对比文件的名称：2015-09-24_US2015270421A_发明申请_US20150270421A1 Advanced Back Contact Solar Cells
目标专利的名称：1655太阳能电池CN107845689B
本次调用的模型名称：深度思考AI模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：该太阳能电池包括：半导体基板<br>《直接公开》 | [0018]“太阳能电池100是使用n型衬底101制造的”<br>[0023]“使用n型衬底300来制造期望的太阳能电池。” | 对比文件明确公开太阳能电池包括半导体基板（衬底），且该基板用于形成背接触电池，与目标专利的半导体基板作用相同。 |
| **技术特征B**：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成<br>《直接公开》 | [0024]“图3B示出了隧道氧化物层310被施加到衬底300的背表面。该隧道氧化物层310可以使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）、热氧化或干氧化来施加。” | 对比文件公开的隧道氧化物层形成于半导体基板的一个表面（背表面），且由介电材料（氧化物）形成。该层在对比文件中用于载流子隧穿并控制掺杂剂扩散，与目标专利中控制钝化膜的功能（控制掺杂剂扩散和载流子传送）实质相同，因此属于直接公开。 |
| **技术特征C**：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域<br>《直接公开》 | [0026]“硅层330被沉积……硅层330被分离成多个离散区域335a-c。”<br>[0027]“图3E显示了p型掺杂剂340（例如硼）被注入到离散区域335a、335c中。”<br>[0028]“n型掺杂剂350（例如磷）被注入到暴露的离散区域335b中。”<br>[0033]“p型掺杂的离散区域335a、335c是p型发射极区域，而n型掺杂的离散区域335b是n型掺杂的背表面场区域。” | 对比文件公开在隧道氧化物层（控制钝化膜）上沉积半导体层（硅层），并通过离子注入形成p型第一导电区域（发射极）和n型第二导电区域（背表面场），这些区域具有相反的导电类型。半导体层与钝化膜直接接触，作用与目标专利完全相同。 |
| **技术特征D**：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域<br>（未公开） | [0027]“植入参数被选择以确保p型掺杂剂340不会穿透并损坏/攻击隧道氧化物层310。”<br>[0034]“执行热处理以退火硅层330……该热处理可修复由植入工艺引起的损伤并实现硅的结晶。” | 对比文件明确强调掺杂剂不穿透隧道氧化物层进入基板，且热退火仅用于修复损伤和使硅结晶，未提及任何掺杂剂穿越氧化物层在基板中形成扩散区域。在对比文件最终结构（图3I、图5A）中，基板与隧道氧化层之间没有额外的掺杂扩散区。因此，基板中不存在扩散区域，该特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度<br>（未公开） | 基于技术特征D的未公开，对比文件未公开任何扩散区域。 | 由于对比文件中没有形成第一扩散区域，因此该特征的全部内容均未被公开。 |
| **技术特征F**：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度<br>（未公开） | 基于技术特征D的未公开。 | 与特征E同理，对比文件未公开第二扩散区域，该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域<br>《直接公开》 | [0018]“在一些实施例中，太阳能电池100是使用n型衬底101制造的。”<br>[0023]“使用n型衬底300来创建期望的太阳能电池。” | 对比文件明确记载半导体基板为n型（第二导电类型），具有该导电类型的基极区域。 |
| **技术特征H**：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分<br>（未公开） | 对比文件未公开扩散区域，也未公开钝化膜中存在掺杂部分。 | 特征H包含两部分，均依赖于扩散区域和钝化膜掺杂部分的存在。对比文件既无扩散区域，其隧道氧化物层本身也未掺杂（无掺杂部分），因此该特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜<br>《隐含公开》 | [0024]公开了隧道氧化物层可通过热氧化、PECVD等方式形成；且通常用于隧穿的极薄氧化物层（5-30Å）在形成工艺中（如热氧化）自然呈现非晶结构，本领域技术人员已知此常识。 | 虽然对比文件未直接描述隧道氧化物的结晶状态，但该层通过热氧化或PECVD沉积的氧化硅在常规工艺条件下即形成非晶结构。此外，对比文件未提及任何使其结晶的后续处理，且其作为隧穿层通常需要非晶态以确保均匀性和电学性能。因此，本领域技术人员可合理推断其为非晶膜或包含非晶结构的膜，属于隐含公开。 |
| **技术特征J**：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜<br>《直接公开》 | [0017]“在ARC 104下方可以是SiO2层，也称为钝化层103。”<br>[0037]“抗反射涂层（ARC）104，其可以由SiNx层构成，和钝化层103，其可以是SiO2层，已被施加到顶（或受光）表面。” | 对比文件在前表面（半导体基板上）设置了钝化层（SiO2）和抗反射涂层（SiNx），这些是绝缘膜。属于在半导体基板上的绝缘膜，直接公开。 |
| **技术特征K**：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分<br>（未公开） | 对比文件[0024]中隧道氧化物层厚度为5-30Å（0.5-3nm）；[0017]中绝缘膜（钝化层、ARC）通常厚得多（例如>80nm），故控制钝化膜薄的部分已公开。关于掺杂部分，对比文件中无任何记载表明隧道氧化物层比绝缘膜具有更高掺杂浓度，因为其刻意避免掺杂剂穿透。 | 特征K包含两个并列条件。虽然控制钝化膜比绝缘膜薄已由对比文件隐含公开（厚度对比明显），但第二部分“控制钝化膜包括掺杂浓度高于绝缘膜的掺杂浓度的部分”未在任何实施方式中提及或暗示。由于隧道氧化物层在工艺中未形成有意掺杂，且绝缘膜（ARC/钝化层）也未掺杂，故本特征整体未被公开。 |
| **技术特征L**：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分<br>（未公开） | 对比文件未描述钝化膜中存在掺杂部分，更无低掺杂/高掺杂的区分。 | 由于控制钝化膜中不存在掺杂部分，特征L未公开。 |
| **技术特征M**：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值<br>（未公开） | 与特征D同理，对比文件无扩散区域。 | 对比文件中的掺杂浓度主要存在于沉积的硅层中（离散区域），且不进入基板。厚度方向上不存在从导电区经钝化膜到基板扩散区的浓度分布，故无该浓度变化特征，未公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚<br>（未公开） | 基于特征D未公开。 | 无扩散区域，无从比较厚度，未公开。 |
| **技术特征O**：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间<br>（未公开） | 基于特征D未公开。 | 无扩散区域，无法判断间隔，未公开。 |
| **技术特征P**：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分<br>《隐含公开》 | [0036]“每个离散区域335a-c通过间隙与相邻的离散区域隔开，该间隙从金属层360延伸到隧道氧化物层310。”<br>[0035]“掩模膏320比硅层330和金属层360的高度之和更高，因此各区域保持分离。” | 对比文件中的间隙直接起到了将第一导电区域与第二导电区域隔开的作用，该间隙可视为势垒区域。在该间隙下方的隧道氧化物层（控制钝化膜）部分从未被掺杂（因为掺杂仅施加于离散区域），因此其为未掺杂部分。本领域技术人员通过对比文件及常规工艺理解，可合理推断出在势垒区域下方的钝化膜部分不含有意掺杂，故该特征隐含公开。 |
| **技术特征Q**：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值<br>（未公开） | 基于特征D未公开。 | 无扩散区域，无法比较梯度，未公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒<br>《直接公开》 | [0026]“所沉积的硅可以是非晶硅（α-Si）、纳米晶硅（nc-Si）或微晶硅（μc-Si）……”<br>[0034]“在非晶硅被沉积的情况下，热处理可以将该硅改变为多晶硅。” | 对比文件明确公开沉积的硅可以是纳米晶硅（nc-Si），其本身就具有纳米尺寸晶粒，并且热处理可将非晶硅转化为多晶硅。因此，半导体层可具有多晶结构且晶粒尺寸为纳米级，直接公开。 |
| **技术特征S**：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小<br>（未公开） | 基于特征D无扩散区域，且对比文件无浓度从硅层经钝化膜进入基板的连续减小分布。 | 对比文件中掺杂剂主要限域于硅层内，不进入基板，不存在跨越钝化膜进入扩散区域的浓度分布，未公开该特征。 |
| **技术特征T**：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值<br>（未公开） | 基于特征S未公开。 | 无该掺杂分布，未公开。 |
| **技术特征U**：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度<br>（未公开） | 基于特征D未公开。 | 无扩散区域，无法确定厚度，也未给出任何暗示或可选范围，未公开。 |
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