对比文件名称：2013-08-15_WO2013118722A_发明申请_WO2013118722A1 硫化物固体電解質材料、電池および硫化物固体電解質材料の製造方法
目标专利名称：1622硫化物型固体电解质和应用其的全固态电池CN108352567B
本次调用的模型名称：AI语言模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译，附段落标号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其特征在于包含由以下通式1表示的锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)型化合物 **无公开** | 对比文件[0009]段：“Ｍ１元素、Ｍ２元素およびＳ元素を含有し、…上記Ｍ２は、少なくともＰおよびＳｎを含むことを特徴とする硫化物固体電解質材料”。（翻译：含有M1元素、M2元素和S元素，…上述M2至少包含P和Sn）。 | 对比文件公开的硫化物固体电解质材料必须包含P，而目标专利的LTMS型化合物明确不含P，且其通式1中的M为除Sn外的金属，不包括P。因此，对比文件未公开该技术特征。本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含得出不含P的LTMS型化合物。 |
| 技术特征B：[通式1] LiaSnbMcSd **直接公开** | 对比文件实施例1（実施例１）：“Ｌｉ ３．２７５ Ｓｎ ０．２７５ Ｐ ０．７２５ Ｓ ４の組成を有する結晶質の硫化物固体電解質材料”。（翻译：具有Li3.275Sn0.275P0.725S4组成的结晶质硫化物固体电解质材料）。该组成完全符合通式LiaSnbMcSd，其中M对应P，a=3.275，b=0.275，c=0.725，d=4。 | 对比文件明确公开了落入通式1的具体化合物，该化合物为LiaSnbMcSd形式，因此本领域技术人员可以直接确定该通式已被公开。尽管该化合物中的M是P而非目标专利优选的其他金属，但通式1本身并未限定M的种类，故对比文件直接公开了通式1的技术特征。 |
| 技术特征C：其中M是锆(Zr) **无公开** | 对比文件[0009]段：“上記Ｍ２は、Ｐ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂからなる群から選択される少なくとも一種であり”。（翻译：上述M2是选自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb组成的群中的至少一种）。同时，该段明确要求“上記Ｍ２は、少なくともＰおよびＳｎを含む”。（上述M2至少包含P和Sn）。 | 对比文件虽然将Zr列为M2的可选元素，但同时要求M2必须包含P和Sn，即任何包含Zr的组成必须同时含有P和Sn。目标专利的技术特征C要求M是Zr，并未要求同时含有P，且其整体方案中不含P。因此，对比文件未公开或暗示M仅为Zr而不含P的技术方案，本领域技术人员无法从对比文件合理推断出该特征，故无公开。 |
| 技术特征D：0<a≤10, 0<b≤10, 0<c≤10, 0<d≤10 **直接公开** | 对比文件实施例1的Li3.275Sn0.275P0.725S4，其中a=3.275（满足0<a≤10），b=0.275（满足0<b≤10），c=0.725（满足0<c≤10），d=4（满足0<d≤10）。具体组成见实施例1。 | 对比文件公开的具体化合物中，各元素的原子比例完全落入目标专利权利要求限定的数值范围内，因此直接公开了该数值范围特征。 |
| 技术特征E：其特征在于包括如下步骤 **直接公开** | 对比文件“Ｃ．硫化物固体電解質材料の製造方法 １．第一実施態様”部分（对应的段落[2]）：“上記Ｍ１元素、上記Ｍ２元素および上記Ｓ元素を含有する原料組成物を用いて、メカニカルミリングにより、非晶質化したイオン伝導性材料を合成するイオン伝導性材料合成工程と、上記非晶質化したイオン伝導性材料を加熱することにより、上記硫化物固体電解質材料を得る加熱工程と、を有することを特徴とする”。（翻译：具有使用含有上述M1元素、上述M2元素和上述S元素的原料组成物，通过机械研磨合成非晶化的离子传导性材料的离子传导性材料合成工序，和通过加热上述非晶化的离子传导性材料得到上述硫化物固体电解质材料的加热工序）。 | 对比文件公开的制造方法包含多个步骤，即包括“混合原料”和“加热”等步骤，因此技术特征E“包括如下步骤”被直接公开。 |
| 技术特征F：i)将锂硫化物锡硫化物和含M的硫化物混合以得到混合物 其中M是锆(Zr) **无公开** | 对比文件实施例1中，原料为Li2S、P2S5、SnS2，未使用含Zr的硫化物；对比文件虽然提到M2包括Zr，但所有原料组成必须包含含P硫化物（如P2S5），且未给出仅使用含Zr硫化物的混合实例。例如，对比文件[2]段（原料組成物）：“Ｍ２元素を含有する化合物は、…ＭｅＳ２（Ｍｅは四価の元素であり、例えばＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂである）”。（翻译：含有M2元素的化合物是…MeS2（Me是四价元素，例如Ge、Si、Sn、Zr、Ti、Nb））。但该段并未要求必须使用Zr，且所有实施例均使用含P原料。 | 对比文件未公开混合步骤中仅使用含Zr硫化物而不使用含P硫化物的方案。其所有实施例均包含P，且M2必须至少包含P和Sn，因此本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出“M是锆(Zr)”且不含P的混合步骤，故无公开。 |
| 技术特征G：和ii)对所述混合物进行热处理 **直接公开** | 对比文件“Ｃ．硫化物固体電解質材料の製造方法”部分（对应的段落[2]）：“上記非晶質化したイオン伝導性材料を加熱することにより、上記硫化物固体電解質材料を得る加熱工程”。（翻译：通过加热上述非晶化的离子传导性材料得到上述硫化物固体电解质材料的加热工序）。此外，实施例1中明确将非晶质材料在550℃加热8小时。 | 对比文件明确公开了在混合后对混合物进行热处理的步骤，因此技术特征G被直接公开。 |
| 技术特征H：其特征在于所述热处理 **直接公开** | 同上，对比文件公开了加热工序（热处理），实施例1中进行了550℃加热。 | 对比文件公开了热处理步骤，因此“所述热处理”特征被直接公开。该特征为方法步骤的进一步限定，其基础内容已被对比文件公开。 |
| 技术特征I：在400℃至850℃下 **直接公开** | 对比文件[2]段（加熱工程）：“上記加熱温度が３００℃以上であることが好ましく、３５０℃以上であることがより好ましく、４００℃以上であることがさらに好ましく、４５０℃以上であることが特に好ましい。一方、上記加熱温度は、１０００℃以下であることが好ましく、７００℃以下であることがより好ましく、６５０℃以下であることがさらに好ましく、６００℃以下であることが特に好ましい。” 实施例1中加热温度为550℃，在400-850℃范围内。 | 对比文件公开的加热温度范围（400℃以上、1000℃以下等）明确包含400-850℃，且实施例具体温度550℃落在此范围内，因此直接公开了在400℃至850℃下进行热处理的温度特征。 |
| 技术特征J：进行一次或多次 **直接公开** | 对比文件实施例1中，热处理进行一次（550℃保持8小时）；说明书中未限制次数，但未排除多次。 | 对比文件公开了进行一次热处理，而“一次或多次”包括一次，因此直接公开了该特征。本领域技术人员根据对比文件的内容可以确定热处理可进行一次，故该特征被直接公开。 |
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