对比文件名称：KR20170040944A_Description_20260619_2332
目标专利名称：1568指纹识别模块和包括该指纹识别模块的电子装置CN111512447B
模型名称：DeepSeek AI
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其中（未公开） | 无直接对应内容。 | 该特征为权利要求中的过渡词，不构成具体技术方案，对比文件未记载相应上下文。 |
| 技术特征B：所述导电图案部包括：上导电图案部（直接公开） | 【0016】“本发明的实施例的柔性基板100包括基材110、基材110的两面上的第1金属层122和第2金属层124、以及以层叠结构配置在第1金属层122上的第1镀层130和第2金属层124上的第2镀层140。” | 对比文件明确公开了基材上表面的第1金属层和第1镀层，该等结构形成上导电图案部，在目标专利中上导电图案部同样用于布线和电气连接，作用相同。本领域技术人员可直接确定该特征已被公开。 |
| 技术特征C：所述上导电图案部设置在所述基板的上表面上（直接公开） | 【0016】同上，第1金属层122和第1镀层130位于基材110的上表面。 | 对比文件明确公开上导电图案部（第1金属层+第1镀层）整体设置在基材的上表面，与目标专利描述一致，直接公开。 |
| 技术特征D：下导电图案部（直接公开） | 【0016】同上，第2金属层124和第2镀层140。 | 对比文件公开了基材下表面的第2金属层和第2镀层，形成下导电图案部，直接公开。 |
| 技术特征E：所述下导电图案部设置在所述基板的下表面上（直接公开） | 【0016】同上，第2金属层124和第2镀层140位于基材110的下表面。 | 对比文件明确下导电图案部设置在基材下表面，直接公开。 |
| 技术特征F：通孔（未公开） | 无对应内容。 | 对比文件全文未记载任何穿过基板连接上下导电图案的通孔结构，本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含获得该特征。 |
| 技术特征G：所述通孔穿过所述基板并连接在所述上导电图案部与所述下导电图案部之间（未公开） | 无对应内容。 | 同特征F，对比文件未公开通孔及连接关系，未公开。 |
| 技术特征H：其中（未公开） | 无直接对应内容。 | 非实质性特征，对比文件未记载。 |
| 技术特征I：所述上导电图案部和所述下导电图案部中的每一者包括：设置在所述基板上的布线图案层（直接公开） | 【0031】“第1金属层122及第2金属层124是电路图案层（布线图案层）”；【0027】“第1金属层和第2金属层包括各种电路图案及布线图案”。 | 对比文件公开了上下金属层作为电路图案层（即布线图案层）直接设置在基材上，与目标专利中布线图案层的作用相同（提供电路连接），直接公开。 |
| 技术特征J：设置在所述布线图案层上并包含锡的第一镀层（直接公开） | 【0021】“第1镀层130包括第1子镀层132和第2子镀层134”；【0032】“第1子镀层132由Sn镀层构成”。 | 对比文件公开了在金属层（布线图案层）上设有第1子镀层（Sn镀层），对应于目标专利的第一镀层（包含锡），该镀层用于保护电路图案和改善接合，作用相同，直接公开。 |
| 技术特征K：设置在所述第一镀层上并包含锡的第二镀层（直接公开） | 【0021】“第2子镀层134配置在第1子镀层132上，同为Sn镀层”；【0034】“第2子镀层为Sn镀层”。 | 对比文件明确公开了在第1子镀层上设置第2子镀层（Sn镀层），对应于目标专利的第二镀层（包含锡），两层镀层共同防止晶须和改善焊接，直接公开。 |
| 技术特征L：还包括：第一连接部（未公开） | 无对应内容。 | 对比文件未记载用于安装第一芯片（指纹传感器）的第一连接部（如金凸块），该特征不公开。 |
| 技术特征M：所述第一连接部设置在通过所述保护层的所述第一开口区域暴露的所述导电图案部上（未公开） | 对比文件虽具有绝缘图案（保护层）和暴露区域（【0018】“绝缘图案仅部分覆盖，使镀层表面部分暴露”），但未公开第一连接部及其与开口区域的配置。 | 对比文件未提及第一连接部，也未涉及芯片安装，无法公开该特征。 |
| 技术特征N：第二连接部（未公开） | 无对应内容。 | 对比文件未记载用于第二芯片的连接部。 |
| 技术特征O：所述第二连接部设置在通过所述保护层的所述第二开口区域暴露的所述导电图案部上；并且中（未公开） | 对比文件有暴露区域概念，但无第二连接部。 | 缺少第二连接部这一关键要素，未公开。 |
| 技术特征P：所述第一连接部的横截面形状不同于所述第二连接部的横截面形状。（未公开） | 无对应内容。 | 由于未公开任何连接部，形状比较无从谈起，未公开。 |
| 技术特征Q：其中（未公开） | 无直接对应内容。 | 非实质性特征，对比文件未记载。 |
| 技术特征R：通过所述第一开口区域暴露的所述导电图案部具有7μm至10μm的范围内的厚度。（未公开） | 对比文件公开的镀层厚度远小于该范围，例如【0032】第1子镀层0.05μm，【0034】总厚度约0.45μm。 | 对比文件未给出7～10μm的厚度范围，且其实际厚度远小于此，未公开。 |
| 技术特征S：其中（未公开） | 无直接对应内容。 | 非实质性特征，对比文件未记载。 |
| 技术特征T：所述第一连接部的所述横截面形状包括矩形；并且中（未公开） | 无对应内容。 | 未公开任何连接部形状。 |
| 技术特征U：所述第二连接部的所述横截面形状包括弯曲表面。（未公开） | 无对应内容。 | 未公开。 |
| 技术特征V：还包括：第三连接部（未公开） | 无对应内容。 | 未公开。 |
| 技术特征W：所述第三连接部设置在通过所述保护层的所述第三开口区域暴露的所述导电图案部上（未公开） | 无对应内容。 | 未公开。 |
| 技术特征X：具有与所述第一连接部的所述横截面形状不同的横截面形状；并且中（未公开） | 无对应内容。 | 未公开任何连接部。 |
| 技术特征Y：所述第一连接部的所述横截面形状包括矩形；并且中（未公开） | 无对应内容。 | 未公开。 |
| 技术特征Z：所述第三连接部的所述横截面形状包括弯曲表面。（未公开） | 无对应内容。 | 未公开。 |
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