAILED DESCRIPTION部分） | 对比文件使用机械抛光减薄衬底，而非激光解离移除。无任何关于激光解离的记载。因此，特征F未被公开。 |
| **技术特征G：** 其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 《**不公开**》 | 对比文件未记载底部填料引入方式。 | 对比文件无底部填料相关步骤，更无液态填料放置。因此，特征G未被公开。 |
| **技术特征H：** 使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 《**不公开**》 | 对比文件未记载底部填料固化。 | 同特征G，对比文件无此步骤。因此，特征H未被公开。 |
| **技术特征I：** 其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 《**不公开**》 | 对比文件未记载预形成刚性底部填料层。 | 对比文件无附着步骤，也无预形成填料层。因此，特征I未被公开。 |
| **技术特征J：** 在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 《**不公开**》 | 对比文件未记载在填料层中开口。 | 基于特征I不公开，特征J也未公开。因此，特征J未被公开。 |
| **技术特征K：** 进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《**隐含公开**》 | “使用CAIBE或RIE在Ar/Cl₂/BCl₃气体混合物中干法蚀刻图7b所示的台面结构。”（DETAILED DESCRIPTION中对图7a-7e的描述）<br>“图7d显示了沉积n金属720的结果，该n金属通常为钛-铝（Ti-Al），采用热蒸发和N₂环境中的快速热退火。” | 对比文件公开了通过干法蚀刻台面结构，必然蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露下层的n-GaN层（n型区），从而形成n型接触区域。该蚀刻步骤的目的与特征K中暴露n型区完全相同。虽然对比文件未明确提及“在附着到载体之前”，但本领域技术人员在将半导体结构转移至载体的常规工艺中，必然在附着前完成接触形成（包括蚀刻暴露），这是显而易见的合理步骤。因此，结合对比文件公开的蚀刻暴露n型区的技术内容，本领域技术人员可以合理推断出该特征在附着前实施，故特征K被隐含公开。 |
| **技术特征L：** 形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 《**直接公开**》 | “图7d显示了沉积n金属720的结果，该n金属通常为钛-铝（Ti-Al）……”<br>“图7e显示了晶圆600在p金属接触垫730和n金属接触垫720沉积后的情况。”<br>“n金属接触……通常为Ti-Al，而p金属接触垫……通常为Ni-Au。”（DETAILED DESCRIPTION部分） | 对比文件明确分别在暴露的n型区（n-GaN）上形成n金属接触（Ti-Al），在p型区（p-GaN）上形成p金属接触（Ni-Au），与特征L完全一致，且同样起电气连接作用。因此，特征L被直接公开。 |
| **技术特征M：** 其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 《**不公开**》 | 对比文件未记载载体上形成的金属层，也未记载互连连接载体金属层与半导体接触。 | 对比文件中的金属接触直接形成于半导体结构上，无载体金属层，亦无此互连连接关系。因此，特征M未被公开。 |
| **技术特征N：** 其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 《**不公开**》 | 对比文件未记载互连耦合到底部表面，也未提及半导体结构与载体的距离。 | 对比文件无载体依附结构，无底部表面耦合，无距离限定。因此，特征N未被公开。 |
| **技术特征O：** 其中该底部填料包括有机材料 《**不公开**》 | 对比文件未记载底部填料，更未提及材料类型。 | 特征O基于底部填料，对比文件无此内容。因此，特征O未被公开。 |
| **技术特征P：** 其中该底部填料包括无机材料 《**不公开**》 | 同特征O。 | 因此，特征P未被公开。 |
| **技术特征Q：** 其中该底部填料包括环氧树脂 《**不公开**》 | 对比文件未记载环氧树脂。 | 因此，特征Q未被公开。 |
| **技术特征R：** 其中该底部填料包括硅树脂 《**不公开**》 | 对比文件未记载硅树脂。 | 因此，特征R未被公开。 |
| **技术特征S：** 进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 《**不公开**》 | 对比文件未记载硅树脂及无机颗粒。 | 因此，特征S未被公开。 |
| **技术特征T：** 其中该至少一个互连包括金 《**不公开**》 | 对比文件记载“p金属接触垫……通常为Ni-Au”（DETAILED DESCRIPTION部分）。 | 对比文件中的金用于形成p型接触电极，并非用于附着半导体结构至载体的“互连”（特征C中的互连）。由于特征C未被公开，作为其进一步限定的特征T也不具备公开基础。且对比文件中的金不能直接等同于附着用的互连，因此特征T未被公开。 |
| **技术特征U：** 附着包括通过超声焊接进行附着 《**不公开**》 | 对比文件未记载超声焊接。 | 对比文件无附着步骤，更无超声焊接。因此，特征U未被公开。 |
| **技术特征V：** 其中该至少一个互连包括焊料 《**不公开**》 | 对比文件未记载焊料互连。 | 对比文件无焊料互连用于附着。因此，特征V未被公开。 |
| **技术特征W：** 其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《**直接公开**》 | 同特征A引用：“……四光斑InGaAlN激光二极管结构100，典型地生长在Al₂O₃绝缘衬底215上。”<br>“图6……InGaAlN异质结构晶圆600……绝缘衬底215通常是Al₂O₃。” | 对比文件明确半导体结构为InGaAlN（III-氮化物），生长基板为Al₂O₃（蓝宝石），与特征W完全一致。因此，特征W被直接公开。 |
| **技术特征X：** 移除包括通过激光解离进行移除 《**不公开**》 | 对比文件仅记载机械抛光减薄，无激光解离。 | 特征F已不公开，特征X作为进一步限定同样不公开。因此，特征X未被公开。 |
| **技术特征Y：** 其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 《**不公开**》 | 对比文件未记载激光扫描。 | 基于特征X不公开，特征Y也未公开。因此，特征Y未被公开。 |
| **技术特征Z：** 其中移除包括通过蚀刻进行移除 《**不公开**》 | 对比文件未记载蚀刻移除生长基板。 | 对比文件仅机械抛光，无蚀刻移除。因此，特征Z未被公开。 |
---
<<<A>>><<<B>>><<<L>>><<<W>>><<<k>>>