2011-12-01_US2011291786A_发明申请_US20110291786A1 Through Via Inductor Or Transformer In A High-Resistance Substrate With Programmability_+++B_F_L+++.docx

**对比文件名称**:2011-12-01_US2011291786A_发明申请_US20110291786A1 Through Via Inductor Or Transformer In A High-Resistance Substrate With Programmability

**目标专利名称**:271三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B

**本次调用模型名称**:DeepSeek

### **特征比对表格**

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:包括至少一个电感器的第一层级 《未公开》[0034]段:A three-dimensional inductor 104 is formed in the package 100 and includes a plurality of through-vias 114. <br> [0040]段:...the inductor 104 has a greater inductance range when the through-via is longer.**未公开**。对比文件公开了在高电阻基板(如玻璃)中形成包含多个穿通孔的三维电感器,这对应于“包括至少一个电感器的第一层级”。然而,该电感器在对比文件中的作用是作为独立的、可编程的电感元件或变压器的一部分(见[0001], [0005], [0041]),用于调节电感值或实现电压变换。而在目标专利中(见说明书[0042], [0043], [0045]),第一层级的电感器是“可调谐共用器”内部滤波器的组成部分,其作用是与变抗器配合,共同形成具有特定通带和可调谐陷波特性的滤波器。两者虽然结构相似,但所嵌入的电路整体(独立电感器/变压器 vs. 共用器)和所起的具体作用(调节电感/变换电压 vs. 构成可调谐滤波器)不同。因此,本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地或通过合理推断得出技术特征A在目标专利中所限定的技术方案。
**技术特征B**:,其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器 《直接公开》[0001]段:...a programmable through via inductor or transformer formed in a high-resistance substrate... <br> [0034]段:...a three-dimensional inductor 104 is formed in the package 100 and includes a plurality of through-vias 114. <br> [0040]段:In other words, by increasing the thickness of the substrate 102, the inductance range of the inductor 104 is also increased.**直接公开**。对比文件明确公开了其电感器是形成在高电阻基板(如玻璃)中的“穿通孔(through-via)”电感器(见[0001], [0034])。目标专利的“穿基板通孔电感器”是对此类结构的通用描述。对比文件详细描述了穿通孔的形成方法(见图2及[0035]-[0039])及其尺寸(如[0040]段),其作用同样是提供电感。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出该技术特征。
**技术特征C**:包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级, 《未公开》无相关公开。对比文件通篇未提及“变抗器(varactor)”。**未公开**。对比文件的核心在于通过“调谐电感器(tuner inductor)”来改变“目标电感器(target inductor)”的总电感值(见[0007], [0046]-[0065]),实现可编程的是电感,而非电容。其公开的所有可调谐元件均为电感器(如调谐电感器406、504等)。目标专利中关键的“变抗器”(即可变电容器)在对比文件中完全没有记载。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或通过合理推断出存在一个包含变抗器的第二层级。
**技术特征D**:所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。 《未公开》无相关公开。对比文件未公开“共用器(diplexer)”。**未公开**。对比文件公开的电路是独立的可编程电感器或变压器(见[0001], [0041], [0066]-[0087]),用于调节电感或变换电压/阻抗。目标专利的“可调谐共用器”是一种具有特定拓扑结构(如包含高通和低通滤波器)的双工器,用于在单个天线上分离或合并两个不同频带的信号(见说明书[0010], [0042]-[0044])。两者是功能、结构和应用完全不同的电路。对比文件没有公开任何共用器的组成或原理。
**技术特征E**:其特征在于,所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。 《未公开》无相关公开。**未公开**。如对技术特征C的论述,对比文件未公开任何变抗器,因此更不可能公开“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”这一具体类型的变抗器。
**技术特征F**:其特征在于,所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。 《直接公开》[0034]段:...an electronic package 100 is provided with a high-resistance substrate 102 such as glass... A three-dimensional inductor 104 is formed in the package 100 and includes a plurality of through-vias 114. <br> [0070]段:A through-glass via (TGV) 1010, 1012...**直接公开**。对比文件明确其高电阻基板为玻璃(glass)(见[0034]),并多次提及“穿玻璃通孔(through-glass via, TGV)”(见[0070]段)。因此,对比文件公开的穿基板通孔电感器具体就是穿玻通孔(TGV)电感器。其作用与目标专利中相同,都是利用玻璃基板的高Q特性实现高性能电感。
**技术特征G**:其特征在于,所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。 《未公开》无相关公开。**未公开**。对比文件未公开“共用器”,因此也不可能公开共用器内部的“低通(LP)滤波器”。其公开的可编程电感器阵列本身并非一个滤波器结构。
**技术特征H**:其特征在于,进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器,所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。 《未公开》无相关公开。**未公开**。对比文件未公开“变抗器”,也未公开“共用器”及其内部的“LP滤波器”。该特征涉及更复杂的层级结构和元件连接关系,对比文件完全没有相关教导。
**技术特征I**:其特征在于,所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。 《未公开》无相关公开。**未公开**。对比文件中的可编程元件是用于调节“电感值”(见[0007], [0052]),其可调谐的目的是改变目标电感器的总电感(例如用于匹配变化的容性负载或频率,见[0065]),而不是调节一个滤波器的“陷波频率”。目标专利中通过变抗器改变电容来调谐滤波器陷波频率的原理(见说明书[0042])在对比文件中没有体现。
**技术特征J**:其特征在于,所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。 《未公开》无相关公开。**未公开**。对比文件中的穿通孔电感器作为独立可编程元件或变压器的一部分,其作用是提供和/或调节电感值,并未被描述或用于控制某个滤波器的“截止频率”。目标专利中电感器在滤波器中的作用是定义通带和陷波频率(见说明书[0010], [0042]),这与对比文件中电感器的作用不同。
**技术特征K**:其特征在于,所述三维集成电路集成到半导体管芯中。 《隐含公开》[0001]段:This disclosure relates generally to an electronic package... <br> [0046]段:With reference to FIG. 4, a different embodiment of a three-dimensional inductor is provided in an electronic package 400. <br> [0088]段:Any of remote units 1720, 1730, and 1750 may include an electronic package having a three-dimensional inductor or transformer formed in a high-resistance substrate...**隐含公开**。对比文件多次将其技术描述为应用于“电子包(electronic package)”(见[0001], [0046])。在集成电路领域,“电子包”通常包含半导体管芯及其封装。图4、10等所示的电子包结构(包括基板、金属层、介电材料)是典型的集成电路封装或集成形式。此外,[0088]段指出该技术可应用于移动电话、便携式计算机等设备,这些设备必然包含半导体管芯。因此,本领域技术人员可以合理推断,包含所述三维电感器的电子包/电路可以被集成到一个半导体管芯或包含半导体管芯的封装模块中。
**技术特征L**:其特征在于,所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备:机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。 《直接公开》[0088]段:In FIG. 17, remote unit 1720 is shown as a mobile telephone, remote unit 1730 is shown as a portable computer, and remote unit 1750 is shown as a fixed location remote unit in a wireless local loop system. For example, the remote units may be cell phones, hand-held personal communication systems (PCS) units, portable data units such as personal data assistants, or fixed location data units such as meter reading equipment.**直接公开**。对比文件在[0088]段明确列举了其技术可应用的设备,包括:移动电话(mobile telephone, cell phone)、便携式计算机(portable computer)、个人通信系统单元(PCS units)、个人数据助理(personal data assistants,即PDA)、固定位置数据单元(fixed location data units)。这些设备均落入目标专利权利要求L所列举的设备列表中。因此,该技术特征被对比文件直接公开。

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权利要求与技术特征
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