对比文件：2013-02-06_EP2555307A_发明公开_EP2555307A1 SULFIDE SOLID ELECTROLYTE MATERIAL, BATTERY, AND METHOD FOR PRODUCING SULFIDE SOLID ELECTROLYTE MATERIAL
目标专利：1622硫化物型固体电解质和应用其的全固态电池 CN108352567B
本次调用的模型名称：DeepSeek-Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 其特征在于包含由以下通式1表示的锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)型化合物<br>**《未公开》** | 无（对比文件未记载“锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)”这一特定命名，也未公开任何不含磷且同时含有锡和锆的硫化物电解质体系） | 目标专利的LTMS型化合物是Li‑Sn‑M‑S体系，且不含有磷(P)元素（参见目标专利说明书[0031]段：“不含磷元素(P)”）。对比文件公开的硫化物固体电解质均基于Li‑Ge‑P‑S体系或其元素替代体系，全部含有磷(P)或锗(Ge)（例如段落[0004]的Li(4-X)Ge(1-X)PXS4，实施例1‑7的Li‑Ge‑P‑S，实施例8‑13的Li‑Ge‑P‑M‑S）。对比文件未提供任何不含磷且锡作为主要金属元素的硫化物电解质化合物，也未公开“锂‑锡‑金属‑硫化物”这一上位概念。因此，本领域技术人员不能毫无疑义地从对比文件得出所述LTMS型化合物，也没有合理推理基础。 |
| **技术特征B：** [通式1] LiaSnbMcSd<br>**《未公开》** | 无（对比文件未记载通式1，其表示的是Li(4-X)Ge(1-X)PXS4或其他具体组成，如Li3.5Ge0.25Zr0.25P0.5S4） | 目标专利的通式1明确为LiaSnbMcSd（其中Sn为必需元素，M为Zr等）。对比文件中固体电解质的组成通式为Li(4-X)Ge(1-X)PXS4（段落[0013]）、或通过M1、M2元素定义的硫化物（段落[0008]），均不包含Sn作为独立元素组分。对比文件未记载类似于LiaSnbMcSd的化学通式，也未公开以锡为基本元素的化合物表示。故未直接或隐含公开该通式。 |
| **技术特征C：** 其中M是锆(Zr)<br>**《直接公开》** | 段落[0034]：“上述M2选自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V和Nb组成的群组中的至少一种。”<br>段落[0043]：“M2……更优选为P和Ge中的至少一种。”但列表明确包含Zr。<br>实施例10（段落[0134]）：“使用硫化锆(ZrS2)……获得Li3.5Ge0.25Zr0.25P0.5S4。” | 对比文件明确记载M2元素包括锆(Zr)，并在实施例10中实际使用了含锆硫化物制备固体电解质。该Zr元素在硫化物电解质中起到构成骨架、调节晶格和离子电导率的作用（参见对比文件段落[0044]关于不同元素替代的讨论），这与目标专利中M锆的作用（作为替代磷的元素、改善稳定性与电导率，参见目标专利说明书[0037]‑[0052]段）实质相同。虽然目标专利的M特指在LTMS通式中，但“M是锆”这一元素限定本身被对比文件直接公开。本领域技术人员可直接确定对比文件中硫化物电解质可包含锆元素。 |
| **技术特征D：** 0<a≤20, 0<b≤10, 0<c≤10, 0<d≤20, 且a+4b+4c=2d<br>**《未公开》** | 无（对比文件未记载LTMS体系的a、b、c、d数值范围及电价平衡关系） | 目标专利通过该数值关系和电价平衡表达式定义LTMS化合物的具体组成范围（说明书[0035]段）。对比文件涉及的是Li‑Ge‑P‑S及其他体系，其组成由Li(4-X)Ge(1-X)PXS4中的x定义，或通过具体化学式表示，不存在a、b、c、d的类似定义，也未教导在含锡含锆体系下的这些参数范围。本领域技术人员不能从对比文件直接或合理推理出该特定数值范围及关系。 |
| **技术特征E：** 其特征在于包括如下步骤<br>**《直接公开》** | 段落[0069]：“本发明的第一实施方式的硫化物固体电解质材料的制造方法包括：通过使用含有M1元素、M2元素和S元素的原料组合物合成结晶性离子导电材料的离子导电材料合成步骤；……”<br>段落[0084]：“本发明的第二实施方式的硫化物固体电解质材料的制造方法包括：……”<br>对比文件全文均涉及制备方法。 | 对比文件明确公开了制造硫化物固体电解质材料的方法步骤（离子导电材料合成步骤、结晶度降低步骤、加热步骤等），这些步骤构成完整的制备流程。目标专利的特征E“包括如下步骤”是方法权利要求的引导部分，对比文件直接公开了这一形式及实质内容，本领域技术人员可直接识别出步骤式方法。 |
| **技术特征F：** i)将锂硫化物锡硫化物和含M的硫化物混合以得到混合物 其中M是锆(Zr)<br>**《未公开》** | 无（对比文件未记载使用锡硫化物与含锆硫化物混合）<br>对比文件原料中常用Li2S、P2S5、GeS2，实施例10中使用Li2S、P2S5、ZrS2、GeS2，无SnS2。 | 目标专利该步骤要求同时使用“锂硫化物”、“锡硫化物”和“含M的硫化物（M=Zr）”。对比文件所有实施例均未使用锡硫化物（SnS、SnS2）；虽然M2包括Sn且M2包括Zr，但对比文件从未将Sn与Zr同时作为原料用于合成同一固体电解质，也未提供同时含有Sn和Zr的硫化物任何实例或数据。即使考虑隐含公开，本领域技术人员从对比文件得不到任何动机或教导将锡硫化物与含锆硫化物混合并排除磷、锗等元素，因为对比文件的核心在于Li‑Ge‑P‑S体系及其衍生物，无锡‑锆体系启示。故特征F未公开。 |
| **技术特征G：** ii)对所述混合物进行热处理<br>**《直接公开》** | 段落[0069]：“加热步骤：加热上述结晶度降低的离子导电材料……”<br>段落[0084]：“加热步骤：加热上述非晶离子导电材料……”<br>实施例1（段落[0100]-[0101]）：“将石英管放入烘焙炉，从室温加热到700℃保持8小时……再加热到550℃保持8小时。” | 对比文件的方法中均包含对离子导电材料（由原料混合物经合成或研磨获得）进行热处理的步骤，该热处理旨在提高结晶度、形成所需晶体相。目标专利的步骤ii同样是对混合物进行热处理以形成固体电解质。二者步骤属性一致，均为制备过程中的关键热处理。本领域技术人员可直接认定对比文件公开了“对混合物进行热处理”这一步骤。 |
| **技术特征H：** 其特征在于所述热处理<br>**《直接公开》** | 同特征G引用，对比文件各方法均明确包含加热（热处理）步骤，并以此为核心特征之一。 | 特征H为对特征G中“热处理”的进一步限定（实质为重复或强调），对比文件明确其制备方法包含“加热步骤”（heating step），故被直接公开。 |
| **技术特征I：** 在400℃至850℃下<br>**《直接公开》** | 段落[0083]：“加热温度优选300℃以上，更优选350℃以上，进一步优选400℃以上……加热温度优选1000℃以下，更优选700℃以下，进一步优选650℃以下，特别优选600℃以下。”<br>实施例1（段落[0101]）：热处理温度550℃（在400‑850℃范围内）。<br>实施例5‑7（段落[0117]-[0125]）：加热温度550℃。 | 对比文件明确教导加热温度优选400℃以上、700℃以下（落于400‑850℃范围），且具体实施例均采用550℃或600℃等温度。400‑850℃是优选范围的上位或合理外推，本领域技术人员可直接认识到可采用该温度区间进行热处理。故特征I被直接公开。 |
| **技术特征J：** 进行一次或多次<br>**《直接公开》** | 实施例1（段落[0100]-[0101]）：先进行700℃/8h加热（合成离子导电材料），然后进行550℃/8h加热（获得最终硫化物固体电解质材料）。<br>段落[0068]-[0069]：第一实施方式包括合成结晶离子导体、机械研磨、再加热；第二实施方式包括机械研磨合成非晶离子导体、再加热。两次加热（合成+最终）构成多次热处理。 | 对比文件实施例1明确进行了两次热处理（一次700℃合成，一次550℃加热），且第一实施方式中“合成结晶离子导电材料”通常需要加热（如固相法300‑1000℃），随后结晶度降低后再加热，实质为多次热处理。第二实施方式虽只有一次加热，但第一实施方式直接公开了多次。本领域技术人员可由此知悉热处理可进行一次或多次。 |
### 公开性代码
根据对比文件直接或隐含公开的情况，在结尾插入对应代码：直接公开的特征C、E、G、H、I、J；其余特征A、B、D、F未公开，不插入代码。
<<<C>>><<<E>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>>