好的，我们开始进行对比文件的特征比对分析。首先，明确本次分析的文档名称和模型信息。
**对比文件名称：** 2015-12-03_WO2015183703A1_发明申请_RELATIVE DOPANT CONCENTRATION LEVELS IN SOLAR CELLS
**目标专利名称：** 1655太阳能电池CN107845689B
**调用模型名称：** 您指定的资深专利代理师模型
以下是根据您的要求，对目标专利权利要求的技术特征与对比文件进行的详细特征比对表格。
### 特征比对表格
| 第一栏：技术特征描述及公开性判断结果 | 第二栏：对比文件原文引用（中文翻译） | 第三栏：公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板 | **《直接公开》** <br><br> **对比文件引用内容：** <br> [0024] “...在基板110的一部分上形成对接PN结109。基板110的一个示例包括N型硅。” <br><br> [0042] “图4示出了具有背面405和正面406的太阳能电池基板400。” | 对比文件在多个实施例中明确公开了太阳能电池包括半导体基板（如110， 400， 1100， 1800），该基板是用于制造太阳能电池的基础结构。其作用与目标专利中的半导体基板完全相同，都是作为太阳能电池的基底和光吸收材料。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| 技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成 | **《直接公开》** <br><br> **对比文件引用内容：** <br> [0024] “...P型扩散多晶硅区域102和N型扩散多晶硅区域104设置在介电层106上方...” <br><br> [0027] “根据一些实施例，制造背接触太阳能电池可以包括在基板110上形成薄介电层106。在一个实施例中，薄介电层由二氧化硅组成，厚度大约在5-50埃的范围内。” <br><br> [0043] “在一个实施例中，薄介电层402由二氧化硅组成，厚度大约在5-50埃的范围内（例如，20埃）。...薄介电层402用作隧道氧化层。” | 对比文件明确公开了在半导体基板的一个表面（背面）上形成有薄介电层（106， 402， 1102）。该介电层由二氧化硅（介电材料）形成。该层在对比文件中起到隧道氧化层的作用，控制载流子的传输，与目标专利中控制钝化膜的功能（允许载流子传送、控制掺杂剂扩散）实质相同。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| 技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域 | **《直接公开》** <br><br> **对比文件引用内容：** <br> [0024] “...P型扩散多晶硅区域102和N型扩散多晶硅区域104设置在介电层106上方...” <br><br> [0024] “P型扩散多晶硅区域102和N型扩散多晶硅区域104可以在多晶硅层中形成。” <br><br> [0052] “...热推进步骤将掺杂剂从第一和第二掺杂二氧化硅层407， 410扩散到下面的多晶硅层404，从而在多晶硅层404中形成P型和N型扩散区域，其相应地标记为P型扩散多晶硅区域414和N型扩散多晶硅区域416。” | 对比文件明确公开了在介电层（控制钝化膜）上形成有多晶硅层（半导体层）。该多晶硅层中包含了P型扩散区域（第一导电区域）和N型扩散区域（第二导电区域），两者导电类型相反。这些区域在对比文件中直接作为发射极区域，与目标专利中第一、第二导电区域的功能相同。因此，技术特征C被对比文件直接公开。 |
| 技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域 | **《隐含公开》** <br><br> **对比文件引用内容：** <br> [0052] “...热推进步骤将掺杂剂从第一和第二掺杂二氧化硅层407， 410扩散到下面的多晶硅层404，从而在多晶硅层404中形成P型和N型扩散区域...在一个实施例中，推进条件导致多晶硅层重掺杂，...并且在多晶硅下方有非常少的掺杂，例如，等于或小于1E18/cm3。” <br><br> [0056] “...加热基板1100将掺杂剂从第一和第二掺杂剂源1108和1112分别驱动到多晶硅层1104中。” | 对比文件明确教导了在进行热扩散时，掺杂剂不仅会进入多晶硅层，也会少量扩散进入多晶硅下方的基板中（“在多晶硅下方有非常少的掺杂”）。虽然对比文件的主要目的是在多晶硅层中形成导电区域，但其不可避免地公开了在基板内会形成与导电区域对应的、与控制钝化膜相邻的扩散区域。本领域技术人员可以合理推断，在形成P型扩散多晶硅区域和N型扩散多晶硅区域的同时，必然会在其下方的基板界面处形成相应的P型和N型扩散区域。因此，技术特征D被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度 | **《隐含公开》** <br><br> **对比文件引用内容：** <br> [0052] “...推进条件导致多晶硅层重掺杂，例如，大于1E20/cm3，并且在多晶硅下方有非常少的掺杂，例如，等于或小于1E18/cm3。” <br><br> [0047] “...降低BSG氧化层中的硼（B）浓度从典型水平的约4%到约1-2%。这导致多晶硅层中的P型掺杂剂浓度水平降低到约5E19/cm3至约5E17/cm3。” | 如上所述，对比文件公开了在基板内（多晶硅下方）存在掺杂浓度非常低的区域，而多晶硅层内的导电区域掺杂浓度很高。由于P型扩散区域和N型扩散区域是分别通过掩模局部形成的，因此其下方的低掺杂区域也必然是局部形成的，并与上方的导电区域在位置上对应。对比文件明确描述了多晶硅层内高浓度掺杂与其下方基板内低浓度掺杂的对应关系，该关系完全符合技术特征E的描述。因此，技术特征E被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度 | **《隐含公开》** <br><br> **对比文件引用内容：** <br> [0052] “...推进条件导致多晶硅层重掺杂，例如，大于1E20/cm3，并且在多晶硅下方有非常少的掺杂，例如，等于或小于1E18/cm3。” | 与技术特征E的论述逻辑相同。对比文件公开了N型扩散多晶硅区域（第二导电区域）具有高掺杂浓度（例如，来自PSG源，可达到1E20/cm3），而在其下方的基板区域（第二扩散区域）则具有非常低的掺杂浓度（≤1E18/cm3）。由于N型区域是通过掩模局部形成的，其下方的低掺杂区域也必然是局部形成且与之对应的。因此，技术特征F被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域 | **《直接公开》** <br><br> **对比文件引用内容：** <br> [0024] “基板110的一个示例包括N型硅。” <br><br> [0043] “在一个实施例中，基板400是体单晶基板，例如N型掺杂的单晶硅基板或N型硅片。” <br><br> [0058] “在一个实施例中，基板1100是体单晶基板，例如N型掺杂的单晶硅基板或N型硅片。” | 对比文件在多个实施例中明确指明其半导体基板是N型掺杂的（N型作为第二导电类型的示例）。整个基板作为一个整体，具有该导电类型，构成了目标专利中所述的基极区域。因此，技术特征G被对比文件直接公开。 |
| 技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且其中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分。 | **《未公开》** | 对比文件既没有公开或暗示第一扩散区域和第二扩散区域的厚度存在差异，也没有公开或暗示作为掺杂剂扩散源的控制钝化膜本身会包含与导电区域对应的局部掺杂部分。对比文件中的介电层（106， 402， 1102）在形成导电区域和扩散区域后，是否保留了掺杂剂形成局部掺杂部分未予说明。因此，技术特征H未被对比文件公开或隐含公开。 |
| 技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜。 | **《未公开》** | 对比文件仅描述了介电层（控制钝化膜）由二氧化硅形成，厚度为5-50埃，并未描述其微观结构（如非晶、多晶等）。因此，技术特征I未被对比文件公开或隐含公开。 |
| 技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜 | **《直接公开》** <br><br> **对比文件引用内容：** <br> [0025] “第一导电接触...设置在氮化硅层112中形成的第一接触开口中...” <br><br> [0038] “如图1所示，氮化硅层112形式的介电层可以延伸覆盖P型扩散多晶硅区域102和N型扩散多晶硅区域104。” | 对比文件明确公开了在半导体层（多晶硅层）上形成有氮化硅层112，该层是绝缘膜，起到钝化和保护作用。因此，技术特征J被对比文件直接公开。 |
| 技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且其中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分。 | **《未公开》** | 对比文件公开了控制钝化膜（例如，厚度5-50埃）和绝缘膜（例如，氮化硅层112，厚度约400埃）。本领域技术人员可以明确得出控制钝化膜比绝缘膜薄的结论，但这部分由本领域技术人员通过对比文件公开的数值直接推导得出，可以视为隐含公开了厚度比较。然而，对比文件完全没有公开或暗示控制钝化膜内部存在掺杂浓度高于绝缘膜的部分。目标专利中控制钝化膜的掺杂部分是由于掺杂剂扩散时穿过该膜导致的，而对比文件未提及该膜的掺杂状态。因此，技术特征K整体上未被对比文件公开。 |
| 技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分。 | **《未公开》** | 对比文件未公开控制钝化膜内部存在不均匀的掺杂浓度分布，即没有公开低掺杂部分和高掺杂部分的概念。因此，技术特征L未被对比文件公开或隐含公开。 |
| 技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且其中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值。 | **《隐含公开》** <br><br> **对比文件引用内容：** <br> [0052] “...推进条件导致多晶硅层重掺杂，例如，大于1E20/cm3，并且在多晶硅下方有非常少的掺杂，例如，等于或小于1E18/cm3。” | 对比文件描述了从高掺杂的多晶硅层（导电区域）到低掺杂的基板内部（扩散区域），掺杂浓度必然是连续减小的，并且存在一个陡峭的浓度梯度。由于多晶硅层内的掺杂是均匀的，其浓度梯度近乎为零，而作为扩散区的基板部分，其浓度从界面处的高浓度快速下降到本体浓度，其浓度梯度的绝对值必然远大于导电区域。这是典型的扩散掺杂分布特征，本领域技术人员根据对比文件公开的“重掺杂多晶硅”和“下方非常少的掺杂”这一教导，可以毫无疑问地推断出该浓度分布特征。因此，技术特征M被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚。 | **《未公开》** | 对比文件没有公开扩散区域和导电区域之间的厚度比较关系。根据对比文件的描述，导电区域（多晶硅层）厚度约为2000埃，而扩散区域（基板内的掺杂部分）的厚度未知，但扩散通常较浅，本领域技术人员无法得出扩散区域一定比导电区域厚的结论。因此，技术特征N未被对比文件公开或隐含公开。 |
| 技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间 | **《隐含公开》** <br><br> **对比文件引用内容：** <br> [0024] “...P型扩散多晶硅区域102和N型扩散多晶硅区域104设置在介电层106上方并形成对接PN结109...” <br><br> [0028] “在背接触太阳能电池中，...存在可能在多晶硅层内两个扩散区之间的界面处形成的对接PN结109。” | 对比文件明确，P型和N型扩散多晶硅区域是相邻的，并在界面处形成对接PN结。由于技术特征D和E已经论述了在基板内会形成与多晶硅区域对应的扩散区域，那么这些基板内的扩散区域也必然是多晶硅区域下方局部形成的。当两个多晶硅区域相邻时，它们下方的基板扩散区域也必然是相邻的，其界面处就是PN结的位置。由于是扩散形成的，这两个扩散区域之间必然存在一个未掺杂或轻掺杂的基极区域，而不是完全接触。因此，虽然对比文件未明确描述基板内扩散区域的结构，但结合其形成工艺，本领域技术人员可以合理推断出技术特征O的结构。因此，技术特征O被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且其中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分。 | **《未公开》** | 对比文件明确公开了P型和N型扩散区域之间形成的是“对接PN结”，即两者是直接接触的，没有设置任何绝缘的势垒区域。因此，对比文件公开了与目标专利技术特征P相反的技术方案。技术特征P未被对比文件公开或隐含公开。 |
| 技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值。 | **《未公开》** | 对比文件没有公开第一扩散区域（P型）和第二扩散区域（N型）在掺杂浓度梯度上的差异。虽然对比文件公开了P型和N型源的不同浓度，但其主要关注的是峰值浓度，并未提及扩散区域内部的浓度梯度分布差异。因此，技术特征Q未被对比文件公开或隐含公开。 |
| 技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒。 | **《未公开》** | 对比文件明确提到了“多晶硅层”（polysilicon layer），但并未公开其晶粒尺寸，更未提及“纳米尺寸的晶粒”这一特定特征。目标专利中特别强调了纳米晶粒带来的钝化优势，而对比文件未涉及此内容。因此，技术特征R未被对比文件公开或隐含公开。 |
| 技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小 | **《隐含公开》** <br><br> **对比文件引用内容：** <br> [0052] “...推进条件导致多晶硅层重掺杂，例如，大于1E20/cm3，并且在多晶硅下方有非常少的掺杂，例如，等于或小于1E18/cm3。” | 与技术特征M的论述逻辑相同。对比文件描述了从高掺杂的多晶硅层（导电区域）到低掺杂的基板内部（扩散区域），掺杂浓度必须是连续减小的。掺杂剂必须穿过控制钝化膜（介电层）才能进入基板，因此浓度分布必然是从导电区域，经由控制钝化膜，再到扩散区域连续减小。这是扩散工艺的必然结果，本领域技术人员可以毫无疑问地推断出该特征。因此，技术特征S被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且其中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值。 | **《未公开》** | 对比文件虽然公开了掺杂浓度从高到低连续减小，但并未明确区分在控制钝化膜附近或导电区域底部与扩散区域顶部的掺杂分布存在不同的梯度。目标专利中描述的“第一掺杂分布”和“第二掺杂分布”的梯度差异，是由于激光掺杂等特定工艺造成的，其分布曲线具有拐点。对比文件使用的是传统的热扩散工艺，通常不会产生这种具有明显拐点、且浓度梯度绝对值发生突变的分布特征。因此，技术特征T未被对比文件公开或隐含公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度。 | **《未公开》** | 对比文件没有公开扩散区域的具体厚度数值，也没有公开其与导电区域的厚度比较关系。对比文件仅公开了扩散区域（多晶硅下方）的掺杂浓度非常低，但未提供其厚度信息。因此，技术特征U未被对比文件公开或隐含公开。 |
### 结论
根据上述详细的特征比对分析，可以得出以下结论：
- 对比文件直接公开了技术特征：A， B， C， G， J。
- 对比文件隐含公开了技术特征：D， E， F， M， O， S。
- 对比文件未公开的技术特征：H， I， K， L， N， P， Q， R， T， U。
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