对比文件名称：2012-06-12_KR101155734B_发明授权_KR101155734B1 황화물 고체 전해질 재료（硫化物固体电解质材料）
目标专利名称：1622硫化物型固体电解质和应用其的全固态电池CN108352567B
本次调用模型名称：（无特别指定，由用户提供）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包含由通式1表示的锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)型化合物《未公开》 | 对比文件全文未涉及含锡（Sn）的化合物，其核心为LiSbS₂结构（如[0010]：“本发明的硫化物固体电解质材料具有LiSbS₂结构”）。 | 目标专利的通式1明确要求化合物包含锂（Li）、锡（Sn）、金属M（如Zr）和硫（S），且M不包括Sn。对比文件仅涉及锂-锑-硫体系（Li‑Sb‑S），不含Sn元素，也未教导使用Sn替代Sb。本领域技术人员无法从对比文件得出任何关于Li‑Sn‑M‑S化合物的技术启示，因此未公开。 |
| 技术特征B：[通式1] LiaSnbMcSd《未公开》 | 对比文件未记载任何类似通式1的表达式。其组成以 xLi₂S‑(100‑x)Sb₂S₃ 或配合P₂S₅等形式描述（如[0041]的表1、[0040]的组成关系）。 | 对比文件没有给出含有Sn的通式，其组成表达方式与通式1完全不同。本领域技术人员无法从对比文件推导出任何与LiaSnbMcSd对应的化合物，因此未公开。 |
| 技术特征C：其中M是锆(Zr)《未公开》 | 对比文件全文未提及锆（Zr）元素。其涉及的元素包括Li、Sb、S，以及任选的P、B、Si、Al、Ge等（如[0040]记载的B₂S₃、P₂S₅等）。 | 目标专利明确限定M为Zr，对比文件没有任何关于Zr的记载或暗示。本领域技术人员不能从对比文件得到M为Zr的教导或启示，因此未公开。 |
| 技术特征D：0<a≤20，0<b≤10，0<c≤5，2≤d≤12《未公开》 | 对比文件未公开通式1中Li、Sn、M、S的具体摩尔比例范围。其组成比例以 xLi₂S‑(100‑x)Sb₂S₃ 等形式给出（如[0039]中 Li₂S的摩尔分数小于75%），且不含Sn和Zr。 | 目标专利限定了元素比例范围，对比文件不仅未涉及Sn和Zr，而且给出的比例关系（如Li₂S摩尔分数50%~70%）与通式1的限定无直接关联，无法导向对应范围，因此未公开。 |
| 技术特征E：其特征在于包括如下步骤《直接公开》 | [0064]：“本发明的硫化物固体电解质材料的制造方法，其特征在于，包括：制备含有Li元素、Sb元素和S元素以可形成LiSbS₂结构的比例的原料组合物的制备工序，和通过机械研磨从所述原料组合物合成具有LiSbS₂结构的硫化物固体电解质材料的合成工序。” | 对比文件明确记载了制备方法包括多个工序（步骤），即“制备工序”和“合成工序”，直接公开了方法包含步骤这一上位特征。本领域技术人员可直接毫无疑义地得出对比文件方法包括步骤，与技术特征E表述一致，且该“包括步骤”在对比文件中起到限定方法流程的作用，与目标专利中“包括如下步骤”的作用相同，均用于引出后续具体步骤。因此直接公开。 |
| 技术特征F：i)将锂硫化物、锡硫化物和含M的硫化物混合以得到混合物，其中M是锆(Zr)《未公开》 | 对比文件在原料中使用锂硫化物（Li₂S）和锑硫化物（Sb₂S₃），以及任选的其他硫化物如P₂S₅（如[0080]实施例中使用Li₂S和Sb₂S₃）。未使用锡硫化物或含锆硫化物。 | 目标专利限定混合的原料包括锡硫化物和含Zr硫化物，对比文件完全没有锡硫化物和含Zr硫化物的教导或暗示，且其原料体系（Li‑Sb‑S）与目标专利（Li‑Sn‑Zr‑S）完全不同。本领域技术人员无法从对比文件推导出该混合步骤，因此未公开。 |
| 技术特征G：ii)对所述混合物进行热处理《未公开》 | 对比文件的主要合成方法为机械研磨（如[0064]明确“通过机械研磨合成”），未提及对混合物进行热处理。虽在[0035]提到也可用“熔融急冷法”，但该法使用的原料仍为Li、Sb、S，且未公开具体热处理条件（温度、时间等），且该法并非对比文件的核心步骤。 | 目标专利要求对包含锡硫化物和含Zr硫化物的混合物进行热处理。对比文件的方法以机械研磨为核心，即使提及熔融急冷法，其原料对象和产物均不同（形成LiSbS₂而非LTMS），且未公开任何适用于目标专利原料体系的热处理条件。本领域技术人员不能从对比文件获得对目标专利特定混合物进行热处理的技术启示，因此未公开。 |
| 技术特征H：其特征在于所述热处理《未公开》 | 对比文件中没有将“热处理”作为特征加以限定或强调。 | 由于对比文件没有公开热处理步骤（参见特征G的论述），因此该特征明确未公开。 |
| 技术特征I：在400℃至850℃下《未公开》 | 对比文件未公开任何热处理温度。其机械研磨在室温附近进行（如[0080]“在Ar气氛下，370rpm处理40小时”），熔融急冷法也未给出具体温度范围。 | 目标专利限定了热处理的温度范围为400℃至850℃，对比文件完全没有提及这一温度范围或任何相近数值，本领域技术人员无法从中获得该温度范围的技术方案，因此未公开。 |
| 技术特征J：进行一次或多次《未公开》 | 对比文件未公开热处理次数。其机械研磨为单次长时间处理（如实施例中40小时），未提到多次热处理。 | 由于对比文件未公开热处理本身，更未公开进行“一次或多次”热处理，因此该特征未公开。 |
根据以上比对，仅技术特征E被对比文件直接公开，其余技术特征均未被对比文件直接或隐含公开。
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