对比文件名称：1999-08-06_None_发明专利_JPH11215023A High-frequency composite component
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法 CN105191123B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
作为资深专利代理师，我将严格遵循您的要求，结合目标专利说明书对技术特征进行解释，并按照直接公开和隐含公开的判断标准，对对比文件进行逐一评估。以下是特征比对表格及分析。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：包括至少一个电感器的第一层级** <br> **《隐含公开》** | 【0006】“...前记第1乃至第3のインダクタンス素子...が、前记积层体に内蔵、あるいは搭载されることを特徴とする。” <br> 【0024】“积层体14には、第1〜第3の伝送线路SL11〜SL13, SL21, SL22, SL31〜SL33...が内蔵され...” <br> 【0031】“...ストリップ电极Lp1, Lp5, Lp9でチョークコイルCC32を...ストリップ电极Lp13, Lp16, Lp19, Lp22, Lp27で第1の伝送线路SL12を...それぞれ形成する。” | **隐含公开**：目标专利的“第一层级”是3DIC中一个独立的层级，用于形成电感器。对比文件公开了一种“积层体”，由多个介电层（第1〜第17诱电体层）堆叠而成，其中内藏了多个电感元件（如第1-3传输线路SL、扼流线圈CC等）。虽然对比文件没有明确划分为“第一层级”和“第二层级”，但其积层体结构本身是三维的，电感元件被“内藏”在多个层中，本领域技术人员可以理解这些包含电感元件的层构成了一个功能层级。因此，对比文件隐含公开了在三维结构的一个层级中包含至少一个电感器的技术方案。 |
| **技术特征B：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器** <br> **《未公开》** | 对比文件全文未提及“穿基板通孔（TSV）”或“穿玻通孔（TGV）”结构。其电感元件由印刷在介电层上的导体层（ストリップ电极）构成。 | **未公开**：目标专利明确限定电感器为“穿基板通孔电感器”，这是一种垂直贯穿基板（如硅或玻璃）的立体结构，如说明书[0048]提及的TGV/TSV电感器。对比文件中的电感元件（传输线路、线圈）是通过在平面介电层上印刷导体图案形成的平面或带状线结构（见【0028】），并非垂直贯穿基板的通孔结构。两者在结构、制造工艺和电性能（如Q值）上存在本质差异。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出穿基板通孔电感器。 |
| **技术特征C：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，** <br> **《隐含公开》** | 【0006】“...ノッチフィルタは、少なくとも1つの第3のインダクタンス素子、少なくとも1つの第3のキャパシタンス素子、少なくとも1つの共振器、及び少なくとも1つの第2のスイッチング素子で构成される...” <br> 【0017】“ノッチフィルタ13は、...第2のスイッチング素子である第2のダイオードD31, D32...で构成される。” <br> 【0043】“...ノッチフィルタの第3のダイオードに印加する电压を制御することにより...LC共振回路のインダクタンス成分、あるいはキャパシタンス成分を制御することができ...ノッチフィルタの共振周波数を制御することができる。” | **隐含公开**：目标专利的“变抗器”是一种提供可变电容的装置。对比文件中的陷波滤波器（ノッチフィルタ）包含作为开关元件的二极管（D31, D32）。如说明书【0043】所述，通过控制施加在二极管上的电压，可以改变由电感、电容、谐振器和二极管组成的LC谐振电路的阻抗（电感或电容成分），从而控制谐振频率。这实质上利用了二极管的结电容随偏压变化的特性，使其起到了可变电容（即变抗器）的作用。这些二极管与其他电感元件一起内置于积层体中（【0024】），构成了一个功能层级。因此，对比文件隐含公开了在另一个层级中包含至少一个可变电容元件（变抗器），并且该元件与电感元件耦合（共同构成滤波器电路）。 |
| **技术特征D：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。** <br> **《隐含公开》** | 【0001】“本発明は、移動体通信機、例えば複数の周波数帯域に対応する携帯電話器等に用いられる高周波複合部品に関する。” <br> 【0009】“高周波複合部品10は、送信部を構成する２端子スイッチ１１と、ＬＣフィルタ１２と、ノッチフィルタ１３とを一体化したものである。” <br> 【0043】“...ノッチフィルタの共振周波数を制御することができる。したがって、ノッチフィルタを通過する高周波信号の周波数帯域を変えることができるため、１つの高周波複合部品で、異なる周波数帯域を有する複数の高周波信号に対応することができる。” | **隐含公开**：目标专利的“可调谐共用器”是一种能够处理多个频带信号（如载波聚合）并可调谐其滤波特性的器件。对比文件的高频复合部件集成了开关、LC滤波器和可调谐的陷波滤波器，用于使一个天线对应多个频带（如GSM和DCS）。特别是，其陷波滤波器的谐振频率可通过二极管（作为可变电容）进行控制，从而适应不同频带【0043】。这实现了共用器的“可调谐”功能。因此，对比文件隐含公开了由电感器和起变抗器作用的二极管共同形成的、可调谐的高频复合部件，其作用与目标专利的可调谐共用器相同。 |
| **技术特征E：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。** <br> **《未公开》** | 对比文件全文未提及“玻璃上覆硅(SOG)”、“SOI”或任何特定类型的变抗器结构。其使用的可变电容元件是普通的二极管（ダイオード）。 | **未公开**：目标专利特别强调变抗器为“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”，这是具有特定材料和结构的高Q值可变电容元件（见说明书[0044]）。对比文件仅公开了使用常规二极管作为开关/可变电容元件，没有公开或暗示任何SOG变抗器的结构或材料特征。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出该特定类型的变抗器。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。** <br> **《未公开》** | 同上，对比文件全文未提及“穿玻通孔(TGV)”或任何穿基板通孔结构。 | **未公开**：理由同技术特征B。目标专利进一步限定穿基板通孔电感器为“穿玻通孔(TGV)电感器”。对比文件完全没有公开这种基于玻璃基板和垂直通孔的电感结构。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。** <br> **《隐含公开》** | 【0010】“また、ＬＣフィルタ１２は、低域通過フィルタであり...” <br> 【0011】“さらに、ノッチフィルタ１３は、低域通過フィルタであり...” <br> 图2电路图显示LC滤波器12和陷波滤波器13构成了从端子P2到P1的信号路径的一部分。 | **隐含公开**：目标专利的LP滤波器是可调谐共用器的一部分，用于通过较低频带。对比文件明确其LC滤波器12和陷波滤波器13都是“低域通過フィルタ”（低通滤波器）【0010, 0011】。虽然对比文件中的陷波滤波器13包含可调谐元件（二极管），且整体电路功能更复杂（结合了开关），但其中一个核心组成部分是低通滤波器。本领域技术人员可以理解，这些低通滤波器是由电路中的电感元件（传输线）和电容元件（包括起可变电容作用的二极管）共同形成的。因此，对比文件隐含公开了由电感和可变电容元件形成低通滤波器的技术特征。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。** <br> **《未公开》** | 【0017】“ノッチフィルタ１３は、第３のインダクタンス素子である第３の伝送線路ＳＬ３１〜ＳＬ３３と、...第２のダイオードＤ３１，Ｄ３２...で構成される。” | **未公开**：目标专利该特征限定了更具体的结构：一个独立的“第二变抗器”耦合到“第一层级中的多个第二电感器”，以形成LP滤波器。对比文件的陷波滤波器13确实包含两个二极管（D31， D32）和多个电感（传输线SL31-SL33），但该电路是一个独立的可调谐陷波滤波器模块，并非明确由分属两个不同层级的特定元件“合而形成”LP滤波器。对比文件没有明确划分出与“第一层级”分离的“第二层级”，也没有揭示“第二变抗器”与“第一层级中的多个第二电感器”这种跨层级的特定耦合关系以形成LP滤波器。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。** <br> **《隐含公开》** | 【0043】“...ノッチフィルタの第３のダイオードに印加する電圧を制御することにより、第３の伝送線路、第３のコンデンサ、共振器及び第２のダイオードからなるＬＣ共振回路のインダクタンス成分、あるいはキャパシタンス成分を制御することができ、その結果、ノッチフィルタの共振周波数を制御することができる。” | **隐含公开**：目标专利中变抗器的作用是调节滤波器的陷波频率。对比文件【0043】明确说明，通过控制二极管（作为可变电容元件）上的电压，可以控制陷波滤波器（ノッチフィルタ）的LC谐振电路的电容成分，从而控制其谐振频率（即陷波频率）。这直接公开了利用可变电容元件来调节滤波器陷波频率的技术手段和作用。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。** <br> **《未公开》** | 对比文件未提及电感器用于控制滤波器截止频率的具体配置或作用。其LC滤波器的作用是阻断谐波【0010】，但未明确说明是电感器单独控制截止频率。 | **未公开**：目标专利说明书[0010]提到第二HP电容器帮助定义“通带的截止频率的陡度”，[0017]提到第三LP电感器帮助定义“通带的截止频率的陡度”，但并未明确指出“穿基板通孔电感器配置成控制截止频率”是区别于现有技术的特定作用。对比文件中未强调电感器对截止频率的控制作用，更没有提及穿基板通孔电感器的此种配置。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。** <br> **《未公开》** | 对比文件中的“積層体”由多个介电层（誘電体層）堆叠而成【0026】，其材料是介电材料，并非单晶硅等半导体材料，也未提及“半导体管芯（semiconductor die）”集成。 | **未公开**：目标专利的3DIC是集成电路，通常集成在半导体管芯上或内。对比文件的高频复合部件是一种基于低温共烧陶瓷（LTCC）或类似技术的多层模块，其基板是介电材料，集成的元件包括印刷的被动元件和表面贴装的二极管，并非现代意义上的半导体集成电路（IC）或管芯。两者在集成度、材料和制造工艺上存在显著差异。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。** <br> **《隐含公开》** | 【0001】“本発明は、移動体通信機、例えば複数の周波数帯域に対応する携帯電話器等に用いられる高周波複合部品に関する。” <br> 【0050】“...その使用は、ＧＳＭとＤＣＳとの組み合わせに限定されるものではなく、例えば、...などの使用することができる。” | **隐含公开**：目标专利列举了可集成该3DIC的广泛设备列表。对比文件明确指出其高频复合部件用于“移动通信机，例如对应于多个频带的携带电话机等”【0001】，并列举了GSM、DCS、PCS等多种通信系统组合的应用场景【0050】。“携带电话机”即“蜂窝电话”，属于目标专利列表中明确列出的“移动电话、蜂窝电话”。虽然对比文件未列出全部设备类型，但其公开的具体应用（蜂窝电话）已落入目标专利的宽范围列表中。本领域技术人员可以合理推断，这种用于无线通信的部件也可以应用于其他通信或电子设备。因此，该特征被隐含公开。 |
根据以上分析，对比文件**隐含公开**了技术特征A、C、D、G、I、L；**未公开**技术特征B、E、F、H、J、K。技术特征G和L的判断基于较宽松的隐含公开标准。
<<<a>>><<<c>>><<<d>>><<<g>>><<<i>>><<<l>>>