对比文件名称：2009-04-30_KR1020090042788A_发明公开_KR1020090042788A 전지, 전극 및 이들에 이용하는 집전체
目标专利名称：1652制造二次电池用电极的方法CN107425178B
本次调用的模型名称：GPT-4（模拟）
以下为特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料《直接公开》 | [1] “本发明涉及一种具有集电器和集电器上承载的活性物质的电极。” 以及 [35] “本发明涉及上述电极用集电器和具有该集电器上承载的活性物质层的电极。” | 对比文件明确公开了电极结构包括集电器以及涂布/承载在集电器上的活性物质（活物质），与目标专利的技术特征A实质相同，因此直接公开。 |
| **技术特征B**：所述方法包括：对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态《直接公开》 | [43]-[44] “（ⅰ）准备具有平坦面的基部和从平坦面突出的第一突起的片状基材的工序…或者，包括使片状材料通过一对表面规则排列凹部的辊之间的工序。” [110] “基部和第一突起可以通过用表面有规则凹部图案的辊压制金属片同时形成。” | 对比文件公开的表面处理包括通过辊压等工艺在集电器表面形成第一突起、第二突起等微观形态，从而改变集电器整个表面的形貌。目标专利的方法同样通过对集电器进行表面处理获得特定形态，故直接公开。 |
| **技术特征C**：从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力《直接公开》 | [58] “通过使用本发明的集电器，活性物质与集电器的接合面积增大，因此活性物质与集电器的接合变牢固，抑制Li吸藏时因活性物质膨胀应力导致的活性物质从集电器上剥离。” | 对比文件明确指出了表面处理（形成突起）能够增大接合面积，增强结合力，防止活性物质剥离，作用与目标专利的增强粘附力完全相同，因此直接公开。 |
| **技术特征D**：其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理《直接公开》 | [44] “或者，使片状材料通过一对表面规则排列凹部（即图案）的辊之间的工序。” [110] “可以用表面有规则凹部图案的辊压制金属片来形成第一突起。” | 对比文件公开了采用具有凹部图案（相当于浮雕反向下压形成凸起的图案）的辊对集电器进行辊压，从而形成第一突起。目标专利的“浮雕图案”包括凸起或凹陷图案，辊压实现表面处理，两者手段相同，直接公开。 |
| **技术特征E**：其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状；并且形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm～10μm《直接公开》 | 形状：[113] “第一突起的横截面形状没有特别限制，可以是四边形、多边形、圆形、椭圆形等。” 间隔：[127] “第二突起的平均突起间隔s优选为0.5～6μm。” | 对比文件在第一突起的横截面（与集电器表面平行）形状上给出了多边形、圆形、椭圆形等，而目标专利的“垂直横截面”指与集电器表面垂直的截面，形状同样可以对应为多边形等（如三角形、梯形等），且对比文件不限制形状，因此直接公开。对于“不规则处之间的间隔”，对比文件明确给出了第二突起的平均间隔（0.5～6μm），该范围落入目标专利的0.001μm～10μm，故直接公开。 |
| **技术特征F**：所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm～10μm《直接公开》 | [347]“第二突起的平均高度h：4.4μm”；[396]“h：1.1μm”；[501]“h：2.7μm”等，均在0.001～10μm范围内。 | 对比文件的多个实施例中第二突起的高度（即谷的深度）均落在0.001～10μm内，且明确公开了第二突起高度的优选范围（如[128]中H/h比值等），本领域技术人员可直接毫无疑义地确定该深度特征，因此直接公开。 |
| **技术特征G**：其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm《未公开》 | [125]“包含第二突起的第一突起顶部的表面粗糙度Ra优选为0.3～5μm。” | 对比文件公开的Ra范围为0.3～5μm，该范围与目标专利的“大于1μm且不大于10μm”部分重叠（1～5μm），但未覆盖>5μm至10μm的部分。对比文件明确限制了Ra≤5μm，且没有教导或暗示Ra可以增大到10μm。本领域技术人员基于对比文件不能合理推断出Ra可大于5μm而不超出其技术教导，因此该特征既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征H**：其中所述电极为正极和负极中的至少一种《直接公开》 | [280]“本发明的电极适合作为锂二次电池的负极。”[281]“正极活性材料可以使用…锂钴氧化物等。”[35]“本发明涉及…电极和包含该电极的电池。” | 对比文件明确将电极应用于正极和/或负极，例如负极（[280]）和正极（[281]并提及正极活性材料），因此直接公开了电极可以是正极和/或负极。 |
| **技术特征I**：其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料：LiaTibO4 《未公开》 | 对比文件全文未提及锂钛氧化物（如Li4Ti5O12或Li1.33Ti1.67O4等）作为负极活性材料，活性材料以Si、Sn、SiO等为主（[40]、[205]-[206]）。 | 对比文件中未公开任何具有式LiaTibO4组成的负极活性材料，也未提供相关技术启示，因此既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征J**：其中0.5≤a≤3，1≤b≤2.5 《未公开》 | 同特征I，对比文件无相关活性物质公开。 | 该特征依赖特征I的化合物存在，在对比文件未公开该化合物的前提下，该数值范围更无法成立，故未公开。 |
| **技术特征K**：其中所述集电器的厚度为3μm～500μm《隐含公开》 | [137]“集电器的厚度没有特别限制，例如通常为1～50μm。其中，从保持电极强度和确保电极体积能量密度的角度，厚度优选10～50μm，尤其优选15～40μm。” | 对比文件明确列举了1～50μm的常见厚度，并指出“没有特别限制”。本领域技术人员据此可以合理推断出集电器厚度可根据需要超出50μm范围（例如选用更厚的箔材以满足特定电池设计），且目标专利的3～500μm下限3μm已被对比文件公开的1～50μm覆盖。因此，虽然对比文件未直接记载大于50μm的厚度，但基于其“没有特别限制”的教导，本领域技术人员容易想到采用其他可能厚度，故该特征被隐含公开。 |
| **技术特征L**：其中所述正极包含由下式1表示的锂金属氧化物作为正极活性材料：LixMyMn2-yO4-zAz (1) 《未公开》 | [281]“正极活性材料可以使用锂钴氧化物(LiCoO2)、锂镍氧化物(LiNiO2)、锂锰氧化物(LiMn2O4)等锂过渡金属氧化物。” | 对比文件仅提及简单的尖晶石LiMn2O4，但未涉及其掺杂改性后的通式(1)化合物（含有M和A元素），也没有任何关于该通式的组成描述。本领域技术人员无法仅从LiMn2O4合理推断出目标专利的特定掺杂尖晶石，故未公开。 |
| **技术特征M**：其中0.9≤x≤1.2，0<y<2，M为Al、Mg、Ni、Co、Fe、Cr、V、Ti、Cu、B、Ca、Zn、Zr、Nb、Mo、Sr、Sb、W、Ti和Bi中的至少一种《未公开》 | 同特征L，对比文件未公开式1化合物。 | 该特征是对特征L中材料的具体限定，由于特征L未公开，该限定随之未公开。 |
| **技术特征N**：A为至少一种一价阴离子或二价阴离子《未公开》 | 同特征L，对比文件未公开式1化合物中的A元素。 | 对比文件未公开任何关于阴离子掺杂的内容，因此未公开。 |
| **技术特征O**：其中式1的氧化物由下式2表示：LixNiyMn2-yO4 (2) 《未公开》 | [281]仅列出一般锂锰氧化物，未提及LiNiyMn2-yO4。 | 对比文件未公开镍锰尖晶石的具体组成，未公开。 |
| **技术特征P**：其中0.9≤x≤1.2，0.4≤y≤0.5《未公开》 | 同特征O，对比文件无Ni-Mn尖晶石公开。 | 依赖特征O，故未公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述氧化物为LiNi0.5Mn1.5O4或LiNi0.4Mn1.6O4《未公开》 | 对比文件无涉及。 | 未公开。 |
| **技术特征R**：其中所述锂金属氧化物为Li1.33Ti1.67O4或LiTi2O4《未公开》 | 对比文件未涉及钛酸锂。 | 未公开。 |
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、E、F、H；隐含公开了技术特征K；其余特征均未公开。
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