对比文件名称：2011-12-06_US8069560B_发明授权_US08069560B2 Method of manufacturing multilayer wiring board
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法 CN105191123B
本次调用的模型名称：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A：** 包括：包括至少一个电感器的第一层级<br>**判断结果：** 未直接公开，未隐含公开 | [0074] 段：“Further, on the other surface of the core board 102, a dielectric layer 112 is provided to form capacitors 111. In the present invention, not only the capacitors but also inductors being other passive component circuits may be provided on the surface where the capacitors 111 are provided.” (译文：此外，在核心板102的另一表面上提供介电层112以形成电容器111。在本发明中，不仅电容器，而且作为其他无源组件电路的电感器也可以设置在设有电容器111的表面上。) | **直接公开判断：** 对比文件确实提到了可以在核心板表面设置电感器。然而，目标专利中的“第一层级”是三维集成电路(3DIC)中的一个层级，其“至少一个电感器”是构成“可调谐共用器”的滤波器（如高通或低通滤波器）的必要组成部分（参见说明书[0042]-[0043]段）。对比文件中的电感器仅是作为可能设置的无源组件之一被提及，并未被描述为构成一个特定共用器或滤波器的组成部分，也未明确其位于一个独立的“第一层级”中并与另一层级的可变元件耦合以形成可调谐功能。因此，本领域技术人员不能毫无疑义地得出对比文件公开了用于形成“可调谐共用器”的、位于特定第一层级中的电感器。**隐含公开判断：** 对比文件虽然提及了可以设置电感器，但该电感器在对比文件中的作用是作为一般的无源电路组件（可能与电容器一起用于去耦或其他功能），而目标专利中的电感器是用于构建可调谐共用器滤波器的关键元件，两者作用不同。对比文件没有给出任何关于将这些电感器与可变电容元件（变抗器）在三维堆叠中耦合以形成可调谐滤波器的启示或推理基础。因此，本领域技术人员无法通过合理推断从对比文件中得出该技术特征。 |
| **特征B：** 其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器<br>**判断结果：** 未直接公开，未隐含公开 | [0063] 段：“导电性元件168在一示例性实施例中可以是TGV元件。若基板是硅而非玻璃基板166，则导电性元件168可以是TSV元件。” <br>[0068] 段：“导电性元件198可以是TGV电感器” | **直接公开判断：** 对比文件公开了穿玻璃通孔(TGV)和穿硅通孔(TSV)作为导电性元件，用于实现层间电连接（例如，[0063]段）。在[0068]段中，明确提到了“TGV电感器”。这表明对比文件公开了利用穿基板通孔（TGV/TSV）结构来形成电感器。然而，目标专利中的“穿基板通孔电感器”特指用于构成可调谐共用器滤波器的电感器（参见说明书[0044]段），而对比文件中的“TGV电感器”是其众多实施例中可能采用的一种无源元件形式，但并未将其与构成可调谐共用器的特定滤波功能必然关联。尽管如此，从结构上看，对比文件确实公开了“穿基板通孔电感器”这一元件类型。但考虑到特征A（包含该电感器的第一层级）未被公开，且该电感器在目标专利中的特定应用场景（可调谐共用器）未被对比文件公开，因此从整体技术方案来看，不能认为对比文件直接公开了目标专利权利要求中作为可调谐共用器组成部分的“穿基板通孔电感器”。**隐含公开判断：** 由于对比文件已明确公开了“TGV电感器”，即穿基板通孔结构的电感器，本领域技术人员可以直接且毫无疑义地得出该结构。因此，对于“电感器包括穿基板通孔电感器”这一结构性特征，对比文件已经**直接公开**。但基于前述原因，该特征作为目标专利可调谐共用器的一部分未被整体公开。 |
| **特征C：** 包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级<br>**判断结果：** 未直接公开，未隐含公开 | [0069] 段：“Further, on the other surface of the core board 102, a dielectric layer 112 is provided to form capacitors 111.” (译文：此外，在核心板102的另一表面上提供介电层112以形成电容器111。)<br>[0095]-[0096] 段描述了电容器的材料和电极形成。 | **直接公开判断：** 对比文件公开了在核心板（可视为一个层级）的表面上形成电容器（capacitor）。然而，目标专利的“第二层级”中的“至少一个变抗器（varactor）”是一种可变电容器，其电容值可调，用于调谐共用器的频率响应（参见说明书[0033]、[0044]段）。对比文件中的电容器是固定电容值的电容器，用于例如去耦等常规功能（参见[0009]段），并未揭示其具有可调谐的特性（变抗器）。因此，对比文件没有公开“变抗器”。此外，目标专利要求变抗器“耦合到”第一层级的电感器以形成可调谐共用器，这是一种特定的电学连接关系以实现滤波功能。对比文件虽然展示了电容器和电感器可以存在于同一器件中，但并未描述它们之间为形成“可调谐共用器”而进行的特定耦合关系。**隐含公开判断：** 变抗器是可变电容器的一种类型。对比文件仅公开了固定电容器，未提及任何可变电容元件或调谐机制。本领域技术人员无法从对比文件中固定电容器的存在，合理推断出存在可变电容的变抗器，更无法推断出该变抗器被设置在一个独立的“第二层级”并与第一层级的电感器耦合。因此，该特征未被隐含公开。 |
| **特征D：** 所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器<br>**判断结果：** 未直接公开，未隐含公开 | 无直接对应内容。对比文件涉及多层布线板内置电容器/电感器，但未提及“共用器(diplexer)”、“可调谐(tunable)”或由电感器与变抗器结合形成滤波器的概念。 | **直接公开判断：** “可调谐共用器”是目标专利的核心，是一种用于无线通信中分离或组合不同频带信号的可调谐滤波器网络（参见说明书[0010]-[0012]、[0033]段）。对比文件全文专注于多层布线板的制造及其内置无源元件（如电容器、电感器）以改善电气性能（如降低开关噪声），完全没有涉及“共用器”这一特定类型的射频器件，更未提及使其“可调谐”。因此，该特征未被直接公开。**隐含公开判断：** 共用器是特定的射频电路结构，通常包含多个电感器和电容器构成的高通、低通或带通滤波器。对比文件虽然公开了可以制造包含电感器和电容器的电路板，但并未教导或暗示将这些元件排列组合成共用器电路，尤其未暗示通过使用可变元件（变抗器）使其可调谐。本领域技术人员无法从对比文件关于制造通用多层布线板和无源元件的内容中，合理推理出“可调谐共用器”这一具体且具有特定功能的装置。因此，该特征未被隐含公开。 |
| **特征E：** 其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器<br>**判断结果：** 未直接公开，未隐含公开 | 对比文件未提及“变抗器(varactor)”，也未提及“玻璃上覆硅(SOG)”变抗器。 | **直接公开判断：** 该特征限定了变抗器的具体类型（SOG变抗器）。由于对比文件根本未公开“变抗器”，因此自然不可能公开其具体类型为SOG变抗器。**隐含公开判断：** 对比文件未提供任何关于可变电容元件或其制造材料（如SOG）的信息。无法进行任何合理推断。因此，该特征未被隐含公开。 |
| **特征F：** 其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器<br>**判断结果：** 直接公开 | [0068] 段：“导电性元件198可以是TGV电感器” | **直接公开判断：** 对比文件在[0068]段中明确记载了“导电性元件198可以是TGV电感器”。TGV即“穿玻通孔”。这直接公开了“穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器”这一具体结构特征。虽然该TGV电感器在对比文件中的上下文和目标专利中可能不同，但该结构性特征本身已被明确、无疑义地公开。**因此，特征F被直接公开。** |
| **特征G：** 其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器<br>**判断结果：** 未直接公开，未隐含公开 | 对比文件未提及“共用器”、“可调谐”或“低通(LP)滤波器”。 | **直接公开判断：** 该特征限定了电感器和变抗器所形成的可调谐共用器内部的具体电路结构——低通(LP)滤波器。对比文件未涉及任何共用器或低通滤波器的结构描述。因此，未被直接公开。**隐含公开判断：** 低通滤波器是特定的电路拓扑。对比文件仅一般性地提及可以设置电感器和电容器，但未描述任何具体的滤波器电路拓扑或这些元件如何连接以形成低通滤波器。更未与“可调谐共用器”关联。无法进行合理推断。因此，该特征未被隐含公开。 |
| **特征H：** 其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器<br>**判断结果：** 未直接公开，未隐含公开 | 对比文件未提及共用器、LP滤波器，也未描述多个电感器与一个变抗器耦合形成特定滤波器的结构。 | **直接公开判断：** 该特征描述了可调谐共用器中LP滤波器更具体的实现方式，涉及多个层级间的多个元件及其耦合关系。对比文件完全没有对应的内容。因此，未被直接公开。**隐含公开判断：** 对比文件没有提供任何关于构建此类复杂、特定功能电路的基础。无法进行合理推断。因此，该特征未被隐含公开。 |
| **特征I：** 其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率<br>**判断结果：** 未直接公开，未隐含公开 | 对比文件未提及“变抗器”、“可调谐共用器”、“陷波频率”或其调节功能。 | **直接公开判断：** 该特征限定了变抗器的功能——调节陷波频率。由于对比文件未公开变抗器，也未公开具有陷波频率的可调谐共用器，因此该功能特征未被直接公开。**隐含公开判断：** 对比文件中的电容器被描述为用于降低开关噪声（例如[0009]段），并非用于调节滤波器的频率响应。没有信息支持可以推理出可变电容元件用于调谐陷波频率。因此，该特征未被隐含公开。 |
| **特征J：** 其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率<br>**判断结果：** 未直接公开，未隐含公开 | 对比文件未提及“可调谐共用器”、“截止频率”的控制，也未描述其电感器用于此目的。 | **直接公开判断：** 该特征限定了穿基板通孔电感器的功能——控制滤波器的截止频率。对比文件公开了TGV电感器的存在，但未描述其在任何滤波器（尤其是可调谐共用器）中用于控制截止频率的功能。因此，未被直接公开。**隐含公开判断：** 电感器在滤波器中的作用是公知常识，但对比文件本身并未将其电感器的应用场景与“控制可调谐共用器的截止频率”联系起来。无法从对比文件内容中合理推断出这一具体的功能配置。因此，该特征未被隐含公开。 |
| **特征K：** 其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中<br>**判断结果：** 未直接公开，未隐含公开 | 对比文件涉及“多层布线板(multilayer wiring board)”的制造，用于封装和互连（例如，[0003]段提到“mounting a semiconductor chip”）。其核心板材料可以是硅，但该硅板是作为布线板的支撑基板，而非集成了有源电路的“半导体管芯(semiconductor die)”。目标专利的3DIC是集成电路本身。 | **直接公开判断：** 目标专利的“三维集成电路”是指包含有源/无源元件并实现特定电路功能（如共用器）的IC。对比文件的“多层布线板”是一种用于承载和连接半导体芯片的封装基板或中介板（interposer），其本身并非一个集成了完整电路功能的“半导体管芯”。因此，该特征未被直接公开。**隐含公开判断：** 对比文件中使用硅作为核心板材料，并可能在其上形成一些无源元件和布线，这确实与三维集成技术有交集。但本领域技术人员通常将“集成电路管芯”理解为包含有源器件（如晶体管）的芯片，而对比文件主要关注无源集成和互连。虽然理论上可以在硅基板上制作有源器件，但对比文件并未描述或暗示将其制作为一个功能完整的“半导体管芯”。因此，无法合理推断出该特征。 |
| **特征L：** 其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备<br>**判断结果：** 未直接公开，未隐含公开 | 对比文件未提及将所述多层布线板或任何集成电路集成到所述列表中的任何特定设备中。其背景一般性地提及“电子设备”（[0003]段）。 | **直接公开判断：** 该特征限定了3DIC的具体应用设备。对比文件没有公开这些具体的设备类型。因此，未被直接公开。**隐含公开判断：** 对比文件提到其布线板可用于半导体封装和电子设备，这是一种非常宽泛的公开。列表中的设备（如手机、计算机）是电子设备的常见例子。虽然本领域技术人员知道电子设备可能包含此类组件，但对比文件本身并未明确指向或必然推理出该具体列表中的设备。根据严格的隐含公开判断标准（避免遗漏），可以认为对比文件隐含了其产品可用于广泛的电子设备，从而可能**隐含公开**了该特征。然而，考虑到该特征属于应用领域限定，且对比文件未提供与这些设备特定关联的教导，更严谨的判断是，对比文件仅一般性地公开了用于“电子设备”，并未具体公开到权利要求所列的详尽设备列表。因此，该特征未被隐含公开。 |
### 输出代码
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征F，未直接或隐含公开其他技术特征。
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