对比文件的名称：2015-11-12_JP2015201648A_发明专利_JP2015201648A 太陽電池及びその製造方法
目标专利的名称：1655太阳能电池CN107845689B
本次调用的模型名称：AI通用模型
## 特征比对表格
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能电池包括半导体基板（直接公开） | 对比文件[0014]：“本实施方式的太阳能电池100包括包含基极区域110的半导体基板10”。 | 对比文件明确公开了太阳能电池包括半导体基板，该特征直接公开。 |
| 技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成（直接公开） | 对比文件[0020]：“在半导体基板10的后表面上可以形成隧道层20。隧道层20可以包括氧化物、氮化物、半导体、导电性聚合物等。” | 对比文件公开了位于半导体基板后表面的隧道层，其由氧化物、氮化物等介电材料形成，结构上相当于目标专利的控制钝化膜，因此直接公开。 |
| 技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域（直接公开） | 对比文件[0022]：“在隧道层20上可以配置导电型区域32、34。更具体地，导电型区域32、34包括具有第一导电型掺杂剂而呈现第一导电型的第一导电型区域32和具有第二导电型掺杂剂而呈现第二导电型的第二导电型区域34。” | 对比文件直接公开了在隧道层（对应于控制钝化膜）上的半导体层包括第一导电区域和第二导电区域，特征直接公开。 |
| 技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域（未公开） | 对比文件[0020]：“隧道层20可以起到防止导电型区域30的掺杂剂向半导体基板10扩散的扩散阻挡层的作用。” | 对比文件明确隧道层用作扩散阻挡层以阻止掺杂剂扩散至半导体基板，因此本领域技术人员无法得出半导体基板内会形成扩散区域，更不存在第一、第二扩散区域。该特征未公开。 |
| 技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度（未公开） | 对比文件未提及与第一导电区域对应的局部扩散区域及其掺杂浓度关系。 | 基于特征D未公开，相应的第一扩散区域的具体特征也未公开。 |
| 技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度（未公开） | 对比文件未提及与第二导电区域对应的局部扩散区域及其掺杂浓度关系。 | 同特征E，该特征未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域（直接公开） | 对比文件[0015]：“基极区域110可以以相对低的掺杂浓度包含第二导电型掺杂剂。” | 对比文件公开了基极区域具有第二导电类型（例如n型或p型），直接公开。 |
| 技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分（未公开） | 对比文件未公开扩散区域以及隧道层中的局部掺杂部分。 | 对比文件完全没有公开扩散区域，也没有公开隧道层（控制钝化膜）具有局部掺杂部分。因此两个子特征均未公开，整体未公开。 |
| 技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜（隐含公开） | 对比文件[0089]：“隧道层20可以例如通过热生长法、沉积法（例如PECVD、ALD）等形成。”热生长法通常形成硅氧化物膜，此类膜一般为非晶结构。 | 本领域技术人员知晓，通过热氧化形成的SiO₂膜通常具有非晶结构，其他沉积方法（如PECVD）也能形成非晶膜。因此，可以合理推断对比文件的隧道层具有非晶结构或包含非晶部分，该特征隐含公开。 |
| 技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜（直接公开） | 对比文件[0035]：“绝缘层40可以形成在第一导电型区域32、第二导电型区域34和屏障区域36上。”对比文件[0077]还公开了在半导体基板前面的钝化膜24和抗反射膜26等绝缘膜。 | 对比文件明确存在绝缘层、钝化膜等绝缘膜位于半导体基板或半导体层上，特征直接公开。 |
| 技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分（未公开） | 对比文件[0021]：“隧道层20的厚度T可以小于绝缘层40的厚度。”但对比文件未公开隧道层（控制钝化膜）具有掺杂浓度高于绝缘膜的部分。 | 子特征（1）直接公开，但子特征（2）未公开，因为对比文件未提及隧道层含有掺杂剂，更无掺杂浓度比较。因此整体技术特征K未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分（未公开） | 对比文件未公开控制钝化膜中的掺杂部分，更未涉及高低掺杂部分。 | 对比文件没有公开控制钝化膜中有任何掺杂部分，故该特征未公开。 |
| 技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值（未公开） | 对比文件未描述掺杂浓度在厚度方向上的分布情况。 | 对比文件未涉及任何有关掺杂浓度梯度或连续减小等分布特征，该特征未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚（未公开） | 对比文件无扩散区域。 | 缺乏扩散区域，厚度比较无从谈起，未公开。 |
| 技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间（未公开） | 对比文件无对应公开。 | 对比文件没有公开扩散区域及其间隔关系，未公开。 |
| 技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分（未公开） | 对比文件[0029]：“屏障区域36位于第一导电型区域32和第二导电型区域34之间，使它们彼此隔离。”但未公开隧道层（控制钝化膜）具有未掺杂部分。 | 子特征（1）直接公开，但子特征（2）未公开，因为对比文件中的隧道层为整体未掺杂或整体存在，未指定对应势垒区域的未掺杂部分。因此整体未公开。 |
| 技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值（未公开） | 对比文件未公开扩散区域及其掺杂浓度梯度。 | 该特征未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒（隐含公开） | 对比文件[0024]：“第一导电型区域32可以通过各种方法形成，例如通过对非晶半导体、微晶半导体或多晶半导体（例如非晶硅、微晶硅或多晶硅）掺杂第一导电型掺杂剂来形成。” | 对比文件公开了半导体层可以是微晶或多晶半导体。本领域技术人员知晓，微晶或多晶硅的晶粒尺寸通常处于纳米级别（典型如1nm~几百nm），因此可以合理推断其具有纳米尺寸晶粒，该特征隐含公开。 |
| 技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小（未公开） | 对比文件未描述掺杂浓度分布。 | 对比文件未公开任何关于掺杂浓度在层间连续减小的分布特征，未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值（未公开） | 对比文件未涉及。 | 对比文件没有公开任何掺杂分布的特征，更不存在第一和第二掺杂分布的比较，未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度（未公开） | 对比文件未公开扩散区域。 | 无扩散区域，厚度特征无从获得，未公开。 |
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