对比文件名称：2012-03-29_US2012075216A_发明申请_US20120075216A1 INTEGRATED PASSIVES AND POWER AMPLIFIER
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级《隐含公开》 | [0045] 第一段：“In one aspect, the passive device(s) may include one or more resistors, capacitors, variable capacitors, varactors, inductors, filters, transformers, couplers, directional couplers, power splitters, transmission lines, waveguides, or antennas.”<br>[0099] 最后一段：“For example, the vias may be filled by screen-printing of one or more pastes... to create conducting and filled through-glass vias...”<br>[0102] 第一段：“...at least some of the vias may include tungsten (W) wire, doped silicon and/or plated metal.”<br>[0119] 第一段：“In this example, power combiner circuit 1029 includes the inductors 1120a, 1120b, 1120c and 1120d...” | 对比文件[0045]明确列举了可在基板上形成的无源器件包括电感器(inductors)。[0099]和[0102]描述了在玻璃基板中形成并填充导电材料的通孔（through-glass vias）。结合对比文件全文（例如[0119]）描述的功率组合器电路包含电感器，本领域技术人员可以理解，这些电感器可以形成在基板（例如玻璃基板）上。该基板构成了一个层级，其中包含电感器。这与目标专利中“包括至少一个电感器的第一层级”相对应。虽然对比文件未明确使用“第一层级”这一术语，但其描述的“在玻璃基板上形成无源器件（包括电感器）”的结构布局，实质上公开了一个包含电感器的层级。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B**：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器《直接公开》 | [0008] 第一段：“A plurality of vias may extend through the substrate, between the first surface and a second surface of the substrate.”<br>[0009] 第二段：“The integrated device may have a plurality of through-glass vias extending between the first surface and the second surface of the glass substrate.”<br>[0119] 第一段：“In this example, power combiner circuit 1029 includes the inductors 1120a, 1120b, 1120c and 1120d...”<br>[0134] 图14F-14H及相关描述展示了在玻璃基板中形成并填充导电材料的通孔（interconnect via 1010a）。 | 对比文件多处描述了穿过基板（特别是玻璃基板）的通孔（through-glass vias），例如[0008]、[0009]。这些通孔填充导电材料后，可以用于形成电感器等无源器件。[0119]明确功率组合器电路包含电感器。结合本领域公知常识，穿过基板的导电通孔本身可以构成为一个电感器（即穿基板通孔电感器）。对比文件[0134]的图14F-14H更是具体展示了形成并填充导电通孔（interconnect via 1010a）的工艺，该通孔可用于电连接，其结构本身即具备电感特性。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定，对比文件公开了“穿基板通孔电感器”，具体为穿玻通孔（TGV）电感器。该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，《隐含公开》 | [0045] 第一段：“In one aspect, the passive device(s) may include one or more resistors, capacitors, variable capacitors, **varactors**, inductors, ...”<br>[0090] 倒数第二段：“For example, similar processes may be used to fabricate a low noise amplifier, a mixer, an active filter, ... **varactors**, ...”<br>[0102] 第一段：“In block 915, passive components such as resistors, capacitors, **variable capacitors, varactors**, inductors, ... are deposited on at least one side of the glass substrate 1007.”<br>[0126] 第二段：“The apparatus 1200 also includes a **MEMS device 1210 such as a MEMS varactor** that has been formed on the glass die 1005.” | 对比文件[0045]、[0090]、[0102]明确列举了可在基板上形成的无源器件包括变抗器（varactors）。[0126]更是具体给出了在玻璃管芯（glass die）上形成MEMS变抗器（MEMS varactor）的实例。对比文件描述了将包含无源器件（如电感器、变抗器）的基板与包含有源电路（如功率放大器）的集成电路管芯堆叠结合的结构（例如图10A-10C，[0102]）。在这样堆叠形成的三维结构中，变抗器（位于基板层级）必然通过导电通路（如金属布线、凸块）与同样位于基板或另一层级上的电感器电耦合，以共同构成功能电路（如功率组合器）。因此，本领域技术人员通过合理推断可以得出，存在一个包含变抗器的层级（可视为“第二层级”），且该变抗器耦合到电感器。该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。《未公开》 | 无直接对应引用。对比文件公开的电路主要为功率组合器（power combiner）或功率放大系统（power amplification system），例如[0011]、[0118]、[0119]、[0121]。 | 目标专利中的“可调谐共用器（diplexer）”是一种特定类型的射频器件，用于将两个不同频带的信号组合到一根天线上或从中分离，其核心是包含可调谐元件的滤波器网络。对比文件公开的电路是“功率组合器（power combiner）”，其功能是将多个功率放大器的输出功率进行合成，主要关注功率容量和效率，而非频带分离与滤波特性。尽管功率组合器可能包含类似的无源元件（L、C），但其电路拓扑、设计目标和功能与共用器有本质区别。本领域技术人员无法从对比文件公开的功率组合器毫无疑义地或通过合理推断得出“可调谐共用器”这一特定技术方案。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。《未公开》 | [0126] 第二段：“The apparatus 1200 also includes a MEMS device 1210 such as a MEMS varactor that has been formed on the glass die 1005.” | 对比文件提到了MEMS变抗器（MEMS varactor）形成在玻璃管芯上。然而，“玻璃上覆硅（SOG）变抗器”是变抗器的一种特定制造工艺和结构，特指在玻璃基板上形成硅层，并在该硅层上制作变抗器。对比文件仅泛指出“MEMS变抗器”，并未明确描述其具体结构为SOG。MEMS变抗器可以采用多种技术和材料实现，不必然是SOG结构。因此，本领域技术人员无法从对比文件确定或合理推断出该变抗器就是“SOG变抗器”。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。《直接公开》 | [0009] 第二段：“The integrated device may have a plurality of **through-glass vias** extending between the first surface and the second surface of the glass substrate.”<br>[0099] 最后一段：“...to create conducting and filled **through-glass vias**...”<br>（结合技术特征B的论述） | 对比文件明确且反复地描述了“穿玻通孔（through-glass vias）”，例如[0009]。如技术特征B所述，这些穿玻通孔在填充导电材料后可用于形成电感器。因此，“穿玻通孔(TGV)电感器”已被对比文件直接公开。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该结论。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。《未公开》 | 无直接对应引用。对比文件未描述任何具有低通滤波器功能的电路结构，其功率组合器电路（如[0119]图11B）并非典型的LP滤波器拓扑。 | 目标专利特征G限定了电感器和变抗器所形成的具体功能——即构成可调谐共用器内部的低通(LP)滤波器。对比文件完全没有提及“低通滤波器”或“LP滤波器”。其公开的功率组合器电路虽然包含电感器和电容器，但其电路构型和设计目的（功率合成）与低通滤波器不同。本领域技术人员无法从对比文件中识别出或推断出这样一个具有特定滤波功能的低通滤波器结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。《未公开》 | 无直接对应引用。 | 该特征进一步限定了更复杂的电路结构：存在第二变抗器和多个第二电感器，且它们共同形成LP滤波器。对比文件完全没有公开这样的具体电路布局和元件组合关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。《未公开》 | 无直接对应引用。对比文件未描述变抗器用于调节滤波器的陷波频率。 | 目标专利特征I限定了变抗器的具体功能是调节“可调谐共用器内滤波器的陷波频率”。对比文件虽然公开了变抗器的存在，但并未提及或暗示其用于调节陷波频率。在对比文件描述的功率组合器或功率放大系统上下文中，变抗器可能用于其他目的（如阻抗匹配、调谐），但绝非用于调节共用器滤波器的陷波频率。该功能是目标专利所针对的特定技术问题（载波聚集系统中的谐波消除）的解决方案。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。《未公开》 | 无直接对应引用。对比文件未描述穿基板通孔电感器用于控制滤波器的截止频率。 | 目标专利特征J限定了穿基板通孔电感器的具体功能是控制“可调谐共用器内滤波器的截止频率”。对比文件公开了穿玻通孔电感器的结构，但未赋予其“控制滤波器截止频率”这一特定功能。在对比文件的功率组合器电路中，电感器的作用是功率合成路径的一部分，而非用于设定滤波器的频率响应特性。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。《隐含公开》 | [0090] 第一段：“The integrated circuit may, for example, have been formed on a silicon-based substrate, such as an SOI substrate.”<br>[0102] 第三段：“In block 925, an integrated circuit is attached to at least some of the passive components.”<br>[0125] 第一段：“In this example, the integrated circuit die is a power amplifier chip 1050 that includes a power amplifier circuit formed on a silicon substrate.”<br>图10A-10C、图12展示了集成电路管芯（如功率放大器芯片1050）堆叠在玻璃基板上的三维结构。 | 对比文件明确描述了在硅基衬底（如SOI）上形成的集成电路管芯（例如功率放大器芯片），并将其附着/堆叠到带有无源器件的玻璃基板上（[0090], [0102], [0125]）。这种将不同功能的层级（硅基有源电路层和玻璃基无源器件层）垂直堆叠互连的结构，构成了一个三维集成的器件。虽然对比文件未明确使用“集成到半导体管芯中”这一表述，但本领域技术人员能够理解，所述的三维集成电路必然涉及并将功能集成在所述半导体管芯（即集成电路管芯）及其相关堆叠结构中。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。《直接公开》 | [0043] 第二段：“More particularly, it is contemplated that the described implementations may be included in or associated with a variety of electronic devices such as, but not limited to: **mobile telephones**, multimedia Internet enabled cellular telephones, ... **computers, portable computers**, ... **televisions**, ... **radios**, satellite radios, **music players**, digital music players, portable music players, **digital video players**, video players, **DVD players**, portable digital video players, ...”。 | 对比文件[0043]明确列举了其技术（包括集成了无源器件和有源电路的三维结构）可以应用于或关联于多种电子设备，该列表涵盖了目标专利特征L中列出的绝大部分设备类型，例如移动电话、计算机、便携式计算机、电视机、收音机、音乐播放器、数字视频播放器、DVD播放器等。尽管措辞不完全相同，但本领域技术人员可以毫无疑义地确定对比文件公开的技术可集成到这些设备中。因此，该技术特征被直接公开。 |
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