对比文件的名称：2004-03-11_KR1020040022177A_发明公开_KR1020040022177A 반도체 장치 및 그것을 이용한 광학 장치
目标专利的名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《直接公开》 | [84] “采用MOCVD法等可以在该蓝宝石基板上形成氮化物半导体。” | 对比文件明确公开了在蓝宝石生长基板上生长氮化物半导体结构，该结构即为后续的半导体发光元件的基本结构，本领域技术人员可直接毫无疑义地确定该特征被公开。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》 | [85] “由n型氮化镓形成的第一接触层、由n型氮化铝镓形成的第一包覆层、由氮化铟镓形成的活性层、由p型氮化铝镓形成的第二包覆层、由p型氮化镓形成的第二接触层。” | 对比文件描述了具有n型层、活性层（发光层）和p型层的半导体发光元件结构，活性层位于n型区和p型区之间，该特征被直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 《直接公开》 | [87] “在各引线电极上形成由Au构成的凸点，使发光元件的各电极与各凸点对向，施加热、超声波和负荷，从而接合凸点与电极。” | 对比文件公开了通过金凸点（导电互连）将发光元件（半导体结构）附着到引线电极（载体）上，该特征被直接公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 《直接公开》 | [90] “为了提升发光装置的可靠性，可以在发光元件的正负两电极与submount之间，或发光元件的正负两电极与封装凹部底面露出的引线电极之间产生的间隙中填充underfill。” | 对比文件明确公开了在半导体结构（发光元件）与载体（submount或引线电极）之间的间隙中填充电绝缘底部填料（underfill），该特征被直接公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 《隐含公开》 | [90] 同上。 | 对比文件虽未明确提及“刚性支撑”，但本领域技术人员公知，underfill填充间隙并固化后可提供机械支撑和应力缓冲，从而对半导体结构起到刚性支撑作用，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10)。 《未公开》 | 无。 | 对比文件仅提及基板可在半导体层叠后分离（[84]），但未公开任何具体的移除方法，更未提及激光解离，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 《隐含公开》 | [90] 同上。 | 对比文件未明确液态引入，但本领域技术人员公知，underfill通常以液态形式注入间隙后再固化，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑。 《隐含公开》 | [90] 同上。 | 对比文件未明确固化步骤，但本领域技术人员公知，液态underfill必须经过固化才能形成固体支撑层，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 《未公开》 | 无。 | 对比文件公开的underfill是在附着后填充的，未公开在附着前预先形成刚性底部填料层，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连。 《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开在刚性底部填料层中形成开口的技术方案，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《直接公开》 | [162] “通过蚀刻，在蓝宝石基板上的氮化物半导体的同一面侧，露出p型接触层和n型接触层的各表面。” | 对比文件公开了在形成电极之前，通过蚀刻去除部分p型区和有源区以暴露n型层，从而形成n型区暴露部分，该特征被直接公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触。 《直接公开》 | [163] “分别按W/Pt/Au的顺序层叠，同时形成p侧片状电极和n侧片状电极。” | 对比文件明确公开了在暴露的n型区上形成n接触（n侧片状电极），在p型区上形成p接触（p侧片状电极），该特征被直接公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个。 《直接公开》 | [89] “在子基板表面上，从与发光元件对向的面到与引线电极对向的面，由导电性部件配置有导电性图案。” | 对比文件公开了通过导电互连（如凸点）将发光元件的电极连接到载体上的金属层（submount的导电图案或引线电极），该特征被直接公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米。 《未公开》 | 无。 | 对比文件虽公开了倒装芯片方式，互连位于半导体结构底部表面，但未公开顶部表面与载体顶部表面之间的距离，更未公开小于50微米的数值，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料。 《直接公开》 | [90] “环氧树脂等热固性树脂。” | 对比文件明确公开了底部填料（underfill）可以使用环氧树脂等有机材料，该特征被直接公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料。 《直接公开》 | [90] “氮化铝、氧化铝及它们的复合混合物等可以混入环氧树脂中。” | 对比文件公开了底部填料中可以包含无机材料（如氮化铝、氧化铝）作为填料，因此底部填料包括无机材料，该特征被直接公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂。 《直接公开》 | [90] “环氧树脂。” | 对比文件明确公开了底部填料包括环氧树脂，该特征被直接公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂。 《未公开》 | 无。 | 对比文件虽在密封材料中提及硅树脂（[98]），但未公开底部填料包括硅树脂，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒。 《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开硅树脂底部填料及其中包含无机材料颗粒的具体方案，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 《直接公开》 | [87] “由Au构成的凸点。” | 对比文件公开了互连为金凸点，该特征被直接公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着。 《直接公开》 | [91] “进行超声波接合。” | 对比文件公开了通过超声焊接进行附着，该特征被直接公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料。 《直接公开》 | [91] “共晶焊料（Au-Sn、Pb-Sn）、无铅焊料。” | 对比文件公开了互连包括焊料，该特征被直接公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《直接公开》 | [84] “氮化物半导体”和“蓝宝石基板”。 | 对比文件明确公开了半导体结构为III-氮化物（氮化物半导体），生长基板为蓝宝石，该特征被直接公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除。 《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开通过激光解离移除生长基板，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面。 《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开激光解离及扫描，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除。 《未公开》 | 无。 | 对比文件虽提及基板可分离，但未公开通过蚀刻方法移除，因此该特征未被公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<K>>><<<L>>><<<M>>><<<O>>><<<P>>><<<Q>>><<<T>>><<<U>>><<<V>>><<<W>>><<<e>>><<<g>>><<<h>>>