对比文件的名称：2014-04-15_US8697292B_发明授权_US08697292B2 Sulfide solid electrolyte material, battery, and method for producing sulfide solid electrolyte material
目标专利的名称：硫化物型固体电解质和应用其的全固态电池 CN108352567B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| A：其特征在于包含由以下通式1表示的锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)型化合物<br>**《未公开》** | [0055] “第一实施方式的硫化物固体电解质材料包含M1元素、M2元素和S元素”。<br>[0064] “M2是选自由P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V和Nb构成的组中的至少一种”。 | 对比文件公开的是Li-M1-M2-S型硫化物固体电解质，其核心体系为LiGePS体系（Thio-LISICON）。而目标专利保护的是特定排除磷元素（P）的锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)型化合物，其中锡（Sn）是主要骨架元素。对比文件未公开该特定类型的化合物。 |
| B：[通式1] LiaSnbMcSd<br>**《未公开》** | [0066] “优选为Li(4-X)Ge(1-X)PXS4（x满足0<x<1）的组成”。 | 对比文件公开的化合物通式为Li(4-X)Ge(1-X)PXS4，其化学组成和结构骨架与目标专利的LiaSnbMcSd完全不同，且对比文件未给出该特定化学计量范围的通式。 |
| C：其中M是锆(Zr)<br>**《直接公开》** | [0064] “M2是选自由P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V和Nb构成的组中的至少一种”。<br>[0177] 实施例10：“使用了硫化锆(ZrS2)……组成为Li3.5Ge0.25Zr0.25P0.5S4”。 | 对比文件明确将锆（Zr）列为构成硫化物固体电解质的金属元素（M2）之一，并在实施例中实际使用了ZrS2合成了相关固体电解质。因此，对比文件直接公开了“M是锆(Zr)”这一技术特征。 |
| D：0<a<10, 0<b<5, 0≤c<5, 2<d<20<br>**《未公开》** | [0066] “优选为Li(4-X)Ge(1-X)PXS4（x满足0<x<1）的组成”。 | 对比文件仅公开了特定体系下的固定化学计量比，未公开目标专利中针对锂、锡、金属和硫元素的独立、广泛的数值范围限定。 |
| E：其特征在于包括如下步骤<br>**《直接公开》** | [0022] “一种硫化物固体电解质材料的制造方法，包括以下步骤：……”。<br>[0098] “第一实施方式的硫化物固体电解质材料的制造方法包括：……”。 | 对比文件直接公开了制备硫化物固体电解质的方法，该方法包括多个步骤。这与目标专利的方法前序部分完全一致。 |
| F：i)将锂硫化物、锡硫化物和含M的硫化物混合以得到混合物 其中M是锆(Zr)<br>**《未公开》** | [0105] “原料组合物例如包含Li2S、P2S5和GeS2”。<br>[0177] 实施例10：“使用了硫化锂(Li2S)、五硫化二磷(P2S5)、硫化锆(ZrS2)和硫化锗(GeS2)”。 | 对比文件公开的原料组合均为Li2S、P2S5、GeS2等，其核心体系必须包含磷（P）和锗（Ge）。虽然对比文件提到了锡（Sn）和锆（Zr）可作为M2元素，但其并未公开使用“锡硫化物”和“含锆硫化物”作为主要原料进行混合的具体技术方案，且未教导排除磷和锗。 |
| G：ii)对所述混合物进行热处理<br>**《直接公开》** | [0098] “对所述离子传导材料进行加热的加热步骤”。<br>[0114] “第一实施方式的加热步骤是对上述结晶度降低的离子传导材料进行加热的步骤”。 | 对比文件明确公开了在制备过程中对混合物或中间产物进行加热处理（热处理）的步骤。 |
| H：其特征在于所述热处理<br>**《直接公开》** | [0114] “第一实施方式的加热步骤是……对上述离子传导材料进行加热的步骤”。 | 对比文件明确将该步骤定义为“heating step”（加热步骤/热处理步骤），直接公开了该技术特征。 |
| I：在400℃至850℃下<br>**《直接公开》** | [0116] “加热温度优选为300℃以上，更优选为350℃以上，进一步优选为400℃以上……加热温度优选为1000℃以下，更优选为700℃以下”。<br>实施例1-4和5-7均使用了550℃或700℃的热处理温度。 | 对比文件明确公开了优选的热处理温度范围为400℃以上且1000℃以下，并具体公开了550℃、700℃等落在目标专利限定范围（400℃至850℃）内的具体实施例。因此，该温度范围被对比文件直接公开。 |
| J：进行一次或多次<br>**《直接公开》** | [0098] “结晶性降低步骤……和加热步骤”。<br>实施例1：第一次加热（700℃/8h）合成晶态离子导体，第二次加热（550℃/8h）获得最终产物。 | 对比文件的方法明确包括对原料进行第一次加热合成，以及后续在机械研磨后进行第二次加热结晶的步骤。这直接公开了“热处理进行一次或多次”的技术特征。 |
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