2021-11-04_US2021341877A_发明申请_US20210341877A1 LIGHT GUIDE PLATE FOR IMAGE DISPLAY
目标专利的名称：1561全息光学元件及其制造方法CN113728257B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述制造方法包括<br>《直接公开》 | 对比文件[0198]-[0204]描述了制造图像显示导光板的方法，例如[0198]：“Such a light guide plate for image display 1004 can be manufactured, for example, as follows.”（这样的用于图像显示的导光板1004例如可以如下制造。） | 对比文件明确公开了制造导光板（包含全息光学元件）的方法，该方法包括后续一系列步骤，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：通过用光敏树脂涂覆基底的一个表面来形成光敏基底的步骤(a)<br>《直接公开》 | [0199]：“a photopolymer material for hologram formation is applied onto the first resin base 1001.”（将用于全息形成的光聚合物材料施加到第一树脂基底1001上。） | 对比文件公开了将光敏树脂（光聚合物）涂覆到树脂基底（第一树脂基底）的一个表面上，从而形成光敏基底，因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：通过用激光照射所述光敏基底的一个表面和另一个表面中的每一者来记录所述全息光栅的步骤(b)<br>《直接公开》 | [0203]：“… irridiating the laminate with two laser beams. … interference fringes corresponding to the diffraction pattern are formed on the photopolymer material of the laminate, and a diffraction grating is formed in the photopolymer material.”（用两束激光照射层压体…在层压体的光聚合物材料上形成与衍射图案对应的干涉条纹，并在光聚合物材料中形成衍射光栅。） | 对比文件明确公开了用两束激光照射所述光敏基底（光聚合物材料）以形成干涉条纹和全息光栅，该过程必然从不同方向照射光敏基底的两侧或两面，因此技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：其中在所述步骤(a)中施加所述光敏树脂使得光敏树脂涂层的高度沿预定方向变化<br>（未公开） | 无 | 对比文件未包含任何关于有意识使光敏树脂涂层高度沿预定方向变化的内容。相反，对比文件强调保持全息层厚度均匀的重要性（参见[0020]），因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征E：所述全息光栅记录在所述光敏树脂涂层的整个高度上<br>《隐含公开》 | [0203]：“… a diffraction grating is formed in the photopolymer material.”（在光聚合物材料中形成衍射光栅。） | 对比文件虽未明确表述“整个高度”，但全息光栅的记录通常发生在曝光区域（即光敏树脂涂层）的整个厚度中，本领域技术人员能够合理推断光栅占据涂层的整个高度，因此技术特征E被隐含公开。 |
| 技术特征F：所述全息光栅的高度沿所述预定方向变化；并且中所述光敏树脂涂层的高度沿所述预定方向逐渐增加<br>（未公开） | 无 | 对比文件未公开全息光栅高度变化或涂层高度逐渐增加的特征。相反，对比文件致力于避免厚度波动（[0020]），因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征G：所述全息光栅的高度沿所述预定方向逐渐增加<br>（未公开） | 无 | 对比文件未公开全息光栅高度逐渐增加的特征，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征H：所述全息光栅具有相同的宽度<br>《隐含公开》 | [0203]描述用两束激光记录衍射光栅，但未具体说明光栅宽度。 | 对比文件未公开光栅宽度的变化，而且在相同的激光记录条件下（相同的功率、照射时间和角度），本领域技术人员能够合理预期光栅的宽度是相同的，因此技术特征H被隐含公开。 |
| 技术特征I：其中在所述步骤(a)中将所述光敏树脂喷涂至所述基底的一个表面上多个位置处<br>（未公开） | 无 | 对比文件[0232]虽提到了喷涂法（spray coating method），但该处特指硬涂层的形成，而非用于光敏树脂。且对比文件未公开向多个位置喷涂光敏树脂，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征J：喷涂的光敏树脂的量根据位置而变化<br>（未公开） | 无 | 对比文件未公开任何关于根据位置改变喷涂量的内容，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征K：其中所述步骤(a)包括将所述基底浸入包含所述光敏树脂的容器中的步骤(a‑1)<br>（未公开） | 无 | 对比文件[0237]虽提到了浸涂法（dip coating），但该处特指硬涂层形成，且未公开将基底浸入光敏树脂容器中的具体步骤用于形成全息涂层，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征L：和通过在一个方向上移动所述基底将所述基底与所述容器分离的步骤(a‑2)<br>（未公开） | 无 | 对比文件未公开浸涂后通过移动基底分离的步骤，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征M：在所述步骤(a-2)中在改变所述基底的移动速度的同时将所述基底与所述容器分离<br>（未公开） | 无 | 对比文件未公开在分离过程中改变移动速度，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征N：其中所述步骤(a)包括在所述基底与辅助基底之间提供所述光敏树脂的步骤(a‑1)<br>《直接公开》 | [0201]：“thereafter, the second resin base 1003 is placed on the photopolymer material.”（然后，将第二树脂基底1003放置在光聚合物材料上。） | 对比文件公开了在第一树脂基底（基底）和光聚合物材料上放置第二树脂基底（辅助基底），即提供了光敏树脂在基底与辅助基底之间，因此技术特征N被直接公开。 |
| 技术特征O：和移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者的步骤(a‑2)<br>《直接公开》 | [0201]：“thereafter, the second resin base 1003 is placed on the photopolymer material.”（然后，将第二树脂基底1003放置在光聚合物材料上。） | 对比文件公开了将第二树脂基底（辅助基底）移动并放置在光聚合物材料上，即移动了至少一个基底，因此技术特征O被直接公开。 |
| 技术特征P：在所述步骤(a‑2)中在改变所述基底和所述辅助基底中的一者相对于另一者的相对移动速度的同时移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者<br>（未公开） | 无 | 对比文件未公开在移动过程中改变相对移动速度，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征Q：其中在所述步骤(a)中在所述基底的一个表面相对于基面倾斜的状态下提供所述光敏树脂<br>（未公开） | 无 | 对比文件未公开在基底倾斜状态下提供光敏树脂，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征R：将所述光敏树脂干燥<br>《隐含公开》 | [0232]（针对硬涂层）：“the hard coating liquid is applied … and then drying.”（硬涂液被施加…然后干燥。） | 对比文件在硬涂层形成中明确包括干燥步骤。对于光敏树脂涂层，本领域技术人员已知涂覆后需要干燥以去除溶剂或进行预固化，因此能够合理推断该步骤的存在，技术特征R被隐含公开。 |
根据对比文件公开情况，直接公开的技术特征为：A、B、C、N、O；隐含公开的技术特征为：E、H、R。其他技术特征未被对比文件公开。
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