对比文件名称：2011-09-29_WO2011118801A_发明申请_WO2011118801A1 硫化物固体電解質材料、電池および硫化物固体電解質材料の製造方法
目标专利名称：1622硫化物型固体电解质和应用其的全固态电池CN108352567B
本次调用的模型名称：GPT-4
下面是根据目标专利权利要求的特征划分进行的特征比对表格及公开性判断。对于每个技术特征，先判断是否直接公开，若否则判断是否隐含公开，并在表格第一栏注明结果。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包含由以下通式1表示的锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)型化合物；《未公开》 | 对比文件全文涉及Li‑Ge‑P‑S系硫化物固体电解质，其组成中不含锡（Sn），且必需包含磷（P）。如[0008]中M2元素列表虽含Sn，但所有实施例均使用P和Ge，未制备含Sn的硫化物；且对比文件的晶体结构基于Li₍₄₋ₓ₎Ge₍₁₋ₓ₎PₓS₄，必须含P。 | 目标专利的LTMS型化合物一定含有锂(Li)和硫(S)但不含磷元素(P)，且含有锡(Sn)。对比文件公开的硫化物固体电解质均含P且不含Sn，体系中Sn仅作为M2的候选之一，但从未教导或实现不含P的Li‑Sn‑M‑S型化合物。本领域技术人员不能毫无疑义地从对比文件得到LTMS型化合物。对比文件未部分公开该技术特征（缺少Sn且必须含P），无法合理推断出不含P的Li‑Sn‑M‑S体系。因此技术特征A未被公开。 |
| 技术特征B：[通式1] LiaSnbMcSd；《未公开》 | 对比文件公开的通式为Li₍₄₋ₓ₎Ge₍₁₋ₓ₎PₓS₄（例如[0013]），其中不含锡(Sn)元素，且无LiaSnbMcSd任何记载。 | 目标专利的通式1明确包含Sn，对比文件中没有类似含Sn的通式。本领域技术人员无法从对比文件得出LiaSnbMcSd。对比文件未部分公开任何含Sn的原子比例，因此技术特征B未被公开。 |
| 技术特征C：其中M是锆(Zr)；《直接公开》 | [0008]：“Ｍ２は、Ｐ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂからなる群から選択される少なくとも一種”。<br>实施例10：使用ZrS₂，得到Li₃.₅Ge₀.₂₅Zr₀.₂₅P₀.₅S₄。 | 对比文件明确列出Zr作为M2元素之一，并在实施例10中具体将Zr引入硫化物固体电解质。尽管对比文件的化合物还包含Ge和P，但技术特征C仅要求M是锆(Zr)这一要素，对比文件毫无疑义地公开了Zr可用于硫化物固体电解质。因此对比文件直接公开了技术特征C。 |
| 技术特征D：0<a≤14, 0<b≤8, 0<c≤4, 0<d≤30, 且(a+4b+4c)/2=d；《未公开》 | 对比文件通式为Li₍₄₋ₓ₎Ge₍₁₋ₓ₎PₓS₄（x满足0<x<1），其原子比例与目标专利完全不同，无a、b、c、d的定义，且不含Sn。 | 目标专利的特征D给出了LiaSnbMcSd中各元素的取值范围及其特定关系式。对比文件中没有关于Sn元素的任何比例，也没有类似的数学关系。本领域技术人员无法从对比文件推导出该范围。因此特征D未被公开。 |
| 技术特征E：其特征在于包括如下步骤；《直接公开》 | [0022]（第一实施方式）：“イオン伝導性材料合成工程と、メカニカルミリングにより、上記イオン伝導性材料の結晶性を低下させる結晶性低下工程と、上記結晶性が低下したイオン伝導性材料を加熱することにより…硫化物固体電解質材料を得る加熱工程と、を有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法。”<br>[0026]（第二实施方式）：“イオン伝導性材料合成工程と、加熱工程と、を有する”。 | 对比文件明确公开了硫化物固体电解质材料的制造方法，该方法包括多个步骤（如原料混合、加热等），因此“包括如下步骤”被直接公开。本领域技术人员可以毫无疑义地得出该技术特征。 |
| 技术特征F：i)将锂硫化物锡硫化物和含M的硫化物混合以得到混合物 其中M是锆(Zr)；《未公开》 | 对比文件中始终使用锂硫化物（Li₂S）、含M的硫化物（如ZrS₂、GeS₂等），但从未使用锡硫化物（SnS或SnS₂）。例如实施例10的原料为Li₂S、P₂S₅、ZrS₂、GeS₂，不含任何锡硫化物。 | 目标专利的步骤i)明确要求使用“锡硫化物”。对比文件的所有实施例均未使用锡硫化物，且没有教导或启示将锡硫化物与锂硫化物、含M（Zr）的硫化物混合。本领域技术人员无法合理推断出该步骤。因此技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：和ii)对所述混合物进行热处理；《直接公开》 | [0022]和[0026]中均包括“加熱工程”，即对材料进行加热处理。例如[0022]：“上記結晶性が低下したイオン伝導性材料を加熱することにより…硫化物固体電解質材料を得る加熱工程”。 | 对比文件明确公开了对原料或中间产物进行加热（热处理）的步骤，因此技术特征G被直接公开。 |
| 技术特征H：其特征在于所述热处理；《直接公开》 | 同上，对比文件多次提到“加熱工程”（热处理步骤），如[0022]中“加熱工程”、实施例中“石英管を焼成炉に設置し、室温から５５０℃まで昇温し…”。 | 对比文件公开了热处理步骤本身，因此“所述热处理”这一特征被直接公开。 |
| 技术特征I：在400℃至850℃下；《直接公开》 | 对比文件在“加熱工程”部分明确记载：“上記加熱温度は、３００℃以上であることが好ましく…４００℃以上であることがさらに好ましい。一方、上記加熱温度は、１０００℃以下であることが好ましく”。（翻译：加热温度优选300℃以上…更优选400℃以上…另一方面，加热温度优选1000℃以下。） | 对比文件公开了加热温度优选400℃以上且1000℃以下，该温度范围完全覆盖了目标专利的400℃至850℃。因此本领域技术人员可以毫无疑义地得出可以使用400-850℃进行热处理。故技术特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：进行一次或多次；《直接公开》 | 第一实施方式（[0022]-[0024]）包括：先通过固相法合成结晶质离子传导性材料，再经机械研磨降低结晶性，最后再次加热；此过程中加热进行了两次。<br>第二实施方式（[0026]-[0028]）包括：机械研磨使原料非晶质化，然后一次加热得到产物；此过程加热一次。 | 对比文件明确给出了进行一次性加热（第二实施方式）和多次加热（第一实施方式）的方案，因此“进行一次或多次”加热被直接公开。 |
### 结论
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征 **C、E、G、H、I、J**，未公开技术特征 **A、B、D、F**（且不满足隐含公开条件）。因此，在回答的结尾插入对应的大写英文代码。
<<<C>>><<<E>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>>